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公开(公告)号：CN105364322A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510791236.6
申请日：2008-10-27
Applicant: 浜松光子学株式会社
Inventor： 熊谷正芳
IPC: B23K26/38 , B23K26/06 , B23K26/40 , B23K101/40
CPC classification number: H01L21/304 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2103/50 , B28D5/0011 , H01L21/78 , B23K26/38 , B23K26/0643
Abstract: 本发明涉及激光加工方法。在31ns～54ns的脉冲宽度且7.5μm～10μm的脉冲间距下照射作为脉冲激光的激光(L)，从而沿着切断预定线(5)在GaAs基板(12)上形成作为切断的起点的改质区域(7)。由此，沿着切断预定线(5)形成于GaAs基板(12)上的改质区域(7)，易于在加工对象物(1)的厚度方向上产生龟裂。因此，对于具备GaAs基板(12)的板状的加工对象物(1)，能够形成作为切断的起点的功能极佳的改质区域(7)。
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公开(公告)号：CN102019508B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201010525444.9
申请日：2008-07-28
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0006 , B23K26/046 , B23K26/0624 , B23K26/064 , B23K26/0861 , B23K26/128 , B23K26/40 , B23K26/402 , B23K26/53 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , B28D1/221 , B28D5/00 , C03B33/0222 , H01L23/544 , H01L2223/54453 , Y10T29/49826
Abstract: 本发明涉及激光加工方法、激光加工装置及其制造方法。以使被聚光于加工对象物(1)的内部的激光(L)的像差为规定的像差以下的方式被反射型空间光调制器(203)调制后的激光(L)被照射于加工对象物(1)。因此，能够极力减小在对准激光(L)的聚光点(P)的位置所产生的激光(L)的像差，并能够提高在该位置的激光(L)的能量密度，从而能够形成作为切断的起点的功能较好的改质区域(7)。并且，由于使用反射型空间光调制器(203)，因此，相比于透过型空间光调制器，能够提高激光(L)的利用效率。这样的激光(L)的利用效率的提高在将作为切断的起点的改质区域(7)形成于板状的加工对象物(1)的情况下是特别重要的。
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公开(公告)号：CN102528294A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210046724.0
申请日：2008-07-28
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0006 , B23K26/046 , B23K26/0624 , B23K26/064 , B23K26/0861 , B23K26/128 , B23K26/40 , B23K26/402 , B23K26/53 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , B28D1/221 , B28D5/00 , C03B33/0222 , H01L23/544 , H01L2223/54453 , Y10T29/49826
Abstract: 本发明涉及激光加工方法、激光加工装置及其制造方法。以使被聚光于加工对象物(1)的内部的激光(L)的像差为规定的像差以下的方式被反射型空间光调制器(203)调制后的激光(L)被照射于加工对象物(1)。因此，能够极力减小在对准激光(L)的聚光点(P)的位置所产生的激光(L)的像差，并能够提高在该位置的激光(L)的能量密度，从而能够形成作为切断的起点的功能较好的改质区域(7)。并且，由于使用反射型空间光调制器(203)，因此，相比于透过型空间光调制器，能够提高激光(L)的利用效率。这样的激光(L)的利用效率的提高在将作为切断的起点的改质区域(7)形成于板状的加工对象物(1)的情况下是特别重要的。
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公开(公告)号：CN101772398A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200880101826.X
申请日：2008-07-28
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0006 , B23K26/046 , B23K26/0624 , B23K26/064 , B23K26/0861 , B23K26/128 , B23K26/40 , B23K26/402 , B23K26/53 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , B28D1/221 , B28D5/00 , C03B33/0222 , H01L23/544 , H01L2223/54453 , Y10T29/49826
Abstract: 本发明涉及激光加工方法、激光加工装置及其制造方法。以使被聚光于加工对象物(1)的内部的激光(L)的像差为规定的像差以下的方式被反射型空间光调制器(203)调制后的激光(L)被照射于加工对象物(1)。因此，能够极力减小在对准激光(L)的聚光点(P)的位置所产生的激光(L)的像差，并能够提高在该位置的激光(L)的能量密度，从而能够形成作为切断的起点的功能较好的改质区域(7)。并且，由于使用反射型空间光调制器(203)，因此，相比于透过型空间光调制器，能够提高激光(L)的利用效率。这样的激光(L)的利用效率的提高在将作为切断的起点的改质区域(7)形成于板状的加工对象物(1)的情况下是特别重要的。
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公开(公告)号：CN101796698B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200880106090.5
申请日：2008-09-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/02 , B23K26/38 , B23K26/40 , H01L21/301 , B23K101/40
CPC classification number: B23K26/0624 , B23K26/0853 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B28D5/0011 , C03B33/0222 , H01L21/78 , H01S5/0201 , Y02P40/57
Abstract: 本发明涉及半导体激光元件的制造方法。对于加工对象物(1)，预先进行沿着切断预定线(5a、5b)的切断起点区域(8a、8b)的形成。在此，切断起点区域(8b)是具有通过使聚光点对准加工对象物(1)的内部并照射激光而形成的改质区域(7b)的区域，并且在沿着切断预定线(5b)的部分中的、除了与切断预定线(5a)交叉的部分(34b)之外的部分被形成。由此，在将切断起点区域(8a)作为起点而切断加工对象物(1)时，切断起点区域(8b)的影响力变得极小，从而能够可靠地得到具有高精度的劈开面的条。因此，对于多个条的各个，不需要进行沿着切断预定线(5b)的切断起点区域的形成，从而可以提高半导体激光元件的生产性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101400475B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200780008910.2
