公开(公告)号：CN108227048B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201810078435.6

申请日：2018-01-26

Applicant: 河南师范大学

Inventor： 路海 ,  董超 ,  张军 ,  夏世强 ,  沈克胜 ,  熊宗刚 ,  张现周

IPC: G02B1/115

Abstract: 本发明公开了硅晶圆上的一种低发射率红外增透膜，在双面抛光的硅晶片基底的两面分别沉积正面膜系和背面膜系，所述正面膜系的膜系结构为：基底/1.0814M/0.4048H/1.3307L/0.235M/0.608L/Air；所述背面膜系的膜系结构为：基底/1.3626M/0.5101H/1.6767L/0.24M/0.7661L/Air；其中H表示一个λ0/4光学厚度的Ge膜层，M表示一个λ0/4光学厚度的ZnS膜层，L表示一个λ0/4光学厚度的YF3膜层，λ0为中心波长，H、M和L前的数字为膜层的厚度比例系数。本发明提出了硅基底的一种具有低发射率的红外增透膜，增透区域光谱范围为广（3.5‑15μm范围内均有明显增透效果），且在4.5‑8.5μm范围内平均透过率≥97.6%，同时在工作波段内具有较低的发射率。

公开(公告)号：CN108227048A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201810078435.6

申请日：2018-01-26

Applicant: 河南师范大学

Inventor： 路海 ,  董超 ,  张军 ,  夏世强 ,  沈克胜 ,  熊宗刚 ,  张现周

IPC: G02B1/115

Abstract: 本发明公开了硅晶圆上的一种低发射率红外增透膜，在双面抛光的硅晶片基底的两面分别沉积正面膜系和背面膜系，所述正面膜系的膜系结构为：基底/1.0814M/0.4048H/1.3307L/0.235M/0.608L/Air；所述背面膜系的膜系结构为：基底/1.3626M/0.5101H/1.6767L/0.24M/0.7661L/Air；其中H表示一个λ0/4光学厚度的Ge膜层，M表示一个λ0/4光学厚度的ZnS膜层，L表示一个λ0/4光学厚度的YF3膜层，λ0为中心波长，H、M和L前的数字为膜层的厚度比例系数。本发明提出了硅基底的一种具有低发射率的红外增透膜，增透区域光谱范围为广（3.5‑15μm范围内均有明显增透效果），且在4.5‑8.5μm范围内平均透过率≥97.6%，同时在工作波段内具有较低的发射率。

公开(公告)号：CN207908721U

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201820136606.1

申请日：2018-01-26

Applicant: 河南师范大学

Inventor： 路海 ,  董超 ,  沈克胜 ,  熊宗刚 ,  张现周

IPC: G02B1/115

Abstract: 本实用新型公开了硅晶圆上的一种低发射率红外增透膜，在双面抛光的硅晶片基底的两面分别沉积正面膜系和背面膜系，所述正面膜系的膜系结构为：基底/1.0814M/0.4048H/1.3307L/0.235M/0.608L/Air；所述背面膜系的膜系结构为：基底/1.3626M/0.5101H/1.6767L/0.24M/0.7661L/Air；其中H表示一个λ0/4光学厚度的Ge膜层，M表示一个λ0/4光学厚度的ZnS膜层，L表示一个λ0/4光学厚度的YF3膜层，λ0为中心波长，H、M和L前的数字为膜层的厚度比例系数。本实用新型提出了硅基底的一种具有低发射率的红外增透膜，增透区域光谱范围为广（3.5-15μm范围内均有明显增透效果），且在4.5-8.5μm范围内平均透过率≥97.6%，同时在工作波段内具有较低的发射率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利