-
公开(公告)号：CN106291814A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510239021.3
申请日：2015-05-12
Applicant: 中兴通讯股份有限公司 , 浙江大学
Abstract: 本发明提供了一种光波导的制造方法以及光波导，该方法包括以下步骤：提供一玻璃基片；在所述玻璃基片上，波导芯部两侧的区域形成含一种阳离子的熔盐扩散区；在形成含一种阳离子的熔盐扩散区的所述玻璃基片上，波导芯部的区域形成离子掺杂区；在形成离子掺杂区的所述玻璃基片上，所述离子掺杂区的表面形成去掺杂区。本发明提供的光波导的制造方法，使光波导模场分布的对称性得到改善，降低了耦合损耗与传输损耗；通过离子反交换技术形成去掺杂区，保证所形成的光波导为掩埋式光波导，降低了光波导的耦合损耗以及由于玻璃基片表面缺陷处的散射引入的传输损耗。
-
公开(公告)号：CN104656187A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510062105.4
申请日：2015-02-06
Applicant: 浙江大学
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明公开了一种集成磁光功能的玻璃基离子交换光波导芯片。玻璃表面上需要磁光功能的区域具有铁磁金属纳米颗粒掺杂区；通过离子交换方法在玻璃中形成条形离子扩散区，在铁磁金属纳米颗粒掺杂区中形成具有磁光功能的条形离子扩散区；条形离子扩散区的折射率高于玻璃的折射率，具有磁光功能的条形离子扩散区的折射率高于铁磁金属纳米颗粒掺杂区的折射率，条形离子扩散区和具有磁光功能的条形离子扩散区共同构成条形光波导的芯部。本发明在光波导芯片上的区域实现磁光波导的制作，实现玻璃上磁光功能的集成，且制作工艺简单，耦合效率高等特点，为实现玻璃基集成光学芯片的磁光功能的集成提供了新的结构，使玻璃基集成光学芯片的设计更加灵活。
-
公开(公告)号：CN104656188A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510062482.8
申请日：2015-02-06
Applicant: 浙江大学
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明公开了一种含有铁磁金属纳米颗粒的玻璃基离子交换光波导。在玻璃上表面设有平板状铁磁金属纳米颗粒掺杂层，玻璃上表面的离子扩散区作为条形光波导芯部，离子扩散区一部分位于平板状铁磁金属纳米颗粒掺杂层中，另一部分位于玻璃中未掺杂铁磁金属纳米颗粒的区域；位于平板状铁磁金属纳米颗粒掺杂层中的离子扩散区的折射率高于平板状铁磁金属纳米颗粒掺杂层的折射率，位于玻璃未掺杂铁磁金属纳米颗粒区域中的离子扩散区的折射率高于玻璃中未掺杂铁磁金属纳米颗粒的区域的折射率。本发明解决了基于磁光非互易相移原理的光波导的难题；解决了磁光材料的光学参数与玻璃光学参数之间匹配的难题，同时避免了磁光材料的与基片之间结合的难题。
-
公开(公告)号：CN106291816B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201510240514.9
申请日：2015-05-12
Applicant: 中兴通讯股份有限公司 , 浙江大学
Abstract: 本发明提供了一种提高玻璃基光波导芯片均匀性的方法，包括：将玻璃基片置于含K+熔盐中进行离子交换处理，在所述玻璃基片表面的非光波导区域形成高电阻率的内阻挡层；通过离子交换处理和电场辅助迁移处理，在带有内阻挡层的玻璃基片上形成与所述内阻挡层不接触的掩埋式离子掺杂区；其中，在进行所述电场辅助迁移处理过程中，通过用玻璃基片表面的高电阻率的内阻挡层，增大玻璃基片非光波导区域的电阻，来抑制玻璃基片的温升幅度，提高玻璃基片中作为光波导的掩埋式离子掺杂区的掩埋深度均匀性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106772802B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201710018465.3
申请日：2017-01-11
Applicant: 浙江大学
IPC: G02B6/134
