公开(公告)号：CN117897042A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202410060148.8

申请日：2024-01-15

Applicant: 济南大学

Inventor： 李阳 ,  潘建勇 ,  牛闳森 ,  张春伟 ,  高嵩

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20 ,  C23C14/08 ,  C23C14/20 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明涉及忆阻器技术领域，提出了一种氧化物混合忆阻器及制备方法、存储芯片及识别系统，制备方法，包括以下步骤：将带有氧化铟锡涂层的聚对苯二甲酸乙二醇酯清洗设定时间，得到底部电极和柔性衬底；钨靶材和钛靶材通过直流磁控共溅射在底部电极上，生长得到氧化钨和氧化钛混合薄膜，形成功能层；银靶材通过覆盖掩模板和直流磁控溅射得到银顶电极，形成顶部电极。通过简单的制备方法向氧化钨掺杂氧化钛制备了性能稳定、均一性和可重复性良好、高电阻调节范围的神经形态忆阻器，采用柔性衬底增加了所制备器件在可穿戴设备、软体机器人以及生物医学传感器等领域的应用场景。