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公开(公告)号：CN113219586A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110365873.2
申请日：2021-04-06
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种光栅型广角耦合器，从底层到顶层依次包括衬底层、绝缘层、波导层，其中波导层设有光栅耦合区，所述的光栅耦合区为刻深相同、宽度随机非均匀的光栅线条结构；所述光栅线条结构的优化步骤如下：１）将光栅耦合区划分为一串等高等宽的独立小方块；２）随机产生若干组初始光栅耦合器；３）计算初始光栅耦合器在空气中形成的远场场强分布；４）计算目标函数FOM；５）FOM符合要求或优化次数已到则结束；否则选取较优的解产生新的光栅耦合器，及若干组随机初始光栅耦合器进入步骤３）继续执行优化步骤。本发明具有对耦合角度不敏感的特性，可将不同传播角度的空间光信号直接耦合进平面光波导或光纤中，所优化出的结构，简单易制备。
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公开(公告)号：CN118624585A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202411114752.0
申请日：2024-08-14
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种超宽带表面增强拉曼散射芯片及应用，从底层到顶层依次包括衬底层、表面增强层；其中表面增强层设有金属周期微纳结构阵列，所述金属周期微纳结构阵列由周期性分布的独立金属方块单元组成，所述方块单元为具有厚度的菱形或正方形结构，相邻结构之间顶角相对，形成链式结构。本发明具有超宽带SERS增强特性，能在超宽的带宽范围内保持着增强热点位置不变，且持续保持着高于10^5的SERS增强系数，甚至能达到10^8的级别；其增强带宽可以达到微米级别，甚至10微米的级别，且对折射率环境变化鲁棒性高；对于物质的拉曼光谱分析检测，特别是对于无标记的未知物质检测具备极高的实用价值，且结构简单易制备，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118624585B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411114752.0
申请日：2024-08-14
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种超宽带表面增强拉曼散射芯片及应用，从底层到顶层依次包括衬底层、表面增强层；其中表面增强层设有金属周期微纳结构阵列，所述金属周期微纳结构阵列由周期性分布的独立金属方块单元组成，所述方块单元为具有厚度的菱形或正方形结构，相邻结构之间顶角相对，形成链式结构。本发明具有超宽带SERS增强特性，能在超宽的带宽范围内保持着增强热点位置不变，且持续保持着高于10^5的SERS增强系数，甚至能达到10^8的级别；其增强带宽可以达到微米级别，甚至10微米的级别，且对折射率环境变化鲁棒性高；对于物质的拉曼光谱分析检测，特别是对于无标记的未知物质检测具备极高的实用价值，且结构简单易制备，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN113219586B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202110365873.2
申请日：2021-04-06
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种光栅型广角耦合器，从底层到顶层依次包括衬底层、绝缘层、波导层，其中波导层设有光栅耦合区，所述的光栅耦合区为刻深相同、宽度随机非均匀的光栅线条结构；所述光栅线条结构的优化步骤如下：１）将光栅耦合区划分为一串等高等宽的独立小方块；２）随机产生若干组初始光栅耦合器；３）计算初始光栅耦合器在空气中形成的远场场强分布；４）计算目标函数FOM；５）FOM符合要求或优化次数已到则结束；否则选取较优的解产生新的光栅耦合器，及若干组随机初始光栅耦合器进入步骤３）继续执行优化步骤。本发明具有对耦合角度不敏感的特性，可将不同传播角度的空间光信号直接耦合进平面光波导或光纤中，所优化出的结构，简单易制备。
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