公开(公告)号：CN116312881A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310129079.7

申请日：2023-02-13

Applicant: 浙江工业大学

Inventor： 王垚 ,  雷珍珍 ,  华陈强 ,  张金森 ,  王骏铖 ,  佴建威 ,  刘育京 ,  罗剑敏 ,  刘铁峰 ,  陶新永

IPC: G16C60/00 ,  H10N50/00 ,  H10N50/85

Abstract: 本发明涉及低维磁电器件技术领域，提出一种利用二维材料层间滑移实现电控磁性的普适方法，该方法通过将具有面外垂直方向电极化的二维铁电材料和低维磁性材料组合构建异质结器件，对其结构进行充分优化，计算不同堆垛方式下的磁各向异性能，最终利用二维铁电材料层间滑移翻转电极化方向，实现磁各向异性能的调控，达到电控磁性的目的，本发明有望为实现纳米级多功能自旋电子器件提供有效途径。