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公开(公告)号:CN107061611B
公开(公告)日:2018-04-27
申请号:CN201611178577.7
申请日:2016-12-19
Applicant: 浙江大学
IPC: F16F15/023 , F16F15/04 , G01B7/30 , G01B11/26 , F04B53/00
Abstract: 本发明公开了一种可衰减斜盘高频振动和测量斜盘角度的斜盘弹簧装置。固定弹簧座和可动弹簧座其中的一端面中心均设有凸台,固定弹簧座凸台面开有中心孔,可动弹簧座凸台同轴套接在固定弹簧座凸台的中心孔内,并在两个凸台套接后的外部设置弹簧,固定弹簧座另一端面中心开有中心通孔,中心通孔内安装有位移传感器探头,可动弹簧座另一端与斜盘连接。本发明解决了斜盘高频振动问题和传统斜盘角度测量机构过于复杂的问题,将斜盘振动衰减机构和斜盘角度测量机构集成在一起,即可高效衰减斜盘高频振动也可实时测量斜盘角度,机构简单可靠,角度测量精度高。
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公开(公告)号:CN107061611A
公开(公告)日:2017-08-18
申请号:CN201611178577.7
申请日:2016-12-19
Applicant: 浙江大学
IPC: F16F15/023 , F16F15/04 , G01B7/30 , G01B11/26 , F04B53/00
CPC classification number: F16F15/023 , F04B1/122 , F16F15/04 , G01B7/30 , G01B11/26
Abstract: 本发明公开了一种可衰减斜盘高频振动和测量斜盘角度的斜盘弹簧装置。固定弹簧座和可动弹簧座其中的一端面中心均设有凸台,固定弹簧座凸台面开有中心孔,可动弹簧座凸台同轴套接在固定弹簧座凸台的中心孔内,并在两个凸台套接后的外部设置弹簧,固定弹簧座另一端面中心开有中心通孔,中心通孔内安装有位移传感器探头,可动弹簧座另一端与斜盘连接。本发明解决了斜盘高频振动问题和传统斜盘角度测量机构过于复杂的问题,将斜盘振动衰减机构和斜盘角度测量机构集成在一起,即可高效衰减斜盘高频振动也可实时测量斜盘角度,机构简单可靠,角度测量精度高。
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公开(公告)号:CN105673987B
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201610115344.6
申请日:2016-03-01
Applicant: 浙江大学
IPC: F16L55/04
Abstract: 本发明公开了一种可调频率的流量脉动衰减器。包括壳体、脉动敏感机构、弹簧质量振动机构、质量调节机构和稳压机构,弹簧质量振动机构安装在壳体和脉动敏感机构之间,脉动敏感机构包含有稳压套筒,质量调节机构连接到弹簧质量振动机构调节其弹簧力,质量调节机构和脉动敏感机构上设有稳压机构;脉动敏感机构将脉动的流量信号转化为压力差信号,引起弹簧质量振动机构的振动响应,被吸收或释放以衰减压力差脉动和流量脉动;质量调节机构改变弹簧质量振动机构的衰减频率,稳压机构使液体质量部分的压力与系统压力平衡。本发明的脉动衰减器实现了衰减频率可调,使脉动衰减效果在较宽的频带内都能最大化,并且安装方便,结构小巧紧凑,适用于各种液体介质。
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公开(公告)号:CN104835716A
公开(公告)日:2015-08-12
申请号:CN201510118159.8
申请日:2015-03-18
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/02 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L21/02697 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/1884
Abstract: 本发明公开了一种基于Ir层间掺杂的透明导电氧化物薄膜,包括衬底,所述衬底上由下至上依次生长有下透明导电层、夹层和上透明导电层,所述的下透明导电层和上透明导电层为透明导电氧化物层,所述夹层为Ir层。本发明通过在传统TCO膜层中掺杂Ir薄膜的方式,增大了薄膜的载流子浓度,提高了载流子迁移率,改变了薄膜的光学性能,从而使得薄膜在近红外波段能够与介质匹配,产生等离子体共振,因此能够应用于近红外波段的光学器件领域。
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公开(公告)号:CN104370269A
公开(公告)日:2015-02-25
申请号:CN201410647763.5
申请日:2014-11-14
Applicant: 浙江大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种纳米柱阵列的制备方法,包括如下步骤:(1)在衬底上依次形成导电薄膜、SiO2薄膜、多孔氧化铝薄膜;(2)在多孔氧化铝薄膜的孔洞中填充金属;(3)去除多孔氧化铝薄膜,然后以金属作为保护膜除去无保护膜覆盖的导电薄膜和SiO2薄膜;(4)除去有保护膜覆盖的SiO2薄膜使保护膜与导电薄膜脱离,即在衬底上形成纳米柱阵列。本发明的利用多孔氧化铝薄膜的多孔结构,制备金属掩膜,进而能够一次制备包含多个纳米柱的阵列,能够一次性制备阵列,大大降低了制备时长,且制备工艺简单,成本低廉,有利于投入商业化生产。
