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发明公开
一种在导电基底上生长花状氧化铜纳米材料的制备方法无效

公开(公告)号：CN109355971A

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：CN201811252733.9

申请日：2018-10-25

Applicant: 济南大学

Inventor： 于京华 , 孙建丽 , 范伏清 , 葛慎光 , 张彦 , 崔康

IPC: D21H19/82 , D21H19/14 , C01G3/02 , B82Y40/00

Abstract: 本发明介绍了一种在导电基底上生长花状氧化铜纳米材料的制备方法，属于无机化学和材料合成领域。本方法制备步骤主要包括：纸基平台的准备-导电基底的制备-前驱体溶液的处理-花状氧化铜的生长。本方法的特点是使用纸芯片作为平台，还原氧化石墨烯作为导电基底生长上大面积的花状氧化铜纳米材料，反应条件易实现，成本低，对环境无污染等优点。该方法操作简单，且所制备的花状氧化铜具有大的比表面积，在光催化、电催化和传感器等领域具有极大的应用前景。

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