公开(公告)号：CN114517197B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202210142371.8

申请日：2022-02-16

Applicant: 河南科技大学

Inventor： 庞新跃 ,  古绍彬 ,  吴影 ,  李欣 ,  赵守静 ,  赵丽娜 ,  马金亮 ,  王冰

IPC: C12N15/113 ,  C12N15/70 ,  C12N1/21 ,  C12R1/19

Abstract: 本发明属于调节基因表达的非编码核酸领域，具体涉及大肠杆菌sRNA120、DNA分子、重组载体及在调控细菌耐药能力方面的应用。该大肠杆菌sRNA120的核苷酸序列如SEQ IDNO：1所示。本发明首次披露和细菌耐药能力相关的大肠杆菌sRNA120，经实验证明，sRNA120过表达转基因大肠杆菌的耐药能力明显增强。基于sRNA120与大肠杆菌抵御抗生素的损伤有着十分重要的关联，可以为后续细菌耐药机制的研究提供菌株样本，并可以为sRNA120作为提高细菌抗逆性的靶点、诊断标记及药物靶点等提供重要的参考依据。

公开(公告)号：CN114517197A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202210142371.8

申请日：2022-02-16

Applicant: 河南科技大学

Inventor： 庞新跃 ,  古绍彬 ,  吴影 ,  李欣 ,  赵守静 ,  赵丽娜 ,  马金亮 ,  王冰

IPC: C12N15/113 ,  C12N15/70 ,  C12N1/21 ,  C12R1/19

Abstract: 本发明属于调节基因表达的非编码核酸领域，具体涉及大肠杆菌sRNA120、DNA分子、重组载体及在调控细菌耐药能力方面的应用。该大肠杆菌sRNA120的核苷酸序列如SEQ IDNO：1所示。本发明首次披露和细菌耐药能力相关的大肠杆菌sRNA120，经实验证明，sRNA120过表达转基因大肠杆菌的耐药能力明显增强。基于sRNA120与大肠杆菌抵御抗生素的损伤有着十分重要的关联，可以为后续细菌耐药机制的研究提供菌株样本，并可以为sRNA120作为提高细菌抗逆性的靶点、诊断标记及药物靶点等提供重要的参考依据。

公开(公告)号：CN206985094U

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201720270520.3

申请日：2017-03-20

Applicant: 河南科技大学

Inventor： 吴孜越 ,  郑君涛 ,  石锦洋 ,  季玉坤 ,  刘洋 ,  王冰 ,  杨俊朋 ,  肖荣浩

IPC: B65G47/74

Abstract: 本实用新型属于工业下料装置领域，特别是一种分类下料装置，包括外壳、安装在外壳上端的多个进料斗和一个安装在外壳内位于底部的出料斗，外壳两个侧壁上分别安装有一个安装有轴承的轴承座，两个轴承的内孔中支撑安装有分料筒，分料筒上开有与料斗相同数量的下料通道，每下料通道位于相应的料斗正下方，下料通道沿分料筒的直径方向贯通下料筒设置，且多个下料通道的轴线沿分料筒圆周方向均布；每个下料通道的侧壁上安装有一个可以更换的衬套。本实用新型的分类下料装置，下料筒上设有多个下料通道，通过下料筒的滚动控制不同原料的通过，因此仅需一个下料装置便可以下多种料，整个装置结构简单紧凑，成本低廉，效率很高。

公开(公告)号：CN205901069U

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201620861190.0

申请日：2016-08-10

Applicant: 河南科技大学

Inventor： 王辉 ,  王冰 ,  赵洋 ,  李新忠 ,  王静鸽 ,  李贺贺

IPC: H01S5/343

Abstract: 本实用新型涉及一种GaN基异质结绿光激光器件，包括蓝宝石衬底、蓝宝石衬底上外延生长的n-GaN电子注入层、n-GaN电子注入层上外延生长的InGaN/GaN量子阱层、InGaN/GaN量子阱层上的p-NiO外延层、设置在p-NiO外延层上的正电极和设置在n-GaN电子注入层上的负电极；本实用新型采用p-NiO代替p-GaN作为空穴注入层和光散射层，制备成p-NiO/(InGaN/GaN)MQW/n-GaN异质结绿光激光器件，可以克服p型GaN外延层载流子浓度偏低，器件串联电阻大，工作电压高，器件输出功率低等缺点；同时NiO与GaN有相似的晶格常数及禁带宽度，采用p-NiO作为p型材料与GaN基材料相匹配可以降低晶格失配，从而提高晶体质量。