公开(公告)号：CN109001174B

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN201810538346.5

申请日：2013-08-09

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 柴山胜己 ,  丸山芳弘 ,  伊藤将师

IPC: G01N21/65

Abstract: SERS元件(3)具备：基板(4)；细微结构部(7)，被形成于基板(4)的表面(4a)上并且具有多个柱(11)；导电体层(6)，被形成于细微结构部(7)上并且构成使表面增强拉曼散射发生的光学功能部(10)。在各个柱(11)的侧面设置有沟槽。导电体层(6)进入到该沟槽，由此，多个间隙(G)被形成于导电体层(6)。

公开(公告)号：CN112384788A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201980045732.3

申请日：2019-07-16

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 藤原一彦 ,  丸山芳弘

IPC: G01N21/65

Abstract: 本发明的被检测物分析方法的一例包括：混合步骤(S11)，将被检测物、金属离子的溶液和还原剂混合而制作混合液；金属微小结构生成步骤(S12)，通过混合液中的还原剂的还原作用将混合液中的金属离子还原，在支撑体上生成金属微小结构，并使被检测物或来自被检测物的物质附着于金属微小结构；测定步骤(S15)，对支撑体上的金属微小结构照射激发光，测定由该激发光照射产生的拉曼散射光的光谱；和分析步骤(S16)，基于拉曼散射光的光谱对被检测物进行分析。由此，能够实现可容易地利用高效率的SERS分光对更多种类的被检测物进行分析的方法。

公开(公告)号：CN107255630B

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201710277079.6

申请日：2013-08-09

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 丸山芳弘 ,  柴山胜己 ,  伊藤将师 ,  广畑彻 ,  龟井宏记

IPC: G01N21/65 ,  B82Y40/00

Abstract: SERS元件(2)具备：基板(21)，其具有表面(21a)；微细构造部(24)，其形成在主面(21a)上，具有多个支柱(27)；第1导电体层(31)，其以连续覆盖表面(21a)和微细构造部(24)的方式形成在表面(21a)和微细构造部(24)上；以及第2导电体层(32)，其以形成用于表面增强拉曼散射的多个间隙(G1,G2)的方式形成在第1导电体(31)上，第1导电体层(31)和第2导电体层(32)由相互相同的材料构成。

公开(公告)号：CN109342395A

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201811398924.6

申请日：2013-08-09

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 伊藤将师 ,  柴山胜己 ,  川合敏光 ,  大藤和人 ,  大山泰生 ,  丸山芳弘 ,  能野隆文 ,  广瀬真树 ,  吉田杏奈

IPC: G01N21/65

Abstract: SERS单元(1A)包括：一体地形成的处理基板(2)；及SERS元件(3)，其被固定于以在处理基板(2)的厚度方向上的一侧开口的方式设置于处理基板(2)的收纳空间(S)内。SERS元件(3)具有：基板(5)，其配置于收纳空间(S)的内面(S1)上；及光学功能部(10)，其形成于基板(5)上，且产生表面增强拉曼散射。

公开(公告)号：CN104520694B

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201380042045.9

申请日：2013-08-09

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 柴山胜己 ,  伊藤将师 ,  能野隆文 ,  广瀬真树 ,  吉田杏奈 ,  大藤和人 ,  丸山芳弘

IPC: G01N21/65 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N21/01

CPC classification number: G01N21/658 ,  B82Y40/00 ,  G01J3/02 ,  G01J3/12 ,  G01J3/44 ,  G01N2201/02 ,  G01N2201/0227 ,  G01N2201/06113

Abstract: SERS单元(1A)包括：基板(4)；光学功能部(10)，其形成于基板(4)上，且产生表面增强拉曼散射；及封装体(20A)，其将光学功能部(10)收纳于不活泼的空间(S)中，且使空间(S)不可逆地开放。

