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公开(公告)号：CN102745678A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210240521.5
申请日：2012-07-12
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种利用等离子溅射制作掺氮石墨烯的方法，主要利用等离子溅射技术将氮元素精确掺杂嵌入石墨烯结构。本发明首先将反应基底依次在去离子水、丙酮和乙醇中分别超声清洗30分钟并用高纯气体吹干，然后将反应基底放入化学气相沉积装置中利用化学沉积方法在反应基底表层生长出单层或多层石墨烯薄膜，接着将生长完石墨烯的反应基底放入等离子体溅射装置并利用高压电离出的氮元素在真空环境中掺杂进入石墨烯结构，最后将反应基底完全腐蚀干净可以得到掺杂石墨烯。本发明提供的掺氮石墨烯制备方法操作方便，流程简单，可以广泛应用于工业化大规模生产，适用于太阳能电池、燃料电池等催化剂研究领域。
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公开(公告)号：CN102583352A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210052850.7
申请日：2012-03-02
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯薄膜的热转移方法。本发明首先利用化学气相沉积装置在铜箔表面生长出石墨烯薄膜，然后将铜箔一端固定反扣在目标基底边缘并平贴在其表面，接着将目标基底连同铜箔整齐放到支撑台上并慢慢推入热转印机滚轮，利用滚轮的压力和热量将铜箔一侧的石墨烯薄膜转移到目标基底上，最后固定铜箔活动端并静置冷却一段时间后取下铜箔，这样铜箔一侧表面的石墨烯薄膜被转移到目标基底上。本发明提供的石墨烯热转移方法，操作方便，工艺简单，整个操作过程没有有机介质的参与，可以向任何目标基底成功转移数十微米及以上尺寸的石墨烯薄膜，适用于石墨烯半导体器件开发及研究等领域。
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公开(公告)号：CN102759467B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201210229786.5
申请日：2012-07-02
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及一种制作多层石墨烯TEM样品的方法。本发明首先利用CVD装置在铜箔表面生长出石墨烯薄膜，并将转移介质旋涂在石墨烯表层；接着利用腐蚀溶液将铜箔完全腐蚀，并利用转移介质将石墨烯转移至附有碳膜的支撑网上；然后将结合体放置并漂浮在有机溶剂表面，注意转移介质一侧与有机溶剂紧密贴合；其次当转移介质被有机溶剂完全腐蚀后，结合体静置干燥一段时间，再将另一层附有石墨烯的转移介质均匀贴放在上述结合体表面；最后将结合体再次放置并漂浮在有机溶剂表面，重复以上操作过程，可以得到多层石墨烯的TEM样品。本发明制备出的多层石墨烯TEM样品可以精确控制其石墨烯薄膜层数。
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公开(公告)号：CN102583352B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201210052850.7
申请日：2012-03-02
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯薄膜的热转移方法。本发明首先利用化学气相沉积装置在铜箔表面生长出石墨烯薄膜，然后将铜箔一端固定反扣在目标基底边缘并平贴在其表面，接着将目标基底连同铜箔整齐放到支撑台上并慢慢推入热转印机滚轮，利用滚轮的压力和热量将铜箔一侧的石墨烯薄膜转移到目标基底上，最后固定铜箔活动端并静置冷却一段时间后取下铜箔，这样铜箔一侧表面的石墨烯薄膜被转移到目标基底上。本发明提供的石墨烯热转移方法，操作方便，工艺简单，整个操作过程没有有机介质的参与，可以向任何目标基底成功转移数十微米及以上尺寸的石墨烯薄膜，适用于石墨烯半导体器件开发及研究等领域。
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公开(公告)号：CN102728289A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210240596.3
申请日：2012-07-12
Applicant: 浙江大学
IPC: B01J13/02
Abstract: 本发明涉及一种二氧化锡-二氧化钛核壳结构纳米复合材料的制备方法，包括利用化学气相沉积法制备二氧化锡纳米线和利用原子气相沉积法在二氧化锡纳米线表面逐层包覆上金红石相的二氧化钛纳米结构。本发明首先利用化学气相沉积装置在已经喷涂上纳米金颗粒的硅片表面生长出二氧化锡纳米线；然后利用紫外处理装置在二氧化锡纳米线表面附着上羟基基团；最后将生长上二氧化锡纳米线的硅片放置在原子层沉积装置中，利用原子气相沉积法交替循环沉积上二氧化钛纳米结构和羟基基团形成二氧化锡-二氧化钛核壳纳米线结构。本发明具有操作流程简单，核壳结构厚度精确可控，尺寸分布均匀等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102745678B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210240521.5
