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公开(公告)号：CN117510704A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311639885.5
申请日：2023-11-30
Applicant: 济南大学
IPC: C08F220/06 , C08K9/10 , C08K7/26 , C08K3/16 , C08F226/06 , C08F222/38
Abstract: 本发明公开了一种快速凝胶化导电水凝胶及其制备方法和应用，所述制备方法，包括如下步骤：将硅藻土和单宁酸溶解于水中，搅拌制备单宁酸包覆硅藻土溶液；向所述单宁酸包覆硅藻土溶液中加入氯化锌，搅拌均匀，然后加入丙烯酸和1‑乙烯基‑3‑羧基咪唑离子液体搅拌均匀；然后加入引发剂和交联剂，搅拌均匀后立即倒入模具中，在10～30s内进行快速凝胶化反应，即得。本发明提供的水凝胶原料毒性低，安全性高，且制备方法非常简单，无需加热，且凝胶化时间非常短，适合工业化生产；所得水凝胶具有良好的导电性、重复粘附性和耐低温能力，能够作为柔性传感器进行应用，具备广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN115036568A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210577921.9
申请日：2022-05-25
Applicant: 济南大学
IPC: H01M10/0565 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种锂电用P(VDF‑co‑MAF)基单离子聚合物电解质膜制备方法，制备方法的具体步骤如下：步骤一：向除水的N,N‑二甲基甲酰胺溶液中加入一定质量的P(VDF‑co‑HFP)和P(VDF‑co‑MAF)；步骤二：用湿膜制膜器将步骤一中所得的均匀浆料，均匀刮涂在干净的玻璃板中；步骤三：得到固态聚合物电解质膜，步骤四：将所制备的聚合物电解质膜浸泡在电解液中，即可得到凝胶态聚合物电解质膜；本发明制备了一种以P(VDF‑co‑MAF)为基体的单离子导电凝胶态聚合物电解质，通过形成硼为中心的单离子导电聚合物网络，能显著提高锂离子迁移数，降低浓差极化，提高循环稳定性，在不改变离子电导率的情况下，通过共混P(VDF‑co‑HFP)，可以显著提高电解质膜的机械强度。
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公开(公告)号：CN109370122B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201811061999.5
申请日：2018-09-12
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种高击穿强度聚偏氟乙烯/改性钛酸钡复合薄膜材料的制备方法，电容器材料的制备技术领域。包括：(1)通过RAFT聚合合成硫醇封端的PVDF链；(2)钛酸钡表面改性；(3)将步骤(2)得到的表面修饰的钛酸钡加入到溶剂B中，超声分散，然后加入聚偏氟乙烯，形成稳定的悬浮液；(4)将步骤(3)中的得到悬浮液注入到刮刀中，在玻璃基板上刮膜；(5)将步骤(4)中得到的薄膜放在真空下干燥；(6)将步骤(5)中得到的薄膜热压。本发明通过对钛酸钡表面进行改性，将PVDF接枝到钛酸钡表面，提高两者的相容性，使复合材料不仅具有较高的相对介电常数，而且具有较高的击穿强度。
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公开(公告)号：CN110964201A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201911314675.2
申请日：2019-12-18
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有疏油性且耐温的氟硅聚合物的制备方法及应用，属于氟硅聚合物技术领域，通过甲基乙基二氯硅烷和三氟丙基甲基二氯硅烷共水解制备的氟硅共聚物既具有优良的耐低温性又具有良好的耐油性,并将其应用于制备氟硅聚合物薄膜，所得氟硅聚合物薄膜既具有优良的耐低温性又具有良好的耐油性，该膜一方面可以分离油水混合物并且具有很高的选择性和通量，另一方面可以吸附有机相中的污染物，这对油水分离和有机溶剂的回收有着重要意义。
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公开(公告)号：CN110801740A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201911177988.8
申请日：2019-11-25
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种聚偏氟乙烯膜的表面改性方法，属于高分子膜分离技术领域，本发明采用表面改性的方法改性PVDF膜，通过制备纯聚偏氟乙烯膜，然后通过碱处理使膜表面带上双键，最后利用带双键的聚偏氟乙烯膜与带有两性离子的巯基聚合物进行共聚，制备PVDF膜，两性离子聚合物中含有巯基，可以和碱处理的PVDF的双键发生“巯-烯”点击反应，从而保证了两性可以稳定的存在于膜的表面上。在PVDF中引入两性离子，大大提高了PVDF膜的亲水性、抗污染性等，具有良好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107629379B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201710953008.3