Abstract: 本发明公开了一种具有降低模式耦合效应的玻璃基弯曲多模光波导制作方法。该方法的步骤如下：在玻璃基片上制作弯曲条形波导的掩膜，靠近曲率中心一侧的掩膜部分宽度大于远离曲率中心一侧的掩膜部分宽度；将有掩膜玻璃基片放入融熔的硝酸钾中保温，最终在玻璃基片表面形成钾离子扩散区；去除靠近曲率中心一侧的掩膜部分和远离曲率中心一侧的掩膜部分；将玻璃基片放入熔融的硝酸钠和硝酸银混合盐中进行Ag+‑Na+离子交换。本发明只需通过一次光刻的离子掩膜玻璃基光波导制作技术，实现不对称光波导的制作，对设备的要求大幅度降低，有效降低了工艺难度。
-
公开(公告)号：CN104656187B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201510062105.4
申请日：2015-02-06
Applicant: 浙江大学
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明公开了一种集成磁光功能的玻璃基离子交换光波导芯片。玻璃表面上需要磁光功能的区域具有铁磁金属纳米颗粒掺杂区；通过离子交换方法在玻璃中形成条形离子扩散区，在铁磁金属纳米颗粒掺杂区中形成具有磁光功能的条形离子扩散区；条形离子扩散区的折射率高于玻璃的折射率，具有磁光功能的条形离子扩散区的折射率高于铁磁金属纳米颗粒掺杂区的折射率，条形离子扩散区和具有磁光功能的条形离子扩散区共同构成条形光波导的芯部。本发明在光波导芯片上的区域实现磁光波导的制作，实现玻璃上磁光功能的集成，且制作工艺简单，耦合效率高等特点，为实现玻璃基集成光学芯片的磁光功能的集成提供了新的结构，使玻璃基集成光学芯片的设计更加灵活。
-
公开(公告)号：CN106291816A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510240514.9
申请日：2015-05-12
Applicant: 中兴通讯股份有限公司 , 浙江大学
CPC classification number: G02B6/1345 , G02B6/122
Abstract: 本发明提供了一种提高玻璃基光波导芯片均匀性的方法，包括：将玻璃基片置于含K+熔盐中进行离子交换处理，在所述玻璃基片表面的非光波导区域形成高电阻率的内阻挡层；通过离子交换处理和电场辅助迁移处理，在带有内阻挡层的玻璃基片上形成与所述内阻挡层不接触的掩埋式离子掺杂区；其中，在进行所述电场辅助迁移处理过程中，通过用玻璃基片表面的高电阻率的内阻挡层，增大玻璃基片非光波导区域的电阻，来抑制玻璃基片的温升幅度，提高玻璃基片中作为光波导的掩埋式离子掺杂区的掩埋深度均匀性。
-
公开(公告)号：CN104656188B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201510062482.8
申请日：2015-02-06
Applicant: 浙江大学
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明公开了一种含有铁磁金属纳米颗粒的玻璃基离子交换光波导。在玻璃上表面设有平板状铁磁金属纳米颗粒掺杂层，玻璃上表面的离子扩散区作为条形光波导芯部，离子扩散区一部分位于平板状铁磁金属纳米颗粒掺杂层中，另一部分位于玻璃中未掺杂铁磁金属纳米颗粒的区域；位于平板状铁磁金属纳米颗粒掺杂层中的离子扩散区的折射率高于平板状铁磁金属纳米颗粒掺杂层的折射率，位于玻璃未掺杂铁磁金属纳米颗粒区域中的离子扩散区的折射率高于玻璃中未掺杂铁磁金属纳米颗粒的区域的折射率。本发明解决了基于磁光非互易相移原理的光波导的难题；解决了磁光材料的光学参数与玻璃光学参数之间匹配的难题，同时避免了磁光材料的与基片之间结合的难题。
-
公开(公告)号：CN106772802A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710018465.3
申请日：2017-01-11
Applicant: 浙江大学
IPC: G02B6/134
Abstract: 本发明公开了一种具有降低模式耦合效应的玻璃基弯曲多模光波导制作方法。该方法的步骤如下：在玻璃基片上制作弯曲条形波导的掩膜，靠近曲率中心一侧的掩膜部分宽度大于远离曲率中心一侧的掩膜部分宽度；将有掩膜玻璃基片放入融熔的硝酸钾中保温，最终在玻璃基片表面形成钾离子扩散区；去除靠近曲率中心一侧的掩膜部分和远离曲率中心一侧的掩膜部分；将玻璃基片放入熔融的硝酸钠和硝酸银混合盐中进行Ag+‑Na+离子交换。本发明只需通过一次光刻的离子掩膜玻璃基光波导制作技术，实现不对称光波导的制作，对设备的要求大幅度降低，有效降低了工艺难度。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.013 seconds)