申请日：2007-03-06
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/38 , B23K26/40 , H01L21/301
CPC classification number: B23K26/53 , B23K26/0622 , B23K26/0853 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , C03B33/0222 , C03B33/037 , H01L21/78
Abstract: 本发明的激光加工方法，通过照射具有标准的脉冲波形的激光(L)，在硅晶片(111)的内部形成，加工对象物(1)的厚度方向的大小大，且随着容易在加工对象物(1)的厚度方向上发生破裂(24)的溶融处理区域(131)，同时，通过照射具有来自后侧脉冲波形的激光(L)，在硅晶片(112)的内部形成，加工对象物(1)的厚度方向的大小小，且在加工对象物(1)的厚度方向上不容易发生破裂(24)的溶融处理区域(132)。
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公开(公告)号：CN101842184A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200880103871.9
申请日：2008-10-27
Applicant: 浜松光子学株式会社
Inventor： 熊谷正芳
IPC: B23K26/38 , B23K26/00 , B23K26/06 , B23K26/40 , B23K101/40
CPC classification number: H01L21/304 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2103/50 , B28D5/0011 , H01L21/78
Abstract: 本发明涉及激光加工方法。在31ns～54ns的脉冲宽度且7.5μm～10μm的脉冲间距下照射作为脉冲激光的激光(L)，从而沿着切断预定线(5)在GaAs基板(12)上形成作为切断的起点的改质区域(7)。由此，沿着切断预定线(5)形成于GaAs基板(12)上的改质区域(7)，易于在加工对象物(1)的厚度方向上产生龟裂。因此，对于具备GaAs基板(12)的板状的加工对象物(1)，能够形成作为切断的起点的功能极佳的改质区域(7)。
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公开(公告)号：CN103706950B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201410002145.5
申请日：2008-07-28
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/359 , B23K26/064
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0006 , B23K26/046 , B23K26/0624 , B23K26/064 , B23K26/0861 , B23K26/128 , B23K26/40 , B23K26/402 , B23K26/53 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , B28D1/221 , B28D5/00 , C03B33/0222 , H01L23/544 , H01L2223/54453 , Y10T29/49826
Abstract: 本发明涉及激光加工方法、激光加工装置及其制造方法。以使被聚光于加工对象物（1）的内部的激光（L）的像差为规定的像差以下的方式被反射型空间光调制器（203）调制后的激光（L）被照射于加工对象物（1）。因此，能够极力减小在对准激光（L）的聚光点（P）的位置所产生的激光（L）的像差，并能够提高在该位置的激光（L）的能量密度，从而能够形成作为切断的起点的功能较好的改质区域（7）。并且，由于使用反射型空间光调制器（203），因此，相比于透过型空间光调制器，能够提高激光（L）的利用效率。这样的激光（L）的利用效率的提高在将作为切断的起点的改质区域（7）形成于板状的加工对象物（1）的情况下是特别重要的。
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公开(公告)号：CN102528294B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210046724.0
申请日：2008-07-28
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/064 , B23K26/402 , B23K26/12 , B23K26/046 , B23K26/0622 , B23K26/08 , B23K26/53 , B28D5/00 , B28D1/22 , C03B33/02
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0006 , B23K26/046 , B23K26/0624 , B23K26/064 , B23K26/0861 , B23K26/128 , B23K26/40 , B23K26/402 , B23K26/53 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , B28D1/221 , B28D5/00 , C03B33/0222 , H01L23/544 , H01L2223/54453 , Y10T29/49826
Abstract: 本发明涉及激光加工方法、激光加工装置及其制造方法。以使被聚光于加工对象物(1)的内部的激光(L)的像差为规定的像差以下的方式被反射型空间光调制器(203)调制后的激光(L)被照射于加工对象物(1)。因此，能够极力减小在对准激光(L)的聚光点(P)的位置所产生的激光(L)的像差，并能够提高在该位置的激光(L)的能量密度，从而能够形成作为切断的起点的功能较好的改质区域(7)。并且，由于使用反射型空间光调制器(203)，因此，相比于透过型空间光调制器，能够提高激光(L)的利用效率。这样的激光(L)的利用效率的提高在将作为切断的起点的改质区域(7)形成于板状的加工对象物(1)的情况下是特别重要的。
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公开(公告)号：CN101796698A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200880106090.5
申请日：2008-09-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/02 , B23K26/38 , B23K26/40 , H01L21/301 , B23K101/40
CPC classification number: B23K26/0624 , B23K26/0853 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B28D5/0011 , C03B33/0222 , H01L21/78 , H01S5/0201 , Y02P40/57
Abstract: 本发明涉及半导体激光元件的制造方法。对于加工对象物(1)，预先进行沿着切断预定线(5a、5b)的切断起点区域(8a、8b)的形成。在此，切断起点区域(8b)是具有通过使聚光点对准加工对象物(1)的内部并照射激光而形成的改质区域(7b)的区域，并且在沿着切断预定线(5b)的部分中的、除了与切断预定线(5a)交叉的部分(34b)之外的部分被形成。由此，在将切断起点区域(8a)作为起点而切断加工对象物(1)时，切断起点区域(8b)的影响力变得极小，从而能够可靠地得到具有高精度的劈开面的条。因此，对于多个条的各个，不需要进行沿着切断预定线(5b)的切断起点区域的形成，从而可以提高半导体激光元件的生产性。
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