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公开(公告)号：CN118960986A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411442222.9
申请日：2024-10-16
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电致发光光谱的半导体温度测量方法与装置；所述方法为：达到热平衡后，施加不大于最大工作电流密度值5%的初始电流密度获得电致发光光谱；对满足要求的电致发光光谱数据进行非线性函数的最小二乘法拟合，计算温度修正系数#imgabs0#；在任意工作状态下，再次采集电致发光光谱，对满足要求的电致发光光谱数据进行非线性函数的最小二乘法拟合，并结合#imgabs1#，获得待测的半导体电致发光器件中半导体在目标电流密度下的温度。所述装置包括积分球、光纤和光谱仪。本发明采用非接触式测量方法，不受器件封装影响，提高了测量的准确性和可靠性。
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公开(公告)号：CN118960986B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411442222.9
申请日：2024-10-16
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电致发光光谱的半导体温度测量方法与装置；所述方法为：达到热平衡后，施加不大于最大工作电流密度值5%的初始电流密度获得电致发光光谱；对满足要求的电致发光光谱数据进行非线性函数的最小二乘法拟合，计算温度修正系数#imgabs0#；在任意工作状态下，再次采集电致发光光谱，对满足要求的电致发光光谱数据进行非线性函数的最小二乘法拟合，并结合#imgabs1#，获得待测的半导体电致发光器件中半导体在目标电流密度下的温度。所述装置包括积分球、光纤和光谱仪。本发明采用非接触式测量方法，不受器件封装影响，提高了测量的准确性和可靠性。
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