公开(公告)号：CN116722059A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310954373.1

申请日：2023-08-01

Applicant: 济南大学

Inventor： 周煜 ,  袁蓓蕾 ,  于颖 ,  曹丙强

IPC: H01L31/032 ,  C30B29/12 ,  C30B23/02 ,  C30B33/02 ,  H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  H01L31/072

Abstract: 本发明提供了一种半导体CsPbX3薄膜材料及其制备方法、应用、太阳能电池，涉及半导体薄膜材料的技术领域，该半导体CsPbX3薄膜材料包括单晶硅衬底和生长在单晶硅衬底上的CsPbX3外延薄膜，其中，X包括卤素。本发明解决了现有技术中纯无机钙钛矿（CsPbX3）薄膜主要在绝缘衬底（例如SrTiO3）上实现外延生长，从而限制了无机钙钛矿薄膜在半导体器件领域内广泛应用的技术问题，达到了在非绝缘的单晶硅衬底上生长无机钙钛矿外延薄膜，使无机钙钛矿外延薄膜在半导体器件领域中具有更广泛应用的技术效果。