申请日：2012-07-12
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种利用等离子溅射制作掺氮石墨烯的方法，主要利用等离子溅射技术将氮元素精确掺杂嵌入石墨烯结构。本发明首先将反应基底依次在去离子水、丙酮和乙醇中分别超声清洗30分钟并用高纯气体吹干，然后将反应基底放入化学气相沉积装置中利用化学沉积方法在反应基底表层生长出单层或多层石墨烯薄膜，接着将生长完石墨烯的反应基底放入等离子体溅射装置并利用高压电离出的氮元素在真空环境中掺杂进入石墨烯结构，最后将反应基底完全腐蚀干净可以得到掺杂石墨烯。本发明提供的掺氮石墨烯制备方法操作方便，流程简单，可以广泛应用于工业化大规模生产，适用于太阳能电池、燃料电池等催化剂研究领域。
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公开(公告)号：CN102728289B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210240596.3
申请日：2012-07-12
Applicant: 浙江大学
IPC: B01J13/02
Abstract: 本发明涉及一种二氧化锡-二氧化钛核壳结构纳米复合材料的制备方法，包括利用化学气相沉积法制备二氧化锡纳米线和利用原子气相沉积法在二氧化锡纳米线表面逐层包覆上金红石相的二氧化钛纳米结构。本发明首先利用化学气相沉积装置在已经喷涂上纳米金颗粒的硅片表面生长出二氧化锡纳米线；然后利用紫外处理装置在二氧化锡纳米线表面附着上羟基基团；最后将生长上二氧化锡纳米线的硅片放置在原子层沉积装置中，利用原子气相沉积法交替循环沉积上二氧化钛纳米结构和羟基基团形成二氧化锡-二氧化钛核壳纳米线结构。本发明具有操作流程简单，核壳结构厚度精确可控，尺寸分布均匀等优点。
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公开(公告)号：CN102616769A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210072029.1
申请日：2012-03-19
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种直接转移石墨烯薄膜的方法。目前从金属表面转移石墨烯薄膜十分不方便。本发明首先利用化学气相沉积法在铜箔上生长出石墨烯薄膜，然后利用氧等离子清洗器将铜箔一侧的石墨烯清除干净以得到单层石墨烯薄膜与铜箔的结合体，再将转移载体平贴在石墨烯薄膜表面并滴加适量有机溶剂以增加其间相互作用，接着利用腐蚀溶液将铜箔清除以得到单层石墨烯薄膜与转移载体的结合体，其次利用去离子水多次清洗石墨烯薄膜，最后利用滤纸清除石墨烯表层的去离子水。本发明方法避免了有机胶体等转移介质对石墨烯薄膜的破坏，可以得到100微米及以上尺寸的单层石墨烯薄膜，所需设备简单，产品尺寸可控，生产安全性高，容易实现工业化应用。
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公开(公告)号：CN102616769B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210072029.1
申请日：2012-03-19
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种直接转移石墨烯薄膜的方法。目前从金属表面转移石墨烯薄膜十分不方便。本发明首先利用化学气相沉积法在铜箔上生长出石墨烯薄膜，然后利用氧等离子清洗器将铜箔一侧的石墨烯清除干净以得到单层石墨烯薄膜与铜箔的结合体，再将转移载体平贴在石墨烯薄膜表面并滴加适量有机溶剂以增加其间相互作用，接着利用腐蚀溶液将铜箔清除以得到单层石墨烯薄膜与转移载体的结合体，其次利用去离子水多次清洗石墨烯薄膜，最后利用滤纸清除石墨烯表层的去离子水。本发明方法避免了有机胶体等转移介质对石墨烯薄膜的破坏，可以得到100微米及以上尺寸的单层石墨烯薄膜，所需设备简单，产品尺寸可控，生产安全性高，容易实现工业化应用。
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公开(公告)号：CN102759467A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210229786.5
申请日：2012-07-02
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及一种制作多层石墨烯TEM样品的方法。本发明首先利用CVD装置在铜箔表面生长出石墨烯薄膜，并将转移介质旋涂在石墨烯表层；接着利用腐蚀溶液将铜箔完全腐蚀，并利用转移介质将石墨烯转移至附有碳膜的支撑网上；然后将结合体放置并漂浮在有机溶剂表面，注意转移介质一侧与有机溶剂紧密贴合；其次当转移介质被有机溶剂完全腐蚀后，结合体静置干燥一段时间，再将另一层附有石墨烯的转移介质均匀贴放在上述结合体表面；最后将结合体再次放置并漂浮在有机溶剂表面，重复以上操作过程，可以得到多层石墨烯的TEM样品。本发明制备出的多层石墨烯TEM样品可以精确控制其石墨烯薄膜层数。
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