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公开(公告)号：CN102272563A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200980154028.8
申请日：2009-12-22
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G01J5/20 , G01J5/02 , G01J5/024 , G01J2005/068 , H01L27/14 , H01L27/14649
Abstract: 本发明涉及光检测器，提供具有辐射热计元件(11)及参考元件(21)的红外线检测器(1)，其中参考元件(21)包含：辐射热计膜(22)；辐射热计膜(22)的基板侧表面上形成的基板侧绝缘膜(31)；经由基板侧绝缘膜(31)而在辐射热计膜(22)的基板侧表面上形成的由非晶硅构成的散热膜(23)；及与散热膜(23)及基板(10)热连接的由非晶硅构成的多个散热柱(25)，辐射热计膜(22)及基板侧绝缘膜(31)绕转到散热膜(23)中的与基板(10)的表面交叉的侧面而形成。根据如此的红外线检测器(1)，既可有效地减少使用环境的温度变化的影响，且可谋求小型化。
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公开(公告)号：CN103459994B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201280015262.4
申请日：2012-03-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H04N5/33 , G01J1/44 , G01J5/00 , G01J5/10 , G01J5/22 , G01J5/24 , G01J2001/444 , G01J2005/0048 , G01J2005/0077 , G01J2005/066 , G01J2005/202 , H04N5/217 , H04N5/357
Abstract: 一种检测红外线的红外线图像传感器，具备具有排列了多个像素的像素区域以及至少一个参考像素的受光部（12）、取得作为包含于像素区域的一个像素的信号与参考像素的信号的差分信号的第1差分信号以及作为包含于像素区域的多个像素中的规定的两个像素的信号的差分信号的第2差分信号的差分电路、以及基于第1差分信号和第2差分信号算出像素的信号的像素信号算出部而构成。
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公开(公告)号：CN101978246A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980109704.X
申请日：2009-03-16
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L27/1446 , G01J5/20 , H01L27/14669 , H01L37/00
Abstract: 在具有测辐射热计元件(11)以及基准元件(21)的红外线检测器(1)中，包含：测辐射热计薄膜(22)，与基板(10)的表面分离且被支撑于基板(10)的表面上；散热用金属膜(23)，经由绝缘膜(31)而被形成在测辐射热计薄膜(22)的基板(10)侧的表面上；以及多个金属柱(25)，与散热用金属膜(23)以及基板(10)热性连接，从而可以经由绝缘膜(31)、散热用金属膜(23)、金属柱(25)、基板侧散热用金属膜(24)有效地使由红外线所产生的受光部(22a)的热向基板(10)散热，因而可以正确地仅测定因使用环境的变化而产生的温度变化，有效地降低使用环境的温度变化的影响，并达成小型化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101375140A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200780003604.X
申请日：2007-01-24
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L27/14669 , G01J5/04 , G01J5/046 , G01J5/08 , G01J5/0853 , G01J5/12
Abstract: 红外线吸收膜(2)，具备：含有TiN的第一层(21)，及含有Si系化合物的第二层(22)，将从第二层(22)侧入射的红外线的能量变换成热。TiN对比8μm短的波长区域的红外线的吸收率高，另一方面对比8μm长的波长区域的红外线反射率高。因此，在将对长波长区域的红外线的吸收率优异的Si系化合物层层叠在TiN层上时，则可使TiN层中吸收率低的波长区域的红外线在Si系化合物层适当地吸收，同时，可对要透过Si系化合物层的红外线在TiN层的界面反射而回到Si系化合物层。
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公开(公告)号：CN102272563B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN200980154028.8
申请日：2009-12-22
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G01J5/20 , G01J5/02 , G01J5/024 , G01J2005/068 , H01L27/14 , H01L27/14649
Abstract: 本发明涉及光检测器，提供具有辐射热计元件(11)及参考元件(21)的红外线检测器(1)，其中参考元件(21)包含：辐射热计膜(22)；辐射热计膜(22)的基板侧表面上形成的基板侧绝缘膜(31)；经由基板侧绝缘膜(31)而在辐射热计膜(22)的基板侧表面上形成的由非晶硅构成的散热膜(23)；及与散热膜(23)及基板(10)热连接的由非晶硅构成的多个散热柱(25)，辐射热计膜(22)及基板侧绝缘膜(31)绕转到散热膜(23)中的与基板(10)的表面交叉的侧面而形成。根据如此的红外线检测器(1)，既可有效地减少使用环境的温度变化的影响，且可谋求小型化。
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公开(公告)号：CN101978246B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN200980109704.X
申请日：2009-03-16
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L27/1446 , G01J5/20 , H01L27/14669 , H01L37/00
Abstract: 在具有测辐射热计元件(11)以及基准元件(21)的红外线检测器(1)中，包含：测辐射热计薄膜(22)，与基板(10)的表面分离且被支撑于基板(10)的表面上；散热用金属膜(23)，经由绝缘膜(31)而被形成在测辐射热计薄膜(22)的基板(10)侧的表面上；以及多个金属柱(25)，与散热用金属膜(23)以及基板(10)热性连接，从而可以经由绝缘膜(31)、散热用金属膜(23)、金属柱(25)、基板侧散热用金属膜(24)有效地使由红外线所产生的受光部(22a)的热向基板(10)散热，因而可以正确地仅测定因使用环境的变化而产生的温度变化，有效地降低使用环境的温度变化的影响，并达成小型化。
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公开(公告)号：CN103459994A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280015262.4
申请日：2012-03-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H04N5/33 , G01J1/44 , G01J5/00 , G01J5/10 , G01J5/22 , G01J5/24 , G01J2001/444 , G01J2005/0048 , G01J2005/0077 , G01J2005/066 , G01J2005/202 , H04N5/217 , H04N5/357
Abstract: 一种检测红外线的红外线图像传感器，具备具有排列了多个像素的像素区域以及至少一个参考像素的受光部（12）、取得作为包含于像素区域的一个像素的信号与参考像素的信号的差分信号的第1差分信号以及作为包含于像素区域的多个像素中的规定的两个像素的信号的差分信号的第2差分信号的差分电路、以及基于第1差分信号和第2差分信号算出像素的信号的像素信号算出部而构成。
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公开(公告)号：CN101375140B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200780003604.X
申请日：2007-01-24
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L27/14669 , G01J5/04 , G01J5/046 , G01J5/08 , G01J5/0853 , G01J5/12
Abstract: 红外线吸收膜(2)，具备：含有TiN的第一层(21)，及含有Si系化合物的第二层(22)，将从第二层(22)侧入射的红外线的能量变换成热。TiN对比8μm短的波长区域的红外线的吸收率高，另一方面对比8μm长的波长区域的红外线反射率高。因此，在将对长波长区域的红外线的吸收率优异的Si系化合物层层叠在TiN层上时，则可使TiN层中吸收率低的波长区域的红外线在Si系化合物层适当地吸收，同时，可对要透过Si系化合物层的红外线在TiN层的界面反射而回到Si系化合物层。
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