申请日：2017-10-13
Applicant: 济南大学
IPC: C08L33/14 , C08K3/36 , C08J5/18 , C08F220/24 , C08F220/34 , C08F220/36
Abstract: 本发明公开了一种可逆光控疏水性的偶氮苯类含氟共聚物/纳米SiO2复合膜及其制备方法，所述复合膜的制备包括以下步骤：(1)将甲基丙烯酸三氟乙酯和含偶氮苯基团的丙烯酸酯类单体按照摩尔比10:1～1:10加入到溶剂a中；以偶氮二异丁腈为引发剂进行自由基溶液聚合；反应生成的聚合物经反复溶解、沉淀，再经干燥后，制备得到二元无规共聚物；(2)将步骤(1)的二元无规共聚物于溶剂b中溶解，得到共聚物溶液；向共聚物溶液中加入纳米SiO2，使纳米SiO2的含量为0.1‑10wt％，超声处理，旋涂于基底上，干燥后形成所述复合膜。本发明的制备方法简单，制备得到的复合膜的疏水性可逆变化范围大，界面强度高，特别适用于光响应材料的制备。
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公开(公告)号：CN110156999A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910455101.0
申请日：2019-05-28
Applicant: 济南大学
IPC: C08G81/02 , C08F120/54 , C08F114/22 , C08F8/30
Abstract: 本发明公开了一种点击化学合成两亲性含氟嵌段共聚物的制备方法，属于两亲性含氟嵌段共聚物制备技术领域。上述方法包括步骤1：合成含羧基苯基链转移剂；步骤2：利用步骤1制备的链转移剂制备大分子NIPAM聚合物；步骤3：含氟聚合物的叠氮化；步骤4：进行两嵌段大分子长链的点击化学反应。本发明中首先采用可逆加成断裂链转移聚合(RAFT)法合成带炔基的大分子N-异丙基丙烯酰胺聚合物，然后采用碘转移活性/可控聚合法合成叠氮化PVDF，最后进行点击反应合成两亲性含氟嵌段共聚物，与其他的聚合方法相比，能进一步降低分子量分布。
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公开(公告)号：CN108300083A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201710953021.9
申请日：2017-10-13
Applicant: 济南大学
IPC: C09D133/16 , C09D5/08 , C09D7/61 , C08F220/24
Abstract: 本发明公开了一种含氟共聚物/纳米SiO2超疏水涂层及其制备方法，超疏水涂层的制备包括以下步骤：(1)将甲基丙烯酸三氟乙酯和全氟烷基乙基丙烯酸酯按照摩尔比1:0.01～1:100加入到溶剂a中；以偶氮二异丁腈为引发剂进行自由基溶液聚合；反应生成的聚合物经反复溶解、沉淀，再经干燥后，制备得到含氟共聚物；(2)将含氟共聚物于溶剂b中溶解，得到聚合物溶液；向聚合物溶液中加入纳米SiO2，使纳米SiO2的含量为1-10wt％，超声处理，旋涂于基底上，干燥后形成所述超疏水涂层。本发明的含氟共聚物/纳米SiO2超疏水涂层的制备方法简单，适宜于大面积的制备；而且制备的超疏水涂层的界面强度高、热稳定性好、耐腐蚀性强，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN108126541A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201711386666.5
申请日：2017-12-20
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种聚偏氟乙烯温敏性膜及其制备方法，属于化学工程与技术领域。所述聚偏氟乙烯温敏性膜由以下重量份组分组成：聚偏氟乙烯2～15份、PVDF-b-PNIPAM 1～5份、PEG 1～10份、溶剂30～80份；所述PVDF-b-PNIPAM的结构式如下所示： 其中，n＝20-150；m＝20-150；所述PVDF-b-PNIPAM的平均分子量为9000-20000；聚合度为20-103。本发明具有制备工艺简单、成本低、适合工业化生产的特点，聚偏氟乙烯温敏性膜具有高通量、抗污染的特性。
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公开(公告)号：CN107629379A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710953008.3
申请日：2017-10-13
Applicant: 济南大学
IPC: C08L33/14 , C08K3/36 , C08J5/18 , C08F220/24 , C08F220/34 , C08F220/36
Abstract: 本发明公开了一种可逆光控疏水性的偶氮苯类含氟共聚物/纳米SiO2复合膜及其制备方法，所述复合膜的制备包括以下步骤：(1)将甲基丙烯酸三氟乙酯和含偶氮苯基团的丙烯酸酯类单体按照摩尔比10:1～1:10加入到溶剂a中；以偶氮二异丁腈为引发剂进行自由基溶液聚合；反应生成的聚合物经反复溶解、沉淀，再经干燥后，制备得到二元无规共聚物；(2)将步骤(1)的二元无规共聚物于溶剂b中溶解，得到共聚物溶液；向共聚物溶液中加入纳米SiO2，使纳米SiO2的含量为0.1-10wt％，超声处理，旋涂于基底上，干燥后形成所述复合膜。本发明的制备方法简单，制备得到的复合膜的疏水性可逆变化范围大，界面强度高，特别适用于光响应材料的制备。
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