基于双色双步吸收效应的超分辨无掩膜曝光装置及方法

    公开(公告)号:CN119024652B

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411506951.6

    申请日:2024-10-28

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于双色双步吸收效应的超分辨无掩膜曝光装置及方法。本发明利用数字微镜器件,实现独立激光点开关的调控,调控速度可到kHz,为快速加工奠定基础。本发明充分利用数字微镜器件的大规模矩阵式像素,形成超百万点的激光直写作用点阵列,能够快速完成大面积复杂结构的刻写。本发明将数字微镜器件中的最小像素单元进一步通过微透镜阵列聚焦成更小的作用点,并利用双色双步吸收效应,实现超过衍射极限的高刻写分辨率。本发明可以快速特异性调控的激光点阵列,作用于材料上实现双色双步吸收效应,可以为快速、高精度、可实现大面积复杂结构直写的无掩膜曝光系统的实现提供必要技术基础。

    基于双色双步吸收效应的超分辨无掩膜曝光装置及方法

    公开(公告)号:CN119024652A

    公开(公告)日:2024-11-26

    申请号:CN202411506951.6

    申请日:2024-10-28

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于双色双步吸收效应的超分辨无掩膜曝光装置及方法。本发明利用数字微镜器件,实现独立激光点开关的调控,调控速度可到kHz,为快速加工奠定基础。本发明充分利用数字微镜器件的大规模矩阵式像素,形成超百万点的激光直写作用点阵列,能够快速完成大面积复杂结构的刻写。本发明将数字微镜器件中的最小像素单元进一步通过微透镜阵列聚焦成更小的作用点,并利用双色双步吸收效应,实现超过衍射极限的高刻写分辨率。本发明可以快速特异性调控的激光点阵列,作用于材料上实现双色双步吸收效应,可以为快速、高精度、可实现大面积复杂结构直写的无掩膜曝光系统的实现提供必要技术基础。

Patent Agency Ranking