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公开(公告)号：CN112928185B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202110185158.0
申请日：2021-02-10
Applicant: 浙江工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/068 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种硅表面钝化层的制备方法，所述方法为：将硅片清洗除杂后，浸入体积浓度10％HF水溶液中；再在N2环境下进行烘烤干燥，获得干燥后的硅片；将干燥后的硅片浸入体积浓度10‑50％HF水溶液中进行表面基团处理，去离子水清洗，获得F基化的硅片；将F基化的硅片放入原子层沉积设备中，在60‑180℃下交替通入TiCl4和H2O，重复循环，在硅片正反表面制备TiOx薄膜层，即为钝化层。本发明实现了高少数载流子寿命的硅表面钝化，避免了传统钝化膜制备中的高温工艺，制备的TiOx钝化硅片少子寿命可直接达到1.5‑1.8ms，较目前已报道的经退火TiOx钝化膜的少子寿命提升约30％。
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公开(公告)号：CN112928185A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110185158.0
申请日：2021-02-10
Applicant: 浙江工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/068 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种硅表面钝化层的制备方法，所述方法为：将硅片清洗除杂后，浸入体积浓度10％HF水溶液中；再在N2环境下进行烘烤干燥，获得干燥后的硅片；将干燥后的硅片浸入体积浓度10‑50％HF水溶液中进行表面基团处理，去离子水清洗，获得F基化的硅片；将F基化的硅片放入原子层沉积设备中，在60‑180℃下交替通入TiCl4和H2O，重复循环，在硅片正反表面制备TiOx薄膜层，即为钝化层。本发明实现了高少数载流子寿命的硅表面钝化，避免了传统钝化膜制备中的高温工艺，制备的TiOx钝化硅片少子寿命可直接达到1.5‑1.8ms，较目前已报道的经退火TiOx钝化膜的少子寿命提升约30％。
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公开(公告)号：CN111983009A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010795261.2
申请日：2020-08-10
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 本发明公开了基于SERF磁力仪的病毒浓度检测装置。现有的检测方法检测周期长、操作复杂。本发明包括磁屏蔽箱、支架、微通道构件、SERF磁力仪、注射泵、回收瓶。支架中支杆的悬空端上下两侧分别设置有构件卡槽和探头卡槽，由信号采集孔伸入磁屏蔽箱内。微通道构件本体内开有微通道，微通道两端开口分别连接有进、出口插接件。微通道构件设置在构件卡槽内，SERF探头设置在探头卡槽内；注射泵、回收瓶、SERF磁信号采集设备设置在磁屏蔽箱外；注射泵与进口插接件连接，回收瓶与出口插接件连接，SERF探头与SERF磁信号采集设备连接。本发明检测速度快、应用范围广、探测灵敏度高，适用于公共空间中病毒浓度的检测。
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公开(公告)号：CN212904658U
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202021644881.8
申请日：2020-08-10
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于SERF磁力仪的病毒浓度检测装置。现有检测方法检测周期长、操作复杂。本实用新型包括磁屏蔽箱、支架、微通道构件、SERF磁力仪、注射泵、回收瓶。支架中支杆的悬空端上下两侧分别设置有构件卡槽和探头卡槽，由信号采集孔伸入磁屏蔽箱内。微通道构件本体内开有微通道，微通道两端开口分别连接有进、出口插接件。微通道构件设置在构件卡槽内，SERF探头设置在探头卡槽内；注射泵、回收瓶、SERF磁信号采集设备设置在磁屏蔽箱外；注射泵与进口插接件连接，回收瓶与出口插接件连接，SERF探头与磁信号采集设备连接。本实用新型检测速度快、应用范围广、探测灵敏度高，适用于公共空间中病毒浓度的检测。
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