公开(公告)号：CN109867260A

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201910208280.8

申请日：2019-03-19

Applicant: 浙江大学

Inventor： 杨青 ,  庞陈雷 ,  张建培 ,  李竞曦 ,  汤明炜 ,  王伟 ,  刘旭

IPC: B81C1/00 ,  B81C99/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种在非导电衬底上进行电子束/离子束聚焦刻蚀及显微成像的方法，属于微纳加工领域，包括：1)设计光刻掩模版的形貌和尺寸；2)对非导电衬底进行光刻处理；3)在光刻处理后的非导电衬底上进行金属镀膜处理，形成金属带；4)对镀膜后的非导电衬底进行显影处理成为样品；5)对金属带进行接地处理；6)对样品进行抽真空处理；7)对样品的金属带进行聚焦处理，选择电子束流，待成像清晰后，调整样品台至待刻样品区域；8)导入或绘制所需刻蚀微纳结构的形貌，设置参数后对样品进行FIB或EBL刻蚀及成像。有效提升非导电衬底材料表面的局域导电性，实现电子束和离子束的稳定聚焦，从而实现对非导电材料表面的微纳刻蚀以及显微成像。

公开(公告)号：CN109867260B

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201910208280.8

申请日：2019-03-19

Applicant: 浙江大学

Inventor： 杨青 ,  庞陈雷 ,  张建培 ,  李竞曦 ,  汤明炜 ,  王伟 ,  刘旭

IPC: B81C1/00 ,  B81C99/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种在非导电衬底上进行电子束或离子束聚焦刻蚀及显微成像的方法，属于微纳加工领域，包括：1)设计光刻掩模版的形貌和尺寸；2)对非导电衬底进行光刻处理；3)在光刻处理后的非导电衬底上进行金属镀膜处理，形成金属带；4)对镀膜后的非导电衬底进行显影处理成为样品；5)对金属带进行接地处理；6)对样品进行抽真空处理；7)对样品的金属带进行聚焦处理，选择电子束流，待成像清晰后，调整样品台至待刻样品区域；8)导入或绘制所需刻蚀微纳结构的形貌，设置参数后对样品进行FIB或EBL刻蚀及成像。有效提升非导电衬底材料表面的局域导电性，实现电子束和离子束的稳定聚焦，从而实现对非导电材料表面的微纳刻蚀以及显微成像。