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公开(公告)号：CN119510661A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411682523.9
申请日：2024-11-22
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种合成二氧化硅中微量氯离子的快速检测方法及其应用。合成二氧化硅中微量氯离子的快速检测方法包括清洗溶样罐、制备样品溶液、制备标准氯离子溶液、离子色谱法检测、分析测试结果和确定合成二氧化硅中氯离子含量等过程。本发明方法既防止氯离子和溶剂挥发同时不需要额外添加助溶剂，具有易操作、耗时短、测量精度高和含量测定准确等优点，为超高纯合成二氧化硅中氯离子浓度的测定提供了一种重要的样品处理和检测手段。
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公开(公告)号：CN119929812A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510064029.4
申请日：2025-01-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种两步法热处理白炭黑制备高纯度非晶石英砂的方法，包括步骤：S1，将白炭黑粉末在氢氟酸和盐酸的混合酸液中浸泡后取出固体并清洗、干燥，得到高纯白炭黑粉末；S2，将高纯白炭黑粉末压制成白炭黑块体；S3，预升温加热白炭黑块体，去除其中残留的水分、羟基基团和碳基杂质，得到除羟后的样品；S4，对除羟后的样品进行先高温再低温的两步法热处理，冷却得到高致密石英块；两步法热处理中，先高温指先加热到1200℃，再低温指加热到1200℃后无保温过程直接降温至1000～1100℃保温2～10h；S5，将高致密石英块破碎得到高纯度非晶石英砂。
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公开(公告)号：CN119873846A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510260950.6
申请日：2025-03-06
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: C01B33/18
Abstract: 本发明公开了一种合成二氧化硅中氯离子杂质的深度去除方法，包括：对SiO2凝胶进行一次或反复多次的加水‑超声分散形成溶胶‑负压旋蒸至凝胶的操作，得到洗涤后的SiO2凝胶；洗涤后的SiO2凝胶减压干燥，得到SiO2颗粒；取粒径0.2～0.45微米的SiO2颗粒于300～600℃煅烧除氯。本发明具有工艺简单、易操作、低成本和无污染等优点，且极大的降低了SiO2干燥过程对设备的腐蚀。经本发明方法得到的合成SiO2中氯含量最低值可达17.05ppm，满足多种领域应用。
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公开(公告)号：CN119390344A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411435774.7
申请日：2024-10-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: C03C1/02
Abstract: 本发明公开了一种白炭黑制备高纯合成石英砂的方法。该方法包括步骤：S1，将白炭黑在氢氟酸和盐酸的混合酸液中浸泡后取出固体并清洗、干燥，得到高纯SiO2粉末；S2，高温处理高纯SiO2粉末，去除其中残留的水分和羟基基团；S3，将步骤S2处理产物破碎成粉末后压制成块体；S4，将步骤S3得到的块体经两步煅烧法进行致密化热处理，首先加热到较低温度t1保温较短时间，然后升温至较高温度t2保温较长时间，冷却后得到高致密石英块；t1选自1100～1200℃，t1保温时间为1～2h；t2选自1300～1500℃，t2保温时间为2～10h；S5，将高致密石英块破碎，得到高致密度的高纯石英砂。
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公开(公告)号：CN119331264A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411540848.3
申请日：2024-10-31
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种适用于低温甲烷吸附储存的芘基金属有机框架材料Cr‑TBPP‑MOF及其制备方法和在低温甲烷吸附中的应用。本发明制备方法首先以1,3,6,8‑四溴芘为原材料在特定且合适的条件下合成八连接芘基配体H8TBPP，再与Cr3金属团簇在特定且合适的条件下制备高孔隙率金属有机框架材料Cr‑TBPP‑MOF。本发明合成和制备方法操作简易，成本较低，适用于高效的低温甲烷吸附与存储。
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