-
公开(公告)号：CN111875393B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202010774996.7
申请日：2020-08-05
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/63 , C04B35/478 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了钛酸铝陶瓷的烧结助剂、钛酸铝陶瓷前体料和钛酸铝陶瓷及其制造方法。所述烧结助剂包括金属微粉和氧化硅微粉，金属微粉选自镍微粉、锌微粉、铟微粉中的至少一种。钛酸铝陶瓷前体料包括以下质量百分数的原料：含铝化合物47～60％、含钛化合物35‑55％、烧结助剂0.5‑10％。将钛酸铝陶瓷前体料与助剂混合得到坯料，将坯料通过等静压、模压或注凝成形得到生坯体；将生坯体进行烧制，得到钛酸铝致密陶瓷。本发明的钛酸铝陶瓷制备步骤简单、成本低、制备过程中不排放三废或三废排放少，并且制备得到的钛酸铝陶瓷致密性好、抗热震性高、热膨胀系数小且抗弯强度高。
-
公开(公告)号：CN105600818A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610014775.3
申请日：2016-01-12
Applicant: 济南大学
CPC classification number: C01G19/02 , B82Y30/00 , C01P2002/72 , C01P2002/84 , C01P2002/85 , C01P2004/04 , C01P2004/64
Abstract: 本发明公开了一种制备富含氧空位的二氧化锡纳米粉的方法以及所得产品，步骤为：配制浓度为0.2–3.0 mol·L-1的无机锡盐水溶液，边搅拌边向其中加入0.5–5.0 mol·L-1的NaOH或KOH水溶液，使混合完毕得到的均匀白色沉淀悬浮液体系的pH值为6.0–8.5，继续搅拌10–60 min；将白色沉淀悬浮液进行固液分离，沉淀用水洗涤2–5次后于40–120℃干燥，得二氧化锡前驱体粉末；将二氧化锡前驱体粉末在真空度为0.01 Pa–25 kPa的环境中进行真空热处理，升温速率为2–15℃/min，保温温度为250–600℃，保温时间为0.5–4.0 h，自然冷却后得产品。本发明利用真空烧结工艺对二氧化锡前驱体粉末进行热处理，无需二次处理或改性，可直接获得富含氧空位的二氧化锡纳米粉，具有工艺简单、设备需求低、成本低、污染少、可大量生产等优点。
-
公开(公告)号：CN101619484A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910017514.7
申请日：2009-07-29
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种在导电基体上生长单晶氧化铟薄膜的方法，包括以下步骤：(1)在无水乙醇中加入含铟的无机盐，溶解后再加入甲酰胺或脲，配制成铟离子浓度为0.003-0.030mol·L -1 、胺的浓度为0.050-0.230mol·L -1 的溶液；(2)将上述溶液倒入反应釜中，再将干燥洁净的ITO玻璃基片浸入其中，导电面朝下并斜靠在釜的内壁，密封反应釜；(3)将密封的反应釜加热到150-200℃，保温反应4-40小时，反应完毕后自然冷却；(4)取出玻璃基片，用去离子水超声洗涤，然后干燥、收集。本发明的制备方法为温和的液相化学方法，制备温度低，能够直接在导电的基片上(准)垂直生长二维的In 2 O 3 纳米片构成的半导体膜，原材料简单、初级，不使用催化剂和表面活性剂，不引入外来金属杂质，工艺过程简单易操作。
-
公开(公告)号：CN104628263A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510013538.0
申请日：2015-01-12
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种在基体上制备微观形貌为八面体纳米晶的氧化铟薄膜的方法，包括以下步骤：（1）配制乙二醇、水、无水乙醇和冰醋酸的混合溶液，再将无机铟盐溶解其中，形成铟离子浓度为0.50 - 2.60 mol·L-1的溶液，并在室温下快速搅拌2h；（2）在上述溶液中加入柠檬酸并搅拌、溶解，其中柠檬酸的浓度为0.08-0.60 mol·L-1；（3）将（2）所述的溶液加热到30 - 70°C，并在此温度下搅拌1- 8 h，冷却，获得溶胶；（4）将（3）所述溶胶1-5滴滴到洁净的2 × 2cm2的基片上，通过旋涂工艺制膜，所得薄膜于100℃下干燥2h，得到凝胶薄膜；（5）将（4）所述凝胶薄膜于450-700℃下烧结，得到氧化铟八面体纳米晶薄膜。本发明的制备方法基于温和的溶胶-凝胶工艺，无需CVD生长系统，能够直接在基体上制备微观形貌为八面体纳米晶的氧化铟薄膜，具有无催化剂残留、不需要气氛保护、单次反应产量大、成本低等优点。
-
公开(公告)号：CN112979307B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110365112.7
申请日：2021-04-06
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/478 , C04B35/628
Abstract: 本发明公开了钛酸铝陶瓷前体料和钛酸铝陶瓷及其制造方法。所述钛酸铝陶瓷前体料是由包含内核相和外壳相的核壳结构颗粒构成，其中内核相是氧化钛和氧化铝，外壳相是氧化硅。所述氧化钛、氧化铝和氧化硅的质量百分含量分别为：39~47%、51~60%和0.5~13%。将钛酸铝陶瓷前体料通过等静压或模压成形得到生坯体；将生坯体进行烧制，得到钛酸铝致密陶瓷。本发明的钛酸铝陶瓷制备步骤简单、成本低、制备过程三废排放少，并且制备得到的钛酸铝陶瓷致密性好、抗热震性高、抗弯强度高。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111875393A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010774996.7
