公开(公告)号：CN112641448A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202011504369.8

申请日：2020-12-18

Applicant: 浙江大学 ,  之江实验室

Inventor： 董树荣 ,  潘梦萍 ,  郭维 ,  潘嘉栋 ,  张弓远

IPC: A61B5/293

Abstract: 本发明公开一种柔性磁兼容的植入式脑电电极阵列，该电极为双面电极，以垂直于大脑皮层的方向被植入皮层内部；该电极包括六层，从下到上，依次为第一柔性封装层、第一金属电极层、第一柔性衬底层、第二柔性衬底层、第二金属电极层、第二柔性封装层；所有的柔性封装层和柔性衬底层选自生物相容性材料；所述第一金属电极层和第二金属电极层头部部分裸露，作为电极触点，尾部部分裸露，作为电极接口；位于所述头部和尾部的中间部分作为电极通道；整个电极的头部设置引导孔，辅助电极的植入。该脑电极阵列采用柔性微纳加工特殊方法制备。该脑电电极阵列采用双面电极阵列排布、易植入、柔性、记录信号质量高。

公开(公告)号：CN112641448B

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202011504369.8

申请日：2020-12-18

Applicant: 浙江大学 ,  之江实验室

Inventor： 董树荣 ,  潘梦萍 ,  郭维 ,  潘嘉栋 ,  张弓远

IPC: A61B5/293

Abstract: 本发明公开一种柔性磁兼容的植入式脑电电极阵列，该电极为双面电极，以垂直于大脑皮层的方向被植入皮层内部；该电极包括六层，从下到上，依次为第一柔性封装层、第一金属电极层、第一柔性衬底层、第二柔性衬底层、第二金属电极层、第二柔性封装层；所有的柔性封装层和柔性衬底层选自生物相容性材料；所述第一金属电极层和第二金属电极层头部部分裸露，作为电极触点，尾部部分裸露，作为电极接口；位于所述头部和尾部的中间部分作为电极通道；整个电极的头部设置引导孔，辅助电极的植入。该脑电极阵列采用柔性微纳加工特殊方法制备。该脑电电极阵列采用双面电极阵列排布、易植入、柔性、记录信号质量高。

公开(公告)号：CN119581996A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411592079.1

申请日：2024-11-08

Applicant: 浙江大学

Inventor： 杨宗银 ,  马志 ,  周朱荣 ,  张弓远 ,  崔浩 ,  王骁羽

IPC: H01S5/125 ,  H01S5/10 ,  H01S5/028

Abstract: 本发明公开了一种基于带隙渐变半导体纳米线的可调谐激光器，底层为布拉格反射镜，中间为支撑柱支撑起的空气层，顶层为镀银反射层，渐变纳米线放在底层布拉格反射镜上。底层的布拉格反射镜和顶层的镀银反射层，充当外部法布里‑波罗腔的两个发射镜，中间的空气层充当谐振腔体。本发明还提供了基于所述可调谐激光器的光谱调制系统，利用半导体纳米线的高光学增益，以及适当的外部法布里‑波罗腔设计，在外加激光泵浦半导体纳米线轴向不同位置时即可实现可调谐激光出射。