公开(公告)号：CN117729833A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311754538.7

申请日：2023-12-20

Applicant: 济南大学

Inventor： 周伟家 ,  辛笛 ,  刘晓燕 ,  孙德辉 ,  韩婧 ,  刘宏

IPC: H10N15/00 ,  B23K26/352

Abstract: 本发明公开了一种在空气中实现铌酸锂/钽酸锂晶片热释电压增强的方法。将抛光后的晶片置于空气氛围中，按照设定的图形，使激光聚焦照射铌酸锂/钽酸锂晶片，得到表层被黑化的铌酸锂/钽酸锂晶片。本发明在空气氛围内，采用激光聚焦照射铌酸锂/钽酸锂晶片，能够快速实现铌酸锂/钽酸锂晶片表层氧空位诱导，同时还可以对表层氧空位诱导的区域进行选择，能使晶片具有热释电性能，用于提高热释电传感器的灵敏度。

公开(公告)号：CN114836836B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202210716285.3

申请日：2022-06-23

Applicant: 济南大学

Inventor： 周伟家 ,  辛笛 ,  孙德辉 ,  张运武 ,  刘晓燕 ,  赵莉莉 ,  王东周 ,  刘宏

IPC: C30B33/02 ,  C30B29/30

Abstract: 本发明公开了一种铌酸锂晶片/钽酸锂晶片局域快速黑化方法，包括以下步骤：(1)将抛光后的铌酸锂晶片或钽酸锂晶片置于密闭装置中，然后充满还原性气体；(2)按照设定好的图形，激光欠焦照射铌酸锂晶片或钽酸锂晶片，通入惰性气体排出还原性气体，得到局域黑化的晶片。所述激光欠焦的参数为：激光波长为1064nm，激光功率为4～10W，欠焦距离为0.50～2.50cm，扫速为100～600mm/s。本发明在还原性气体氛围内，采用激光照射铌酸锂晶片或钽酸锂晶片，能够快速实现晶片黑化，同时还可以对黑化的区域进行选择，达到局域化黑化的目的。

公开(公告)号：CN114836836A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210716285.3

申请日：2022-06-23

Applicant: 济南大学

Inventor： 周伟家 ,  辛笛 ,  孙德辉 ,  张运武 ,  刘晓燕 ,  赵莉莉 ,  王东周 ,  刘宏

IPC: C30B33/02 ,  C30B29/30

Abstract: 本发明公开了一种铌酸锂晶片/钽酸锂晶片局域快速黑化方法，包括以下步骤：(1)将抛光后的铌酸锂晶片或钽酸锂晶片置于密闭装置中，然后充满还原性气体；(2)按照设定好的图形，激光欠焦照射铌酸锂晶片或钽酸锂晶片，通入惰性气体排出还原性气体，得到局域黑化的晶片。所述激光欠焦的参数为：激光波长为1064nm，激光功率为4～10W，欠焦距离为0.50～2.50cm，扫速为100～600mm/s。本发明在还原性气体氛围内，采用激光照射铌酸锂晶片或钽酸锂晶片，能够快速实现晶片黑化，同时还可以对黑化的区域进行选择，达到局域化黑化的目的。