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公开(公告)号：CN103974918B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201280056372.5
申请日：2012-11-14
Applicant: 法国圣戈班玻璃厂
CPC classification number: C03C17/3441 , C03C2218/152 , C03C2218/153 , C03C2218/156 , C23C16/325 , C23C16/401 , C23C16/402 , Y10T428/265
Abstract: 本发明涉及一种包括透明玻璃基材和透明碳氧化硅(SiOxCy)层的窗玻璃，其中所述透明玻璃基材含有至少一种碱金属的离子，所述透明碳氧化硅(SiOxCy)层具有总厚度E并且具有：(a)从深度P3延伸到深度P4的富碳的深区域，其中C/Si原子比大于或等于0.5，及(b)从深度P1延伸到深度P2的贫碳的浅表区域，其中C/Si原子比小于或等于0.4，其中P1＜P2＜P3＜P4，和(P2-P1)+(P4-P3)＜E，在P1和P2之间的距离是碳氧化硅层的总厚度E的10％-70％，在P3和P4之间的距离是碳氧化硅层的总厚度E的10％-70％。
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公开(公告)号：CN103974918A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201280056372.5
申请日：2012-11-14
Applicant: 法国圣戈班玻璃厂
CPC classification number: C03C17/3441 , C03C2218/152 , C03C2218/153 , C03C2218/156 , C23C16/325 , C23C16/401 , C23C16/402 , Y10T428/265
Abstract: 本发明涉及一种包括透明玻璃基材和透明碳氧化硅(SiOxCy)层的窗玻璃，其中所述透明玻璃基材含有至少一种碱金属的离子，所述透明碳氧化硅(SiOxCy)层具有总厚度E并且具有：(a)从深度P3延伸到深度P4的富碳的深区域，其中C/Si原子比大于或等于0.5，及(b)从深度P1延伸到深度P2的贫碳的浅表区域，其中C/Si原子比小于或等于0.4，其中P1＜P2＜P3＜P4，和(P2-P1)+(P4-P3)＜E，在P1和P2之间的距离是碳氧化硅层的总厚度E的10％-70％，在P3和P4之间的距离是碳氧化硅层的总厚度E的10％-70％。
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公开(公告)号：CN102046547A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980119368.7
申请日：2009-03-25
Applicant: 法国圣戈班玻璃厂
CPC classification number: C03C3/078 , C03C8/02 , C03C8/04 , C03C8/16 , C03C8/18 , C03C21/003 , C03C21/005 , C03C21/008
Abstract: 根据本发明的方法基于两种特别地具有相同迁移性的离子与基材玻璃的离子，前述两种离子的至少一种以搪瓷形式进行使用。根据第一种实施方案，该方法包括以下步骤：a)在包含第一种离子的玻璃基材表面上以图案或者图案网络形式沉积搪瓷组合物，该组合物包含第二种选自Ag、Tl、Ba或者Cu离子或者其前体的离子；b)使基材温度升高至足以烧制该搪瓷；c)将基材浸入包含第三种具有几乎等于第二离子的迁移性的离子的熔融盐中；d)穿过该浸入的基材施加电场以使得来源于搪瓷的第二种离子和来源于熔融盐的第三种离子同时地替换在基材中的第一种离子；e)从该熔融盐中取出基材；和f)除去搪瓷。
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