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公开(公告)号:CN107779956B
公开(公告)日:2019-10-11
申请号:CN201710890817.4
申请日:2016-01-29
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种四元硫代砷酸盐化合物半导体材料及其制备方法和用途。以碱土金属氢氧化物、金属银、二元固溶体As2S3和单质S为原料,水合肼为溶剂,在160℃烘箱中反应4‑7天,得到四元硫属化合物半导体材料。化学组成式为SrAg4As2S6·H2O,本发明具有操作过程简单,原料简单且成本低,反应条件温和,合成温度低等优点。采用本发明得到的四元硫属化合物,产率可达到~50%,化学纯度高,用于制备光学半导体器件或太阳能电池过渡层材料。
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公开(公告)号:CN106362770B
公开(公告)日:2018-12-25
申请号:CN201610635287.4
申请日:2016-08-03
Applicant: 浙江大学
IPC: B01J27/04 , C04B22/14 , C04B103/10 , C04B103/61 , C04B103/67
Abstract: 本发明公开了一种用于临海工程混凝土结构抗菌防腐的四元硫化物半导体光催化材料及制备方法和用途。以碱金属氢氧化合物、过渡金属(银)、二元固溶体(Sb2S3)和硫单质为原料,聚乙二醇和水合肼为溶剂,在140‑180℃环境中反应6‑9天,得到四元硫化物半导体材料,化学组成式为:RbAgSb4S7。本发明具有合成产率高,操作过程简单,原料简单且成本低,反应条件温和,合成温度低等优点。采用本发明得到的四元硫化物产率可达60%,化学纯度高,可用于防腐、抑菌、催化等领域。
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公开(公告)号:CN106423215A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201610630963.9
申请日:2016-08-03
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: B01J27/04 , B01J35/004 , C01G45/006 , C01P2002/77 , C01P2002/84 , C01P2002/85 , C04B41/5035 , C04B41/68 , C04B2103/69 , C04B2111/26 , C30B7/14 , C30B29/46 , H01L31/032 , C04B41/5032 , C04B41/5024 , C04B41/5014 , C04B41/4535
Abstract: 本发明公开了一种用于临海混凝土结构抑菌防腐的四元硫化物半导体光催化材料及制备方法和用途。以碱金属氢氧化合物(CsOH·H2O)、过渡金属(Mn)、二元固溶体(As2S3)和硫粉(S)为原料,油酸和水合肼为溶剂,在130-160℃环境中反应4-7天,得到四元硫化物半导体材料,化学组成式为:CsMnAs3S6。本发明具有合成产率高,操作过程简单,原料简单且成本低,反应条件温和,合成温度低等优点。采用本发明得到的四元硫化物产率达90%以上,化学纯度高,可用于防腐、抑菌、电池、催化等领域。
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公开(公告)号:CN106268867A
公开(公告)日:2017-01-04
申请号:CN201610635292.5
申请日:2016-08-03
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: B01J27/04 , B01J35/004 , C01G45/006 , C01P2002/77 , C01P2002/84 , C01P2002/85 , C04B41/009 , C04B41/5024 , C04B2103/69 , C04B2111/26 , C30B7/14 , C30B29/46 , H01L31/032 , C04B41/5014 , C04B41/5007 , C04B41/50 , C04B41/4539
Abstract: 本发明公开了一种用于混凝土抑菌防腐的四元硫化物半导体光催化材料及制备方法和用途。以碱金属碳酸盐、过渡金属(Mn)、二元固溶体(Sb2S3)和硫粉(S)为原料,氨水、水合肼和聚乙二醇400为溶剂,在120-180℃环境中反应5-8天,得到四元硫化物半导体材料,化学组成式为:AMn2Sb3S7(A=K,Rb)。本发明具有合成产率高,操作过程简单,原料成本低,反应条件温和,合成温度低等优点。采用本发明得到的四元硫化物产率达40%以上,化学纯度高,可用于防腐、抑菌、电池、催化等领域。
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公开(公告)号:CN106192009B
公开(公告)日:2019-10-25
申请号:CN201610631019.5
申请日:2016-08-03
