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公开(公告)号：CN113466649B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202110732566.3
申请日：2021-06-29
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种判断浪涌电流测试中SiC MOSFET失效原因的方法，在电动机驱动器和并网系统等高功率变换器中，SiC功率MOSFET及其体二极管可能会遭受大浪涌电流的冲击，需要研究SiC功率MOSFET的浪涌电流能力和浪涌电流可靠性并判断其失效原因。对于浪涌电流测试中SiC MOSFET失效原因的判断主要借助于器件解封后的失效观察，缺乏与电学性能有关的判断方法。本发明对SiC MOSFET在正栅偏浪涌电流测试中可能存在的失效原因，提出了一种与电学性能相关的判断方法，能够根据浪涌电流测试中浪涌电压波形的变化规律判断SiC MOSFET的失效原因，通过比较最大浪涌电流能力验证器件的失效原因，避免了对器件进行解封观察，减少了工作量，有利于了解器件的失效过程，补充了SiC MOSFET的可靠性研究。
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公开(公告)号：CN111693839B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202010554935.X
申请日：2020-06-17
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种分辨SiC MOSFET在体二极管重复浪涌电流下退化原因的方法，通过单次浪涌电流实验确定SiC MOSFET体二极管的单次浪涌电流能力，测量SiC MOSFET的静态特性和动态特性，进行重复浪涌电流试验，比较浪涌电流实验后SiC MOSFET的静态特性、动态特性以及提取的参数的退化，分辨器件的退化原因，确定SiC MOSFET的退化原因中是否包含双极退化，比较体二极管特性以或体二极管压降的变化，确定SiC MOSFET的退化原因中是否包含封装退化，是否包含栅氧退化，比较小电流下的转移特性或阈值电压的变化，实现了退化原因的有效解耦，有利于了解器件的失效机理。
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公开(公告)号：CN119139531A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411163707.4
申请日：2024-08-23
Applicant: 浙江大学
IPC: A61L15/32 , A61F13/0246 , A61F13/00 , A61B5/00 , C12Q1/37 , A61L15/42 , A61L15/44 , A61L15/46 , A61L15/18
Abstract: 本发明公开了一种用于基质金属蛋白酶检测和给药的智能伤口敷料及应用。该智能伤口敷料包括生物敏感水凝胶、电极封装层、柔性叉指电极、器件封装层、信号传输天线、皮肤粘附层。所述生物敏感水凝胶用于对基质金属蛋白酶的生物识别和抗菌药物的搭载及控制释放，所述柔性叉指电极和信号传输天线通过焊接实现电气连接，用于数据的收集和传输。本发明通过生物敏感水凝胶和无线无源射频技术对伤口中基质金属蛋白酶的浓度进行动态检测，实时反映伤口炎症情况，并按需递送银纳米颗粒进行抑菌治疗，从而实现伤口的闭环管理，为慢性伤口提供了一种个性化的检测和治疗一体化平台。
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公开(公告)号：CN103409415B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310342873.6
申请日：2013-08-07
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种检测高抗多菌灵的禾谷镰孢菌株的引物及方法，所述引物的碱基序列为：正向引物：5’-TTG CAA TTG CAA ATT TCA ACG TG-3’；反向引物：5’-CGT TAT CGA TAC AGA AGG TAA-3’；或5’-CGT TAT CGA TAC AGA AGG TTA-3’。本发明提供了两组引物，通过任意一组引物进行PCR扩增，即可对表现为多菌灵高抗性的禾谷镰孢菌株进行检测，引物的特异性高，另外，本发明的方法可以快速准确的检测多菌灵高抗的禾谷镰孢菌株，整个流程仅需要该两个小时左右，快速准确。
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公开(公告)号：CN103409415A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310342873.6
申请日：2013-08-07
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种检测高抗多菌灵的禾谷镰孢菌株的引物及方法，所述引物的碱基序列为：正向引物：5’-TTG CAA TTG CAA ATT TCA ACG TG-3’；反向引物：5’-CGT TAT CGA TAC AGA AGG TAA-3’；或5’-CGT TAT CGA TAC AGA AGG TTA-3’。本发明提供了两组引物，通过任意一组引物进行PCR扩增，即可对表现为多菌灵高抗性的禾谷镰孢菌株进行检测，引物的特异性高，另外，本发明的方法可以快速准确的检测多菌灵高抗的禾谷镰孢菌株，整个流程仅需要该两个小时左右，快速准确。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103409533B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310355680.4
