公开(公告)号：CN113735585A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110987687.2

申请日：2021-08-26

Applicant: 济南大学

Inventor： 李庆刚 ,  张振宇 ,  史国普 ,  王志 ,  孙孟勇

IPC: C04B35/56 ,  C04B35/645 ,  C04B35/628

Abstract: 本发明属于陶瓷复合材料的制备技术领域，具体涉及一种氧化铝/钛硅碳复合材料的制备方法。所述的复合材料由钛铝碳（Ti3AlC2），一氧化硅（SiO）均匀接触，真空烧结即可。本发明通过铝和硅的相互扩散，得到氧化铝/钛硅碳复合材料。本发明制备的复合材料具有高致密性，且性能稳定，复合材料中，氧化铝通过钛铝碳和一氧化硅反应生成的，能均匀包覆在钛硅碳晶体的表面，形成一种较为致密的氧化膜，阻碍了基体与外界的物质交换，提高了符合材料整体的抗氧化性能，钛硅碳又增强了复合材料的韧性，制备的复合材料纯度较高，烧结温度较低，并且具备较高的抗弯强度本发明工艺简单，易于工业化生产。

公开(公告)号：CN113735585B

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202110987687.2

申请日：2021-08-26

Applicant: 济南大学

Inventor： 李庆刚 ,  张振宇 ,  史国普 ,  王志 ,  孙孟勇

IPC: C04B35/56 ,  C04B35/645 ,  C04B35/628

Abstract: 本发明属于陶瓷复合材料的制备技术领域，具体涉及一种氧化铝/钛硅碳复合材料的制备方法。所述的复合材料由钛铝碳（Ti3AlC2），一氧化硅（SiO）均匀接触，真空烧结即可。本发明通过铝和硅的相互扩散，得到氧化铝/钛硅碳复合材料。本发明制备的复合材料具有高致密性，且性能稳定，复合材料中，氧化铝通过钛铝碳和一氧化硅反应生成的，能均匀包覆在钛硅碳晶体的表面，形成一种较为致密的氧化膜，阻碍了基体与外界的物质交换，提高了符合材料整体的抗氧化性能，钛硅碳又增强了复合材料的韧性，制备的复合材料纯度较高，烧结温度较低，并且具备较高的抗弯强度本发明工艺简单，易于工业化生产。