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公开(公告)号：CN109860169A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910226402.6
申请日：2019-03-25
Applicant: 浙江大学昆山创新中心
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种新型可控硅，包括：衬底，所述衬底上沿其长度方向设置有N阱和P阱；所述N阱上沿衬底的宽度方向依次设置有第一P+注入区和第一N+注入区；所述P阱上沿衬底的宽度方向依次设置有第二P+注入区和第二N+注入区；所述第一P+注入区和第二N+注入区分别接入阳极和阴极，所述第一N+注入区和第二P+注入区通过金属线相连；所述第一P+注入区、第一N+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区之间均通过第一隔离槽分隔开；所述第一P+注入区和第一N+注入区与N阱的边缘之间通过第二隔离槽分隔开，所述第二P+注入区和第二N+注入区与P阱的边缘之间通过第三隔离槽分隔开。本发明不仅节省了版图面积，提高了面积效率，还具有提高可控硅结构维持电压的作用。
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公开(公告)号：CN109860169B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201910226402.6
申请日：2019-03-25
Applicant: 浙江大学昆山创新中心
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种新型可控硅，包括：衬底，所述衬底上沿其长度方向设置有N阱和P阱；所述N阱上沿衬底的宽度方向依次设置有第一P+注入区和第一N+注入区；所述P阱上沿衬底的宽度方向依次设置有第二P+注入区和第二N+注入区；所述第一P+注入区和第二N+注入区分别接入阳极和阴极，所述第一N+注入区和第二P+注入区通过金属线相连；所述第一P+注入区、第一N+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区之间均通过第一隔离槽分隔开；所述第一P+注入区和第一N+注入区与N阱的边缘之间通过第二隔离槽分隔开，所述第二P+注入区和第二N+注入区与P阱的边缘之间通过第三隔离槽分隔开。本发明不仅节省了版图面积，提高了面积效率，还具有提高可控硅结构维持电压的作用。
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公开(公告)号：CN109166850A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811171997.1
申请日：2018-10-09
Applicant: 浙江大学昆山创新中心
Abstract: 本发明公开了一种集成电路静电防护的二极管触发可控硅，包括第一衬底，第一衬底上设置有依次连接的第一N阱、第一P阱和第二N阱，第一N阱上设置有第一P+注入区和第一N+注入区，第一P+注入区接入电学阳极，第一P阱上设置有第二P+注入区和第二N+注入区，第二P+注入区连接第一N+注入区，第二N阱上设置有第三N+注入区，第三N+注入区和第二N+注入区均接入电学阴极。本发明触发电压小，鲁棒性高，导通电阻小，可以对集成电路进行有效的ESD防护。
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公开(公告)号：CN209461458U
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201920379728.8
申请日：2019-03-25
Applicant: 浙江大学昆山创新中心
IPC: H01L27/02
Abstract: 本实用新型公开了一种新型可控硅，包括：衬底，所述衬底上沿其长度方向设置有N阱和P阱；所述N阱上沿衬底的宽度方向依次设置有第一P+注入区和第一N+注入区；所述P阱上沿衬底的宽度方向依次设置有第二P+注入区和第二N+注入区；所述第一P+注入区和第二N+注入区分别接入阳极和阴极，所述第一N+注入区和第二P+注入区通过金属线相连；所述第一P+注入区、第一N+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区之间均通过第一隔离槽分隔开；所述第一P+注入区和第一N+注入区与N阱的边缘之间通过第二隔离槽分隔开，所述第二P+注入区和第二N+注入区与P阱的边缘之间通过第三隔离槽分隔开。本实用新型不仅节省了版图面积，提高了面积效率，还具有提高可控硅结构维持电压的作用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208848907U
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201821632602.9
申请日：2018-10-09
Applicant: 浙江大学昆山创新中心
Abstract: 本实用新型公开了一种集成电路静电防护的二极管触发可控硅，包括第一衬底，第一衬底上设置有依次连接的第一N阱、第一P阱和第二N阱，第一N阱上设置有第一P+注入区和第一N+注入区，第一P+注入区接入电学阳极，第一P阱上设置有第二P+注入区和第二N+注入区，第二P+注入区连接第一N+注入区，第二N阱上设置有第三N+注入区，第三N+注入区和第二N+注入区均接入电学阴极。本实用新型触发电压小，鲁棒性高，导通电阻小，可以对集成电路进行有效的ESD防护。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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