基于二维铁电材料的忆阻神经突触器件及调控方法

    公开(公告)号:CN115394920A

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202211076185.5

    申请日:2022-09-05

    Abstract: 本发明公开了基于二维铁电材料的忆阻神经突触器件及调控方法,器件由下至上依次包括衬底1、底电极2、功能层3、顶电极4。该功能层采用具有室温的面外铁电性的单晶二维原子晶体CuInP2S6。利用二维CuInP2S6的室温铁电性及高速的紫外光响应特性,该忆阻神经突触器件同时具有电激励和光激励的特性,且制作成本低、工艺简单,可同时用于深度学习、记忆神经的模拟和视觉系统的模拟,使得忆阻神经突触器件能够完成更加复杂的功能。

    一种低温微区极向磁光克尔效应测量装置及方法

    公开(公告)号:CN115291146A

    公开(公告)日:2022-11-04

    申请号:CN202211075597.7

    申请日:2022-09-05

    Abstract: 本发明公开了一种低温微区极向磁光克尔效应测量装置及方法。包括:入射光路单元、三维压电样品台及控制单元、反射光路单元、低温超导磁体单元和照明光路单元。它采用光弹调制的方法,系统实现简单,具有较高的信噪比。采用三维压电样品台可实现在不同温度条件下对磁性样品磁滞回线的测量,同时也可实现对磁性样品表面微区磁畴分布的观测,从测量的曲线中得出样品的矫顽场、磁化强度、磁各向异性、磁畴分布以及层间耦合等信息。

    基于准一维电荷密度波相变的类雪崩光电探测器

    公开(公告)号:CN117276393A

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202311196976.6

    申请日:2023-09-18

    Abstract: 本发明提供了一种基于准一维电荷密度波相变的类雪崩光电探测器,包括自下而上堆叠的基底,位于基底上的准一维电荷密度波材料层,准一维电荷密度波材料层两端的上表面设置的金属电极,金属电极与准一维电荷密度波材料层之间的接触为欧姆接触。本发明的一维电荷密度波材料由于层状结构的特点,剥离的薄片可以与不同的基底兼容或与其他材料杂化以实现更多的功能,由于其电荷密度波畴是沿着一维链分布,其可以实现稳定的探测性能。该探测器利用准一维电荷密度波的类雪崩相变特征,在宽波段区域实现了巨大的光响应度,在激光雷达、生物医疗和军事侦察等实际应用中具有巨大潜力。

    钆钍氧铁砷高温超导材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN101274845A

    公开(公告)日:2008-10-01

    申请号:CN200810062374.0

    申请日:2008-05-13

    Applicant: 浙江大学

    CPC classification number: Y02E40/64

    Abstract: 一种钆钍氧铁砷高温超导材料,属于ZrCuSiAs型结构,具有与超导体LaO1-yFyFeAs相同的晶体结构,本发明的钆钍氧铁砷高温超导材料,通式为:Gd1-xThxOFeAs,式中0.05≤X≤0.30,材料中各元素含量摩尔比Gd、Th、O、Fe、As为0.70~0.95∶0.3~0.05∶1∶1∶1。按各元素含量,原料经混合、研磨、压片、煅烧、快速冷却等步骤制得超导的多晶块体。本发明的超导材料,最高超导临界温度Tc达到56.5K,估算的上临界磁场Bc2超过100特斯拉,优于类似结构的LaO1-yFyFeAs超导体,在实际应用上具有明显的优势。

    钆钍氧铁砷高温超导材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN101274845B

    公开(公告)日:2010-12-01

    申请号:CN200810062374.0

    申请日:2008-05-13

    Applicant: 浙江大学

    CPC classification number: Y02E40/64

    Abstract: 一种钆钍氧铁砷高温超导材料,属于ZrCuSiAs型结构,具有与超导体LaO1-yFyFeAs相同的晶体结构,本发明的钆钍氧铁砷高温超导材料,通式为:Gd1-xThxOFeAs,式中0.05≤X≤0.30,材料中各元素含量摩尔比Gd、Th、O、Fe、As为0.70~0.95∶0.3~0.05∶1∶1∶1。按各元素含量,原料经混合、研磨、压片、煅烧、快速冷却等步骤制得超导的多晶块体。本发明的超导材料,最高超导临界温度Tc达到56.5K,估算的上临界磁场Bc2超过100特斯拉,优于类似结构的LaO1-yFyFeAs超导体,在实际应用上具有明显的优势。

    一种二维反铁电磁性隧道结
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115084357A

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN202210513490.X

    申请日:2022-05-12

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明提供了一种新型的二维反铁电磁性隧道结:AFMTJ,这种超薄的AFMTJ由两个磁性vdW电极FGT、和一个夹在两个磁性vdW电极FGT之间的单层CIPS组成。本发明还提供一种模拟构建所述二维反铁电磁性隧道结的方法,通过将FGT和CIPS在(001)方向进行切面,获得单层结构的FGT和CIPS,将单层FGT和单层CIPS进行扩胞堆叠形成二维反铁电磁性隧道结。该隧道结可以通过改变CIPS的极化,进而调控隧穿装置的性能,在非易失性存储方面具有很大的应用潜力。

    一种用于光学法在线水质检测的水路控制系统

    公开(公告)号:CN202471572U

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN201220038013.4

    申请日:2012-02-07

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本实用新型公开了一种用于光学法在线水质检测的水路控制系统,它包括水路系统和控制系统;水路系统包括水泵、电磁阀、用于水样沉淀、定量、混合用途的容器、水流管路及用于光学法检测用途的光学测量管路;控制系统包括工控机、数字输入输出USB模块和水泵、电磁阀。本实用新型的水路控制系统通过连接工控机的数字输入输出模块控制水泵、电磁阀的开关,以控制定量污水、定量清水进入光学测量管路,实现方便调整检测水样稀释配比的功能,同时具有自动清洗污水管路的功能。整个系统可自动连续运行,适用于光学法在线水质检测。

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