一种中空纳米立方体In2S3/CoS2@NC复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117747799A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202410006570.5

    申请日:2024-01-03

    Abstract: 本发明涉及新一代能源材料领域,特别是涉及一种中空纳米立方体In2S3/CoS2@NC复合材料及其制备方法和应用。包括:将六水硝酸钴、2‑甲基咪唑和十六烷基三甲基溴化铵混合,得到混合液;将混合液在室温下搅拌后进行离心、干燥,得到ZIF‑67前驱体等。本发明在ZIF‑67中引入了In3+离子,在晶体中形成了缺陷和构筑了中空结构,再通过后续的硫化形成了CoS2、In2S3异质结构,提升了负极材料电子迁移率,进而增强导电性和反应动力学,制备得到的中空纳米立方体In2S3/CoS2@NC负极材料比容量高,具有良好的倍率性能和循环稳定性,特别适用于制造钠离子电池负极。

    一种V3Se4/SnSe复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116768165A

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202310723971.8

    申请日:2023-06-19

    Abstract: 本发明提供了一种V3Se4/SnSe复合材料及其制备方法和应用,涉及新一代能源材料领域。包括:将氯化钒、五水合氯化锡、甘油、异丙醇和十六烷基三甲基溴化铵混合,得到混合液;将混合液进行溶剂热反应,得到反应产物,将所述反应产物洗涤、干燥,得到V3O4/SnO前驱体;将V3O4/SnO前驱体与硒粉混合后进行硒化反应,得到V3Se4/SnSe复合材料。本发明在V3Se4中引入SnSe构筑异质结构,提升负极材料电子迁移率,进而增强导电性和反应动力学,制备得到的V3Se4/SnSe负极材料比容量高,具有良好的倍率性能和循环稳定性,特别适用于制造钠离子电池负极。

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