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公开(公告)号：CN104867532B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510163327.5
申请日：2015-04-08
Applicant: 浙江理工大学
Inventor： 冯智 , 董文钧 , 陈旭
IPC: H01B1/08 , H01B13/00
Abstract: 本发明公开一种密致四面体颗粒In2O3的导电薄膜及其制备方法，该材料是在抛光过的Ti板表面，通过磁控溅射技术制备出大面积的密致韧性，平整有序的In2O3导电薄膜；该薄膜材料具有良好的导电性能、光透过率与力学特性，可作为新型的导电薄膜或薄膜生物传感器等器件进行大批量生产。
