公开(公告)号：CN103886894A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410084629.9

申请日：2014-03-10

Applicant: 河海大学常州校区

Inventor： 王海滨 ,  林善明 ,  谢迎娟 ,  单鸣雷 ,  刘玉宏 ,  刘翔

IPC: G11C11/41

Abstract: 本发明公开了一种基于交叉耦合密勒电容抗SEU加固的新型存储单元，包括存储单元，其特征在于：所述存储单元为DICE存储单元，所述DICE存储单元四个节点中的每两个节点之间设置有密勒电容。本发明的有益之处在于：在DICE存储单元的节点之间连接交叉耦合密勒电容，可以实现用较小的电容获得较大的电容。在电路尺寸上，密勒电容不会明显增加器件面积，可以满足集成电路尺寸越来越小的要求。交叉耦合密勒电容的增加提高了节点翻转的临界点电荷，降低了相同数量的收集电荷能够引起的节点电压的改变，增加了DICE存储单元两个反相器之间的反馈延时时间，提高了DICE存储单元多节点抗SEU加固能力，避免两个节点同时受到辐射影响可能发生反转现象。

公开(公告)号：CN104022773A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201410287632.0

申请日：2014-06-24

Applicant: 河海大学常州校区

Inventor： 王海滨 ,  林善明 ,  谢迎娟 ,  单鸣雷 ,  刘玉宏 ,  刘翔

IPC: H03K19/003 ,  H03K3/037

Abstract: 本发明公开了一种基于DICE单元的新型抗SEU加固的SR锁存器，包括抗单粒子反转（Single Event Upset，SEU）加固和抗多节点反转（Multiple Node Upset,MBU）加固。该方案基于DICE单元实现SR锁存器功能，可以配置为正、负逻辑SR锁存器。本发明通过外部逻辑扩展可以改变为任何已知形式的锁存器或触发器。本发明可以作为存储器或抗辐射的存储器。本发明可以用于将不抗辐射的电路扩展为抗辐射的电路。本发明特有的控制PMOS管，通过PMOS管的关断来隔离SEU错误向相邻节点的传播，避免发生多节点反转，提高SR锁存器的SEU加固能力，提高集成电路的抗SEU能力。

公开(公告)号：CN104902623A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510240860.7

申请日：2015-05-12

Applicant: 河海大学常州校区

Inventor： 谢迎娟 ,  林善明 ,  范新南 ,  陈俊风 ,  刘翔 ,  刘玉宏

IPC: H05B37/02

CPC classification number: Y02B20/48

Abstract: 本发明提供一种基于互联网技术的智能路灯系统，包括下载在智能手机中的APP客户端和设置在路灯设备中的智能控制装置，所述APP客户端通过WiFi网络向智能控制装置发送路灯开、关或光线亮度指令，所述智能控制装置用于接收APP客户端发送的信号并控制路灯的开、关或光线亮度。可以通过智能手机控制路灯的开、关或光线亮度。