公开(公告)号：CN116846545A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202211668323.9

申请日：2022-12-23

Applicant: 浙江大学

Inventor： 陈泽亮 ,  张培勇

IPC: H04L9/08 ,  H04L9/32 ,  G06F3/06 ,  G06F21/73 ,  G11C29/56

Abstract: 本发明涉及物理不可克隆函数技术领域，公开了一种基于数据残留时间的SRAM‑PUF预选方法，包括：设置SRAM单元断电时间扫描步长、扫描总时长，获取每个断电扫描节点中所有偏‘1’和偏‘0’俩类SRAM单元的上电信息，获取俩类SRAM单元的数据残留时间，设置SRAM‑PUF响应长度以及是否进行SRAM单元分块操作，如果不进行SRAM单元分块，则从俩类SRAM单元的数据残留时间中筛选出SRAM‑PUF响应长度的SRAM单元下标，剩余SRAM单元成为掩码位；如果进行SRAM单元分块，则根据SRAM‑PUF响应长度将SRAM单元进行阵列分块，从SRAM单元分块中筛出偏向性强度最大的分块并从中筛出SRAM‑PUF响应长度的SRAM单元下标，此分块内剩余SRAM单元成为掩码位，根据SRAM单元下标生成SRAM‑PUF响应。具有稳定性、随机性高，测试及算法简单的特点。