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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104924189B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201510322326.0
申请日：2015-06-13
Applicant: 河南科技学院
Abstract: 一种用于化学机械抛光超薄柔性显示衬底的抛光机，本发明的技术方案要点是，一种用于化学机械抛光超薄柔性显示衬底的抛光机，在放卷辊的后方设置有水平辊，水平辊的后方设置有后驱动轮装置，后驱动轮装置的后方设置有抛光辊机构，抛光辊机构的下方设置有清洗液收集装置，抛光辊前面、抛光辊机构的辊与辊之间设有抛光液喷淋装置，抛光辊机构的后方设有前驱动轮装置，前驱动轮装置的后方设有导轮，导轮的后方设有清洗机构，清洗机构的后方设有风淋装置，风淋装置的下方设有清洗液收集装置，风淋装置的后方设有收卷辊。本发明具有结构简单、成本低廉的优点。
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公开(公告)号：CN103381573A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201310200761.7
申请日：2013-05-27
Applicant: 河南科技学院
IPC: B24B37/14
Abstract: 一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘。本发明的技术方案要点是，本发明的技术方案要点是，一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘，它包括固结磨料层、联接层、金属基体层，固结磨料层按照重量百分比含量包括：磨料45～75%；氧化剂5～20%；助研剂5～20%；润滑剂1～5%；结合剂5～35%；填料1～10%。本发明能够有效降低SiC单晶基片的加工成本，并且提高了SiC单晶基片的加工质量。
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公开(公告)号：CN103381573B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310200761.7
申请日：2013-05-27
Applicant: 河南科技学院
IPC: B24B37/14
Abstract: 一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘。本发明的技术方案要点是，本发明的技术方案要点是，一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘，它包括固结磨料层、联接层、金属基体层，固结磨料层按照重量百分比含量包括：磨料45～75%；氧化剂5～20%；助研剂5～20%；润滑剂1～5%；结合剂5～35%；填料1～10%。本发明能够有效降低SiC单晶基片的加工成本，并且提高了SiC单晶基片的加工质量。
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公开(公告)号：CN104924189A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510322326.0
申请日：2015-06-13
Applicant: 河南科技学院
Abstract: 一种用于化学机械抛光超薄柔性显示衬底的抛光机，本发明的技术方案要点是，一种用于化学机械抛光超薄柔性显示衬底的抛光机，在放卷辊的后方设置有水平辊，水平辊的后方设置有后驱动轮装置，后驱动轮装置的后方设置有抛光辊机构，抛光辊机构的下方设置有清洗液收集装置，抛光辊前面、抛光辊机构的辊与辊之间设有抛光液喷淋装置，抛光辊机构的后方设有前驱动轮装置，前驱动轮装置的后方设有导轮，导轮的后方设有清洗机构，清洗机构的后方设有风淋装置，风淋装置的下方设有清洗液收集装置，风淋装置的后方设有收卷辊。本发明具有结构简单、成本低廉的优点。
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公开(公告)号：CN204736066U
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201520405228.9
申请日：2015-06-13
Applicant: 河南科技学院
Abstract: 一种用于化学机械抛光超薄柔性显示衬底的抛光机，本实用新型的技术方案要点是，一种用于化学机械抛光超薄柔性显示衬底的抛光机，在放卷辊的后方设置有水平辊，水平辊的后方设置有后驱动轮装置，后驱动轮装置的后方设置有抛光辊机构，抛光辊机构的下方设置有清洗液收集装置，抛光辊前面、抛光辊机构的辊与辊之间设有抛光液喷淋装置，抛光辊机构的后方设有前驱动轮装置，前驱动轮装置的后方设有导轮，导轮的后方设有清洗机构，清洗机构的后方设有风淋装置，风淋装置的下方设有清洗液收集装置，风淋装置的后方设有收卷辊。本实用新型具有结构简单、成本低廉的优点。
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