公开(公告)号：CN116249437A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202211737930.6

申请日：2022-12-31

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 许凯 ,  胡加杨 ,  张亦舒 ,  俞滨

IPC: H10N70/20

Abstract: 本申请涉及半导体器件领域，特别是涉及一种忆阻器及其制备方法。本发明提供的忆阻器采用上层一维纳米阵列、忆阻器介质层、下层一维纳米阵列的结构，将忆阻器的有效工作区域被限定在上层一维纳米阵列和下层一维纳米阵列之间的交叉区域，实现具有固定数量、位置均匀分布的导电细丝的忆阻器；交叉区域形成的单个忆阻器的工作区域定义至纳米量级，使得单个忆阻器工作时形成的导电细丝实现单根且同根的生长和断裂，降低了导电细丝生长引入的随机性，从而限制导电细丝生长的位置、数量和直径，进而得到均匀分布、工作稳定的导电细丝，提升忆阻器的均一性和稳定性，便于未来在大规模存储阵列或者神经形态计算中的制备和应用。

公开(公告)号：CN115605021A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211266716.7

申请日：2022-10-17

Applicant: 浙江大学(CN)

Inventor： 陈安哲 ,  俞滨 ,  张亦舒 ,  李菡茜 ,  胡加杨

IPC: H10B12/00 ,  G06N3/065

Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，特别涉及了一种兴奋‑抑制神经形态晶体管、制作方法及工作方法。本发明使用金属‑栅极电介质‑惰性电极构成易失性忆阻器，将易失性忆阻器和场效应管通过惰性电极耦合在一起，可以低成本的完成兴奋‑抑制神经形态晶体管器件的构建，总体形成一个结构紧凑的、可用于同时接受兴奋、抑制输入调控功能的兴奋‑抑制神经形态晶体管。本发明还包括具有多个漏极的兴奋‑抑制神经形态晶体管，可实现同时接受多端兴奋性刺激输入的调控。本发明所涉及的沟道层与惰性电极分别采用二维材料，实现对器件尺寸的极限缩微，使得兴奋‑抑制神经形态晶体管结构紧凑，具有强缩微性，同时降低器件的功耗。

公开(公告)号：CN115605021B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202211266716.7

申请日：2022-10-17

Applicant: 浙江大学

Inventor： 陈安哲 ,  俞滨 ,  张亦舒 ,  李菡茜 ,  胡加杨

IPC: H10B12/00 ,  G06N3/065

Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，特别涉及了一种兴奋‑抑制神经形态晶体管、制作方法及工作方法。本发明使用金属‑栅极电介质‑惰性电极构成易失性忆阻器，将易失性忆阻器和场效应管通过惰性电极耦合在一起，可以低成本的完成兴奋‑抑制神经形态晶体管器件的构建，总体形成一个结构紧凑的、可用于同时接受兴奋、抑制输入调控功能的兴奋‑抑制神经形态晶体管。本发明还包括具有多个漏极的兴奋‑抑制神经形态晶体管，可实现同时接受多端兴奋性刺激输入的调控。本发明所涉及的沟道层与惰性电极分别采用二维材料，实现对器件尺寸的极限缩微，使得兴奋‑抑制神经形态晶体管结构紧凑，具有强缩微性，同时降低器件的功耗。

公开(公告)号：CN118968523A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202410998538.X

申请日：2024-07-24

Applicant: 浙江大学

Inventor： 俞滨 ,  黄诗曼 ,  陈安哲 ,  胡加杨 ,  周嘉超

IPC: G06V30/19 ,  G06V30/226 ,  G06F30/27 ,  G06N3/04 ,  G06N3/084 ,  G06N3/063 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明公开了一种基于随机阈值开关忆阻器的手写数字图像分类识别方法，包括：获取手写数字图像分类识别数据集，将手写数字图像灰度值归一化后展平为一维矩阵，构造对应数字图像原始通道的泊松编码器；构建手写数字图像分类识别脉冲神经网络，将泊松编码器通过突触连接至随机阈值开关忆阻器模型组成的神经元，由输出神经元输出对应于手写图像的识别结果；通过数据集对手写数字图像分类识别脉冲神经网络进行训练；将手写数字图像展平后输入训练好的手写数字图像分类识别脉冲神经网络，得到手写数字图像分类识别结果。本发明对于解决手写数字图像识别应用领域中与高性能、低能耗存算一体网络架构相关的一系列技术问题具有重要的实际应用价值。

公开(公告)号：CN118678875A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410708682.5

申请日：2024-06-03

Applicant: 浙江大学

Inventor： 俞滨 ,  胡加杨

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20

Abstract: 本发明公开了一种无亚阈值摆幅的阻变场效应晶体管及其制备方法。本发明将易失性阻变开关集成至晶体管的漏端，设计易失性阻变开关与沟道的电阻匹配关系，使得晶体管以近零摆幅的切换斜率从关态直接进入线性区/饱和区，亚阈值电流被抑制，开启电压增大至接近于工作电压，打破驱动系数的限制，实现无亚阈值切换行为，并具有大的开关比和超低关态电流。本发明公开的集成结构在满足电阻匹配的设计要求下，适配于多种沟道，实现小电压无亚阈值工作，且与CMOS工艺兼容，适用于大规模阵列和电路的设计及制备。