一种四元硫代砷酸盐化合物半导体材料及其制备方法和用途

    公开(公告)号:CN107779956B

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201710890817.4

    申请日:2016-01-29

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种四元硫代砷酸盐化合物半导体材料及其制备方法和用途。以碱土金属氢氧化物、金属银、二元固溶体As2S3和单质S为原料,水合肼为溶剂,在160℃烘箱中反应4‑7天,得到四元硫属化合物半导体材料。化学组成式为SrAg4As2S6·H2O,本发明具有操作过程简单,原料简单且成本低,反应条件温和,合成温度低等优点。采用本发明得到的四元硫属化合物,产率可达到~50%,化学纯度高,用于制备光学半导体器件或太阳能电池过渡层材料。

    一种用于混凝土表面抑菌防腐的四元硫化物半导体光催化材料及制备方法

    公开(公告)号:CN106192009B

    公开(公告)日:2019-10-25

    申请号:CN201610631019.5

    申请日:2016-08-03

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种用于混凝土表面抑菌防腐的四元硫化物半导体光催化材料及制备方法。以碱金属氢氧化合物(CsOH·H2O)、过渡金属(Mn)、二元固溶体(As2S3)和硫粉(S)为原料,油酸和二乙基三胺为溶剂,在130‑160℃环境中反应4‑7天,得到四元硫化物半导体材料,化学组成式为:CsMnAsS3。本发明具有合成产率高,操作过程简单,原料成本低,反应条件温和,合成温度低等优点。采用本发明得到的四元硫化物产率达90%以上,化学纯度高,可用于防腐、抑菌、电池、催化等领域。

    一种用于混凝土防腐的四元硫化物半导体材料及制备方法

    公开(公告)号:CN106082327B

    公开(公告)日:2018-02-06

    申请号:CN201610455194.3

    申请日:2016-06-20

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种用于混凝土防腐的四元硫化物半导体材料及制备方法和用途。以碱金属氢氧化合物、过渡金属(银)、二元固溶体(As2S3)和硫单质为原料,聚乙二醇400和乙二胺为溶剂,在140‑160℃环境中反应6‑9天,得到四元硫化物半导体材料,化学组成式为:Cs2Ag2As2S5。本发明具有合成产率高,操作过程简单,原料简单且成本低,反应条件温和,合成温度低等优点。采用本发明得到的四元硫化物产率达60%以上,化学纯度高,可用于防腐、抑菌、医疗、电池、催化等领域。

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