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公开(公告)号:CN104372196B
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201410528841.X
申请日:2014-10-09
Applicant: 河海大学
Abstract: 本发明涉及一种原位反应生成TiC弥散强化Cu合金的方法。具体如下:(1)将铜粉、钛粉和碳粉按比例称取,混合均匀后用压片机将混合粉末压制成预制块;(2)将电解铜和步骤(1)获得的预制块放入真空感应熔炼炉中,抽真空后加热熔化电解铜,待温度达到1350~1450℃时把预制块投入到熔体之中,保温后进行降温浇铸,自然冷却,得到平均粒径为0.5~1μm、含量1~2wt%的TiC弥散强化铜基合金。经测试含1%TiC的铸态显微硬度为92.8HV,导电率为76.5%IACS。本发明制备工艺简单,原位生成的TiC颗粒呈微团聚状均匀分布,颗粒细小且与基体结合良好,钛和碳反应完全,无杂质相的生成,材料性能较好。
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公开(公告)号:CN104372196A
公开(公告)日:2015-02-25
申请号:CN201410528841.X
申请日:2014-10-09
Applicant: 河海大学
Abstract: 本发明涉及一种原位反应生成TiC弥散强化Cu合金的方法。具体如下:(1)将铜粉、钛粉和碳粉按比例称取,混合均匀后用压片机将混合粉末压制成预制块;(2)将电解铜和步骤(1)获得的预制块放入真空感应熔炼炉中,抽真空后加热熔化电解铜,待温度达到1350~1450℃时把预制块投入到熔体之中,保温后进行降温浇铸,自然冷却,得到平均粒径为0.5~1μm、含量1~2wt%的TiC弥散强化铜基合金。经测试含1%TiC的铸态显微硬度为92.8HV,导电率为76.5%IACS。本发明制备工艺简单,原位生成的TiC颗粒呈微团聚状均匀分布,颗粒细小且与基体结合良好,钛和碳反应完全,无杂质相的生成,材料性能较好。
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