申请日：2013-08-15
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种检测禾谷镰孢多菌灵抗性相关点突变E198K出现频率的引物及方法，所述引物的碱基序列为：正向引物：5’-AGC TCG TCG AGA ACT CTG AAA-3’；反向引物：5’-GCA GCG GCC ATG ATG TTC TT-3’。本发明还公开了一种禾谷镰孢多菌灵抗性相关点突变E198K出现频率的检测方法。本发明的引物特异性强，本发明的检测方法可快速准确地掌握该突变类型在田间的出现频率和动态变化，为病害控制和抗药性治理提供技术支撑。
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公开(公告)号：CN103409533A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310355680.4
申请日：2013-08-15
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种检测禾谷镰孢多菌灵抗性相关点突变E198K出现频率的引物及方法，所述引物的碱基序列为：正向引物：5’-AGC TCG TCG AGA ACT CTG AAA-3’；反向引物：5’-GCA GCG GCC ATG ATG TTC TT-3’。本发明还公开了一种禾谷镰孢多菌灵抗性相关点突变E198K出现频率的检测方法。本发明的引物特异性强，本发明的检测方法可快速准确地掌握该突变类型在田间的出现频率和动态变化，为病害控制和抗药性治理提供技术支撑。
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公开(公告)号：CN111693839A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010554935.X
申请日：2020-06-17
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种分辨SiC MOSFET在体二极管重复浪涌电流下退化原因的方法，通过单次浪涌电流实验确定SiC MOSFET体二极管的单次浪涌电流能力，测量SiC MOSFET的静态特性和动态特性，进行重复浪涌电流试验，比较浪涌电流实验后SiC MOSFET的静态特性、动态特性以及提取的参数的退化，分辨器件的退化原因，确定SiC MOSFET的退化原因中是否包含双极退化，比较体二极管特性以或体二极管压降的变化，确定SiC MOSFET的退化原因中是否包含封装退化，是否包含栅氧退化，比较小电流下的转移特性或阈值电压的变化，实现了退化原因的有效解耦，有利于了解器件的失效机理。
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公开(公告)号：CN110907791A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911183818.0
申请日：2019-11-27
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种加速SiC MOSFET体二极管双极退化的功率循环方法，首先确定合适大小的重复浪涌电流，并进行常温下和高温下功率循环的温度评估。再对SiC MOSFET分立器件一的体二极管进行常温下重复浪涌电流功率循环试验，对同型号的SiC MOSFET分立器件二的体二极管进行高温下重复浪涌电流功率循环试验，当SiC MOSFET分立器件一与器件二的体二极管老化到一定程度时，测量SiC MOSFET分立器件一、器件二的体二极管的静态特性(正向IV特性)以及动态特性(反向恢复电流波形)的退化，高温下重复浪涌电流功率循环克服了直流电流应力功率循环的局限性，控制简单，可靠性强，功率循环期间无持续的热量积累，对封装的特性无影响，可在高温环境中进行，提高了老化效率，加速了双极退化。
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公开(公告)号：CN113466649A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110732566.3
申请日：2021-06-29
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种判断浪涌电流测试中SiC MOSFET失效原因的方法，在电动机驱动器和并网系统等高功率变换器中，SiC功率MOSFET及其体二极管可能会遭受大浪涌电流的冲击，需要研究SiC功率MOSFET的浪涌电流能力和浪涌电流可靠性并判断其失效原因。对于浪涌电流测试中SiC MOSFET失效原因的判断主要借助于器件解封后的失效观察，缺乏与电学性能有关的判断方法。本发明对SiC MOSFET在正栅偏浪涌电流测试中可能存在的失效原因，提出了一种与电学性能相关的判断方法，能够根据浪涌电流测试中浪涌电压波形的变化规律判断SiC MOSFET的失效原因，通过比较最大浪涌电流能力验证器件的失效原因，避免了对器件进行解封观察，减少了工作量，有利于了解器件的失效过程，补充了SiC MOSFET的可靠性研究。
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