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公开(公告)号：CN105040107A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510294228.0
申请日：2015-06-02
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种外加静电场辅助半导体材料掺杂的方法。方法如下：将基片置于匀强电场中；调节电场方向，使基片表面与电场负方向成 α角度，0≤α≤360o，电场强度1×10-6 V/nm≤ E≤5V/nm；在此外加静电场条件下，在基片上进行半导体材料的掺杂生长实验。本发明在半导体材料的生长过程中引入匀强电场的辅助作用，施加严格控制的外加静电场对半导体材料的晶核取向、形核密度、形貌产生有效影响，对杂质原子在半导体材料中的缺陷形成能进行调控，能够有效提高杂质固溶度和替位杂质比率，提高掺杂半导体材料的晶体品质。
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