公开(公告)号：CN118343769A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410333206.X

申请日：2024-03-21

Applicant: 浙江大学

Inventor： 杨启炜 ,  谷智强 ,  秦威 ,  任宇阳

IPC: C01B33/113 ,  B82Y40/00 ,  H01M10/0525 ,  H01M4/48

Abstract: 本发明提供了一种助熔剂辅助的等离子体法制备硅氧负极材料的方法，涉及硅氧材料的制备技术领域。本发明的方法包括以下步骤：提供混合料；所述混合料包括硅粉、二氧化硅和助熔剂；所述助熔剂为钠盐或碳酸氢铵；将所述混合料进行第一等离子处理，得到所述硅氧负极材料；所述第一等离子处理的工作电压为90～200V，电流为10～50A，处理时间为3～30min。本发明通过添加助熔剂，在电离过程中能产生更大的热焓，从而加快固体的气化，因此，在较低的功率下就能保证物料被完全气化得到高纯的产物，降低了能耗。

公开(公告)号：CN118343769B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410333206.X

申请日：2024-03-21

Applicant: 浙江大学

Inventor： 杨启炜 ,  谷智强 ,  秦威 ,  任宇阳

IPC: H01M4/48 ,  C01B33/113 ,  B82Y40/00 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明提供了一种助熔剂辅助的等离子体法制备硅氧负极材料的方法，涉及硅氧材料的制备技术领域。本发明的方法包括以下步骤：提供混合料；所述混合料包括硅粉、二氧化硅和助熔剂；所述助熔剂为钠盐或碳酸氢铵；将所述混合料进行第一等离子处理，得到所述硅氧负极材料；所述第一等离子处理的工作电压为90～200V，电流为10～50A，处理时间为3～30min。本发明通过添加助熔剂，在电离过程中能产生更大的热焓，从而加快固体的气化，因此，在较低的功率下就能保证物料被完全气化得到高纯的产物，降低了能耗。