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种用于混凝土表面抑菌防腐的四元硫化物半导体光催化材料及制备方法。以碱金属氢氧化合物(CsOH·H2O)、过渡金属(Mn)、二元固溶体(As2S3)和硫粉(S)为原料,油酸和二乙基三胺为溶剂,在130‑160℃环境中反应4‑7天,得到四元硫化物半导体材料,化学组成式为:CsMnAsS3。本发明具有合成产率高,操作过程简单,原料成本低,反应条件温和,合成温度低等优点。采用本发明得到的四元硫化物产率达90%以上,化学纯度高,可用于防腐、抑菌、电池、催化等领域。
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公开(公告)号:CN106149059B
公开(公告)日:2019-10-25
申请号:CN201610458073.4
申请日:2016-06-20
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种用于混凝土杀菌防腐的四元硫化物半导体材料及制备方法。以碱金属氢氧化合物、过渡金属(银)、二元固溶体(As2S3)和硫单质为原料,聚乙二醇和1,2‑丙二胺为溶剂,在140‑160℃环境中反应6‑9天,得到四元硫化物半导体材料,化学组成式为:Cs3AgAs4S8。本发明具有合成产率高,操作过程简单,原料简单且成本低,反应条件温和,合成温度低等优点。采用本发明得到的四元硫化物产率达70%以上,化学纯度高,可用于防腐、抑菌、电池、催化等领域。
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公开(公告)号:CN106082327B
公开(公告)日:2018-02-06
申请号:CN201610455194.3
申请日:2016-06-20
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/032 , C04B111/26 , C04B103/69
Abstract: 本发明公开了一种用于混凝土防腐的四元硫化物半导体材料及制备方法和用途。以碱金属氢氧化合物、过渡金属(银)、二元固溶体(As2S3)和硫单质为原料,聚乙二醇400和乙二胺为溶剂,在140‑160℃环境中反应6‑9天,得到四元硫化物半导体材料,化学组成式为:Cs2Ag2As2S5。本发明具有合成产率高,操作过程简单,原料简单且成本低,反应条件温和,合成温度低等优点。采用本发明得到的四元硫化物产率达60%以上,化学纯度高,可用于防腐、抑菌、医疗、电池、催化等领域。
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公开(公告)号:CN106345492A
公开(公告)日:2017-01-25
申请号:CN201610628193.4
申请日:2016-08-03
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: B01J27/04 , B01J35/004 , C04B41/50
Abstract: 本发明公开了一种用于海洋工程混凝土结构杀菌防腐的四元硫化物半导体光催化材料及制备方法。以碱金属氢氧化物、过渡金属(银)、二元固溶体(Sb2S3)和硫单质为原料,乙二胺、水合肼和聚乙二醇400为溶剂,在140-180℃环境中反应5-9天,得到四元硫化物半导体材料,化学组成式为:A2Ag3Sb3S7(A=K,Rb,Cs)。本发明具有合成产率高,操作过程简单,原料简单且成本低,反应条件温和,合成温度低等优点。采用本发明得到的四元硫化物产率达45%-70%,化学纯度高,可用于防腐、抑菌、电池、催化等领域。
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公开(公告)号:CN106238030A
公开(公告)日:2016-12-21
申请号:CN201610628192.X
申请日:2016-08-03
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种用于临海混凝土表面抑菌防腐的四元硫化物半导体光催化材料及制备方法和用途。以碱金属氢氧化物、过渡金属(铜)、二元固溶体(Sb2S3)和硫单质为原料,水合肼和聚乙二醇400为溶剂,在120-180℃环境中反应5-8天,得到四元硫化物半导体材料,化学组成式为:CsCu3SbS4。本发明具有合成产率高,操作过程简单,原料简单且成本低,反应条件温和,合成温度低等优点。采用本发明得到的四元硫化物产率可达55%以上,化学纯度高,可用于防腐、抑菌、电池、催化等领域。
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公开(公告)号:CN106268866B
公开(公告)日:2019-02-22
申请号:CN201610631056.6
申请日:2016-08-03
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种用于海洋钢筋混凝土杀菌防腐的四元硫化物半导体光催化材料及制备方法和用途。以碱金属氢氧化物(CsOH·H2O)、过渡金属(Cu)、二元固溶体(As2S3)和硫粉(S)为原料,聚乙二醇和1,2‑丙二胺为溶剂,在140‑160℃环境中反应5‑9天,得到四元硫化物半导体材料,化学组成式为:Cs3CuAs4S8。本发明具有合成产率高,操作过程简单,原料成本低,反应条件温和,合成温度低等优点。采用本发明得到的四元硫化物产率达65%以上,化学纯度高,可用于防腐、抑菌、电池、催化等领域。
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