公开(公告)号：CN104508467B

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201380041032.X

申请日：2013-08-09

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 丸山芳弘 ,  柴山胜己 ,  伊藤将师 ,  广畑彻 ,  龟井宏记

IPC: G01N21/65 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: G01N21/658 ,  B82Y40/00 ,  G01N2201/068

Abstract: SERS元件(3)包括：基板(4)；细微结构部(7)，其形成于基板(4)的表面(4a)，且具有多个柱(11)；及导电体层(6)，其形成于细微结构部(7)上，且构成产生表面增强拉曼散射的光学功能部(10)。导电体层(6)具有以沿着基板(4)的表面(4a)的方式形成的基底部、及在与各柱(11)对应的位置自基底部突出的多个突出部。在导电体层(6)，通过基底部与突出部，形成有柱(11)突出的方向上的间隔递减的多个间隙(G)。

公开(公告)号：CN106716111A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201580048494.3

申请日：2015-09-08

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 大山泰生 ,  柴山胜己 ,  伊藤将师 ,  大藤和人 ,  丸山芳弘

IPC: G01N21/65

CPC classification number: G01N21/658 ,  G01N2021/651

Abstract: 表面增强拉曼散射单元具备：表面增强拉曼散射元件，具有使表面增强拉曼散射产生的光学功能部；支撑构件，支撑所述表面增强拉曼散射元件。所述表面增强拉曼散射元件通过磁力而被固定于所述支撑构件。

公开(公告)号：CN104870981A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201480003691.9

申请日：2014-02-07

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 伊藤将师 ,  柴山胜己 ,  大藤和人 ,  大山泰生 ,  丸山芳弘

IPC: G01N21/65 ,  G01N21/03

CPC classification number: G01N21/658

Abstract: SERS单元(1A)具备：SERS元件(2)，其具有基板、以及形成在基板上且产生表面增强拉曼散射的光学功能部(20)；测定用基板(3)，其在测定时支撑SERS元件(2)；以及保持部(4)，其将SERS元件(2)机械性地保持于测定用基板(3)。

公开(公告)号：CN104520696A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201380042452.X

申请日：2013-08-09

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 柴山胜己 ,  伊藤将师 ,  能野隆文 ,  广瀬真树 ,  吉田杏奈 ,  大藤和人 ,  丸山芳弘 ,  笠原隆 ,  川合敏光 ,  广畑彻 ,  龟井宏记 ,  大山泰生

IPC: G01N21/65 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: G01N21/658 ,  B82Y40/00 ,  G01N21/03 ,  G01N2021/651

Abstract: 本发明表面增强拉曼散射元件(SERS)2具备：基板21，其具有表面21a；细微结构部24，其形成于表面21a上并具有多个柱脚27；导电体层23，其形成于细微结构部24上并构成产生表面增强拉曼散射的光学功能部20。导电体层23具有以沿着表面21a的形式形成的基底部28、在对应于各个柱脚27的位置上从基底部28突出的多个突出部29。基底部28的厚度大于柱脚27的高度。

公开(公告)号：CN104508468A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201380041034.9

申请日：2013-08-09

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 丸山芳弘 ,  柴山胜己 ,  伊藤将师 ,  广畑彻 ,  龟井宏记

IPC: G01N21/65 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: G01N21/658 ,  B82Y40/00 ,  G01N21/03 ,  G01N2201/068

Abstract: SERS元件(3)包括：基板(4)；细微结构部(7)，其形成于基板(4)的表面(4a)，且具有多个柱(11)；及导电体层(6)，其形成于细微结构部(7)上，且构成产生表面增强拉曼散射的光学功能部(10)。导电体层(6)具有以沿着基板(4)的表面(4a)的方式形成的基底部、及在与各柱(11)对应的位置自基底部突出的多个突出部。在导电体层(6)，通过基底部与突出部，形成有与柱(11)突出的方向垂直的方向上的间隔递减的多个间隙(G)。