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公开(公告)号：CN104616833B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510013871.1
申请日：2015-01-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积制备银纳米线透明电极的方法及银纳米线透明电极，取适量银纳米线溶液，用离心机分离出银纳米线和溶剂，去除溶剂后，将底部银纳米线掺于光刻胶中，震荡直至银纳米线均匀分散其中，形成银纳米线-光刻胶悬浊液；将该悬浊液均匀旋涂到洁净的透明基底上，形成银纳米线-光刻胶薄膜；将旋涂有银纳米线-光刻胶薄膜的透明基底浸入去胶溶液中去除表面光刻胶；取出透明基底，待其表面溶液挥发后，银纳米线留在透明基底上形成均匀的银纳米线网络，即银纳米线透明电极。该银纳米线透明电极具有优异的导电性、透过率和均匀性；该方法与基底面积和基底表面形状无关，与滴胶的量也无严格关系，重复性和可靠性高，适合大面积批量生产。
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公开(公告)号：CN106653914B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201611196019.3
申请日：2016-12-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/052 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种超薄太阳光加热器及制备方法。超薄太阳光加热器包括金属基底、金属碗状纳米结构、损耗介质薄膜和无损耗介质薄膜；金属基底表面制备金属碗状纳米结构，其上均匀覆盖一层超薄损耗介质薄膜，无损耗介质薄膜均匀覆盖在超薄损耗介质薄膜上。本发明利用金属与损耗介质之间的相位差在超薄损耗介质内引入的强光干涉效应，同时基于金属碗状纳米结构增强超薄损耗介质吸收，并利用顶层无损耗介质薄膜拓展其吸收带宽，而长波段吸收/辐射并未增加，可获得的平衡温度高；可灵活调控吸收带宽及截止波长，并对光谱进行选择性调控；基于自组装方法生成单层密集排布的纳米小球阵列，易于实现大面积样品的制备，成本低廉。
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公开(公告)号：CN104616833A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510013871.1
申请日：2015-01-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积制备银纳米线透明电极的方法及银纳米线透明电极，取适量银纳米线溶液，用离心机分离出银纳米线和溶剂，去除溶剂后，将底部银纳米线掺于光刻胶中，震荡直至银纳米线均匀分散其中，形成银纳米线-光刻胶悬浊液；将该悬浊液均匀旋涂到洁净的透明基底上，形成银纳米线-光刻胶薄膜；将旋涂有银纳米线-光刻胶薄膜的透明基底浸入去胶溶液中去除表面光刻胶；取出透明基底，待其表面溶液挥发后，银纳米线留在透明基底上形成均匀的银纳米线网络，即银纳米线透明电极。该银纳米线透明电极具有优异的导电性、透过率和均匀性；该方法与基底面积和基底表面形状无关，与滴胶的量也无严格关系，重复性和可靠性高，适合大面积批量生产。
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公开(公告)号：CN106653914A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611196019.3
申请日：2016-12-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/052 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0525 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种超薄太阳光加热器及制备方法。超薄太阳光加热器包括金属基底、金属碗状纳米结构、损耗介质薄膜和无损耗介质薄膜；金属基底表面制备金属碗状纳米结构，其上均匀覆盖一层超薄损耗介质薄膜，无损耗介质薄膜均匀覆盖在超薄损耗介质薄膜上。本发明利用金属与损耗介质之间的相位差在超薄损耗介质内引入的强光干涉效应，同时基于金属碗状纳米结构增强超薄损耗介质吸收，并利用顶层无损耗介质薄膜拓展其吸收带宽，而长波段吸收/辐射并未增加，可获得的平衡温度高；可灵活调控吸收带宽及截止波长，并对光谱进行选择性调控；基于自组装方法生成单层密集排布的纳米小球阵列，易于实现大面积样品的制备，成本低廉。
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