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公开(公告)号：CN118973366A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411049420.9
申请日：2024-08-01
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明属于柔性自旋电子器件技术领域，具体涉及一种具有强磁交换偏置效应的氧化物转角异质结的制备及性能调控方法。通过将具有磁有序结构的自支撑单晶铁磁氧化物薄膜和反铁磁氧化物薄膜相互堆叠形成具有强界面磁耦合的转角磁异质结，并且通过增加覆盖层和堆叠角度调控转角磁异质结的磁性能。本发明通过将不同磁有序结构的自支撑反铁磁和铁磁层形成转角磁异质结，并通过控制耦合角度和距离，实现对转角磁异质结的交换偏置的调控。这不仅有利于研究转角磁电子学的物理机制，也为多功能的自旋电子学材料提供了材料基础和新颖有效调控手段。摘要附图为图10。
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