公开(公告)号：CN116018057A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202310141346.2

申请日：2023-02-16

Applicant: 济南大学

Inventor： 李阳 ,  吴彤 ,  钱凯 ,  姚钊

IPC: H10N70/20 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/04 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明涉及氧化钨基忆阻器的制备方法及目标跟踪系统，其中氧化钨基忆阻器的制备方法，包括以下步骤：氧化铟锡玻璃经清洗设定时间，得到底部电极；钨靶通过直流磁控溅射在底部电极上生长得到氧化钨膜，形成第一阻变层；氧化铟镓锌靶通过射频磁控溅射在第一阻变层上生长得到氧化铟镓锌薄膜，形成第二阻变层；银靶通过覆盖掩模板和直流磁控溅射得到银顶电极，形成顶部电极。使忆阻器的性能稳定，制备工艺简单，重复性高，薄膜均一性良好，通过改变制备参数和测试参数，便于实现多级阻态调控以及忆阻行为的调制，基于此忆阻器搭建的目标跟踪系统能够实现类脑突触仿生功能，可广泛应用于模拟人脑实现更高级别的认知功能。