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公开(公告)号:CN104033374A
公开(公告)日:2014-09-10
申请号:CN201410259805.8
申请日:2014-06-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种集成在柱塞泵壳体内的多自由度可调节压力脉动衰减器。柱塞泵壳体内,泵出口一侧设有第一盲孔,其安装有阻尼片,其上开有阻尼孔,第一盲孔内设有空腔,空腔经第一细管与液压泵出口连通,第一、第二、第三盲孔内的腔体分别为第一、第二、第三管道,柱塞泵壳体同一侧面开有第三、第二盲孔,第二、第三管道之间通过第二细管连通,第一、第三管道之间连通;第一、第二、第三盲孔通过各自螺堵和密封组件密封。本发明方便地集成在泵壳内,可根据工作环境和油液参数变化多自由度调整衰减器的工作频率范围,为主动压力脉动衰减器设计提供了依据;适用于安装空间受到严格限制的场合;并且加工安装方便,可靠性高,可长期无故障工作。
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公开(公告)号:CN106593853B
公开(公告)日:2018-05-08
申请号:CN201611179760.9
申请日:2016-12-19
Applicant: 浙江大学
IPC: F04B53/10
Abstract: 本发明公开了一种集成在柱塞泵内的压力脉动衰减装置。包括壳体与安装在壳体内的高压脉动机构和低压脉动机构,壳体的两端均开有通孔,一端通孔为脉动口,另一端通孔安装有端盖,端盖与壳体通孔通过螺纹紧固连接,端盖上开有油箱口,壳体内设有相互连接的高压脉动机构和低压脉动机构,高低油液经高压脉动机构和低压脉动机构后发生衰减。本发明能高效抑制柱塞泵过渡区流量倒灌现象,减小柱塞泵排油压力脉动,其脉动效果不会因为转速变化而影响;能集成在柱塞泵壳体内部,结构小巧紧凑,适用于各种液体介质。
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公开(公告)号:CN106704167A
公开(公告)日:2017-05-24
申请号:CN201611179746.9
申请日:2016-12-19
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种集成在柱塞泵内的可调衰减频率的压力脉动衰减装置。柱塞泵外设有套筒,套筒内固定有上、下带孔阻尼片,套筒内的空腔被上、下带孔阻尼片分割为排油缓冲腔、上缓冲腔和下缓冲腔,上缓冲腔处的套筒端口部连接有上调节螺母,下缓冲腔处的套筒端口部连接有下调节螺母;吸油槽和排油槽两端之间的配流盘上分别设有上、下死点阻尼孔,上、下死点阻尼孔分别经上、下细管与上、下缓冲腔连接相通,排油口经排油细管和排油缓冲腔连接相通。本发明能有效衰减柱塞泵的固有流量倒灌幅值,使泵高压排油压力的脉动幅值得到有效衰减,也实现了衰减频率可调;能集成在柱塞泵壳体中,适用于各类型的液压柱塞泵。
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公开(公告)号:CN106593853A
公开(公告)日:2017-04-26
申请号:CN201611179760.9
申请日:2016-12-19
Applicant: 浙江大学
IPC: F04B53/10
CPC classification number: F04B53/10
Abstract: 本发明公开了一种集成在柱塞泵内的压力脉动衰减装置。包括壳体与安装在壳体内的高压脉动机构和低压脉动机构,壳体的两端均开有通孔,一端通孔为脉动口,另一端通孔安装有端盖,端盖与壳体通孔通过螺纹紧固连接,端盖上开有油箱口,壳体内设有相互连接的高压脉动机构和低压脉动机构,高低油液经高压脉动机构和低压脉动机构后发生衰减。本发明能高效抑制柱塞泵过渡区流量倒灌现象,减小柱塞泵排油压力脉动,其脉动效果不会因为转速变化而影响;能集成在柱塞泵壳体内部,结构小巧紧凑,适用于各种液体介质。
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公开(公告)号:CN104409600A
公开(公告)日:2015-03-11
申请号:CN201410648043.0
申请日:2014-11-14
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/0075 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明公开了一种近红外发光器件及其制备方法,本发明的近红外发光器件包括具有锗量子点的硅片以及位于所述硅片上的纳米柱阵列,所述的纳米柱由透明导电材料制备得到。通过如下步骤制备:(1)在硅片上依次形成透明导电薄膜、SiO2薄膜、多孔氧化铝薄膜;(2)在多孔氧化铝薄膜的孔洞中填充金属;(3)去除多孔氧化铝薄膜,然后以金属作为保护膜除去无保护膜覆盖的透明导电薄膜和SiO2薄膜;(4)除去有保护膜覆盖的SiO2薄膜使保护膜与透明导电薄膜脱离,即在硅片上形成纳米柱阵列,进而得到近红外发光器件。本发明的近红外发光器件在硅片上设置纳米柱阵列,大大提高了发光效率,且制备工艺简单,成本低廉,易于实现商业化应用。
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