公开(公告)号：CN106586942A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201611222748.1

申请日：2016-12-27

Applicant: 河海大学常州校区

Inventor： 齐本胜 ,  蔡春华 ,  朱念芳 ,  华迪 ,  谈俊燕

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01L9/12

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81C1/00182 ,  G01L9/12

Abstract: 本发明公开了一种基于单晶硅外延封腔工艺的气压传感器结构及其制备方法，具体是一种基于MEMS微加工技术的电容式气压传感器，由于外延单晶硅工艺成熟，其所形成的硅微结构机械性能良好，尤其利用外延单晶硅所形成的腔体结构密封性能十分优异。由此形成的电容式气压传感器电容值主要由薄膜体厚度决定，并受环境温度及压力影响。基于介电伸缩效应原理，电容介电材料介电常数值随所受压力的变化而变化，并且呈现明显的单调性，该特性可以实现压力或者气压等数据检测。结合MEMS微加工技术，该电容式气压传感器体积小，功耗低，响应时间短。

公开(公告)号：CN106744651A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710016949.4

申请日：2017-01-11

Applicant: 河海大学常州校区

Inventor： 蔡春华 ,  朱念芳 ,  齐本胜 ,  谈俊燕 ,  华迪 ,  曹元 ,  王海滨

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/02 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00015 ,  B81C1/00047 ,  B81C1/00349

Abstract: 本发明公开了一种基于单晶硅外延封腔工艺的电容式微电子气压传感器及其制备方法，具体是一种基于MEMS微加工技术的电容式气压传感器，由于外延单晶硅工艺成熟，其所形成的硅微结构机械性能良好，尤其利用外延单晶硅所形成的腔体结构密封性能十分优异。由此形成的电容式气压传感器电容值主要由薄膜体厚度决定，并受环境温度及压力影响。基于介电伸缩效应原理，电容介电材料介电常数值随所受压力的变化而变化，并且呈现明显的单调性，该特性可以实现压力或者气压等数据检测。结合MEMS微加工技术，该电容式气压传感器体积小，功耗低，响应时间短。