申请日：2020-08-05
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/63 , C04B35/478 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了钛酸铝陶瓷的烧结助剂、钛酸铝陶瓷前体料和钛酸铝陶瓷及其制造方法。所述烧结助剂包括金属微粉和氧化硅微粉，金属微粉选自镍微粉、锌微粉、铟微粉中的至少一种。钛酸铝陶瓷前体料包括以下质量百分数的原料：含铝化合物47～60％、含钛化合物35-55％、烧结助剂0.5-10％。将钛酸铝陶瓷前体料与助剂混合得到坯料，将坯料通过等静压、模压或注凝成形得到生坯体；将生坯体进行烧制，得到钛酸铝致密陶瓷。本发明的钛酸铝陶瓷制备步骤简单、成本低、制备过程中不排放三废或三废排放少，并且制备得到的钛酸铝陶瓷致密性好、抗热震性高、热膨胀系数小且抗弯强度高。
-
公开(公告)号：CN105600818B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201610014775.3
申请日：2016-01-12
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种制备富含氧空位的二氧化锡纳米粉的方法以及所得产品，步骤为：配制浓度为0.2–3.0 mol·L‑1的无机锡盐水溶液，边搅拌边向其中加入0.5–5.0 mol·L‑1的NaOH或KOH水溶液，使混合完毕得到的均匀白色沉淀悬浮液体系的pH值为6.0–8.5，继续搅拌10–60 min；将白色沉淀悬浮液进行固液分离，沉淀用水洗涤2–5次后于40–120℃干燥，得二氧化锡前驱体粉末；将二氧化锡前驱体粉末在真空度为0.01 Pa–25 kPa的环境中进行真空热处理，升温速率为2–15℃/min，保温温度为250–600℃，保温时间为0.5–4.0 h，自然冷却后得产品。本发明利用真空烧结工艺对二氧化锡前驱体粉末进行热处理，无需二次处理或改性，可直接获得富含氧空位的二氧化锡纳米粉，具有工艺简单、设备需求低、成本低、污染少、可大量生产等优点。
-
公开(公告)号：CN104628263B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510013538.0
申请日：2015-01-12
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种在基体上制备微观形貌为八面体纳米晶的氧化铟薄膜的方法，包括以下步骤：（1）配制乙二醇、水、无水乙醇和冰醋酸的混合溶液，再将无机铟盐溶解其中，形成铟离子浓度为0.50-2.60 mol·L-1的溶液，并在室温下快速搅拌2 h；（2）在上述溶液中加入柠檬酸并搅拌、溶解，其中柠檬酸的浓度为0.08-0.60 mol·L-1；（3）将（2）所述的溶液加热到30-70°C，并在此温度下搅拌1-8 h，冷却，获得溶胶；（4）将（3）所述溶胶1-5滴滴到洁净的2×2 cm2的基片上，通过旋涂工艺制膜，所得薄膜于100°C下干燥2 h，得到凝胶薄膜；（5）将（4）所述凝胶薄膜于450-700°C下烧结，得到氧化铟八面体纳米晶薄膜。本发明的制备方法基于温和的溶胶-凝胶工艺，无需CVD生长系统，能够直接在基体上制备微观形貌为八面体纳米晶的氧化铟薄膜，具有无催化剂残留、不需要气氛保护、单次反应产量大、成本低等优点。
-
公开(公告)号：CN112979307A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110365112.7
申请日：2021-04-06
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/478 , C04B35/628
Abstract: 本发明公开了钛酸铝陶瓷前体料和钛酸铝陶瓷及其制造方法。所述钛酸铝陶瓷前体料是由包含内核相和外壳相的核壳结构颗粒构成，其中内核相是氧化钛和氧化铝，外壳相是氧化硅。所述氧化钛、氧化铝和氧化硅的质量百分含量分别为：39~47%、51~60%和0.5~13%。将钛酸铝陶瓷前体料通过等静压或模压成形得到生坯体；将生坯体进行烧制，得到钛酸铝致密陶瓷。本发明的钛酸铝陶瓷制备步骤简单、成本低、制备过程三废排放少，并且制备得到的钛酸铝陶瓷致密性好、抗热震性高、抗弯强度高。
-
公开(公告)号：CN101619484B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200910017514.7
申请日：2009-07-29
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种在导电基体上生长单晶氧化铟薄膜的方法，包括以下步骤：(1)在无水乙醇中加入含铟的无机盐，溶解后再加入甲酰胺或脲，配制成铟离子浓度为0.003-0.030mol·L-1、胺的浓度为0.050-0.230mol·L-1的溶液；(2)将上述溶液倒入反应釜中，再将干燥洁净的ITO玻璃基片浸入其中，导电面朝下并斜靠在釜的内壁，密封反应釜；(3)将密封的反应釜加热到150-200℃，保温反应4-40小时，反应完毕后自然冷却；(4)取出玻璃基片，用去离子水超声洗涤，然后干燥、收集。本发明的制备方法为温和的液相化学方法，制备温度低，能够直接在导电的基片上(准)垂直生长二维的In2O3纳米片构成的半导体膜，原材料简单、初级，不使用催化剂和表面活性剂，不引入外来金属杂质，工艺过程简单易操作。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.018 seconds)
