公开(公告)号：CN114790182A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210173521.1

申请日：2022-02-24

Applicant: 浙江大学

Inventor： 伍广朋 ,  陆新宇 ,  张瑞生

IPC: C07D303/16 ,  C07D303/48 ,  C07D301/14 ,  C08G63/00 ,  C08G64/34 ,  C08G65/22 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明公开了一种叔丁氧羰基保护的酸敏性环氧单体，化学式如式(1)～式(3)之一所示，R3为式A～式D之一，并公开了其合成方法，以及其制备叔丁氧羰基保护的酸敏性聚合物的应用。本发明提供的具有叔丁氧羰基保护的酸敏性的环氧单体可以对pH值，尤其是酸性环境进行响应，使其得到的聚合物材料具有刺激响应性。因此叔丁氧羰基保护的酸敏性聚合物可以用于化学放大光刻胶领域，从而赋予其更多的功能性和更高的附加值。

公开(公告)号：CN118480181A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410617113.X

申请日：2024-05-17

Applicant: 杭州师范大学 ,  浙江大学

Inventor： 邱化玉 ,  苗力 ,  伍广朋 ,  张瑞生 ,  何田 ,  吴连斌 ,  尹守春

IPC: C08G77/20 ,  C08G77/12 ,  C08G77/06 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明公开了一种用于电子束光刻的低聚倍半硅氧烷、组合物及其制备方法和应用，属于化工工程技术领域，该低聚倍半硅氧烷由–(HSiO1.5)–单元和–(R1SiO1.5)–单元组成，与常规HSQ树脂相比，该低聚倍半硅氧烷引入硅羟基，显著提升了涂层的图案形成能力和溶解性，通过引入卤素或不饱和键，增强了其作为抗蚀剂的交联性能和光刻敏感性，从而在电子束照射下实现更精细的图案转移。且本发明提供的包括所述的低聚倍半硅氧烷的组合物，通过光酸的引入大大延长了光刻胶树脂的产品存储周期，在半导体器件加工方面具有较好的应用前景。

公开(公告)号：CN114835659A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210173522.6

申请日：2022-02-24

Applicant: 浙江大学

Inventor： 伍广朋 ,  陆新宇 ,  张瑞生

IPC: C07D303/48 ,  C07D407/12 ,  C07D303/16 ,  C07D303/42 ,  C07D493/04 ,  C07D493/08 ,  C07F7/08 ,  C08G64/34 ,  C08G65/22 ,  C08G63/42 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明公开了一种酸敏性环氧单体，化学式如式(1)～式(3)之一所示，R3为式A～式C之一，并公开了其合成方法，以及制备酸敏性聚合物的应用。本发明提供的具有酸敏性的环氧单体可以对pH值，尤其是酸性环境进行响应，使其得到的聚合物材料具有刺激响应性。因此酸敏性聚合物可以用于化学放大光刻胶领域，从而赋予其更多的功能性和更高的附加值。