基于光子晶体的新型发光二极管

    公开(公告)号:CN103094436A

    公开(公告)日:2013-05-08

    申请号:CN201310018891.9

    申请日:2013-01-18

    Abstract: 基于光子晶体的新型发光二极管,设有LED芯片,LED芯片括基材、第一表面层、第二表面层和发光晶体层,所述的发光晶体层由N型材料层,N型电极层,有源层,P型材料层和P型电极层组成,利用光子晶体的光子禁带特性,即当频率位于光子禁带频率范围内的光入射到光子晶体时,由于光子晶体没有与之相对应的传输模式,入射波就会完全地被反射回去。因此可以在普通LED中加入光子晶体,使在LED内部发生折射、吸收等不能传输出来的光完全反射,变为能够传输出灯体被人们利用的光,从而提高发光功率能源的利用效率。

    基于光子晶体的发光二极管

    公开(公告)号:CN103094436B

    公开(公告)日:2016-04-13

    申请号:CN201310018891.9

    申请日:2013-01-18

    Abstract: 基于光子晶体的发光二极管,设有LED芯片, LED芯片括基材、第一表面层、第二表面层和发光晶体层,所述的发光晶体层由N型材料层,N型电极层,有源层,P型材料层和P型电极层组成,利用光子晶体的光子禁带特性,即当频率位于光子禁带频率范围内的光入射到光子晶体时,由于光子晶体没有与之相对应的传输模式,入射波就会完全地被反射回去。因此可以在普通LED中加入光子晶体,使在LED内部发生折射、吸收等不能传输出来的光完全反射,变为能够传输出灯体被人们利用的光,从而提高发光功率能源的利用效率。

    基于光子晶体的新型发光二极管

    公开(公告)号:CN203038963U

    公开(公告)日:2013-07-03

    申请号:CN201320027153.6

    申请日:2013-01-18

    Abstract: 基于光子晶体的新型发光二极管,设有LED芯片,LED芯片包括基材、第一表面层、第二表面层和发光晶体层,所述的发光晶体层由N型材料层,N型电极层,有源层,P型材料层和P型电极层组成,利用光子晶体的光子禁带特性,即当频率位于光子禁带频率范围内的光入射到光子晶体时,由于光子晶体没有与之相对应的传输模式,入射波就会完全地被反射回去。因此可以在普通LED中加入光子晶体,使在LED内部发生折射、吸收等不能传输出来的光完全反射,变为能够传输出灯体被人们利用的光,从而提高发光功率能源的利用效率。

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