公开(公告)号：CN117423748A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311664516.1

申请日：2023-12-06

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 许凯 ,  蔡豪 ,  黄贇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/49

Abstract: 一种多栅氧化双功函数的超结横向扩散金属氧化物半导体，主要包括硅衬底、P类Drift浓度掺杂区、超结漂移区、源区、栅极、漏区，将多栅氧化物双函数的栅极结合在超结结构的横向扩散金属氧化物半导体的导电沟道上形成新的结构，提高了器件整体的工作频率，与此同时，进一步降低了导电沟道的导通电阻产生影响，使得器件在超结漂移区具有较低的导通电阻，同时使得整个电流通路的电阻也进一步降低。

公开(公告)号：CN117438473A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202311664273.1

申请日：2023-12-06

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 许凯 ,  蔡豪 ,  黄贇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种新型N柱超结结构横向扩散金属氧化物半导体，主要包括硅衬底、P类Drift浓度掺杂区、高浓度掺杂的P型区、源区、漂移区、栅极、漏区，通过借助其高耐压特性，调整漂移区的PN结的布局，降低导通电阻产生影响，达成穿通超结结构使PN间隔能实现完全耗尽得作用，与此同时，通过调整N Drift柱已经将其包围的高浓度掺杂的P型区的横向长度调节击穿电压，还通过调整N Drift柱的数量或者同时调整N Drift柱和将其包围的高浓度掺杂的P型区的浓度来调整击穿电压和降低导通电阻，使得漂移区的电荷在雪崩击穿前完全耗尽。