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公开(公告)号：CN109534308A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201910029191.7
申请日：2019-01-12
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明涉及一种大尺寸颗粒状磷化锡化合物的制备方法，具体以：将红磷、单质锡、与单质碘一同密封于石英管中，放于单温区管式炉中，通过升温和降温程序制备磷化锡化合物。所得磷化锡化合物Sn4P3的形状为颗粒状，尺寸为250nm～4μm，本发明使用无毒的磷源，在比较温和的条件下制备出了大尺寸颗粒状磷化锡化合物。在荧光测试中，本发明制备的颗粒状磷化物显示出非常好的荧光性质，在778nm处荧光峰强达到了18,000,000。本发明所制备的磷化锡化合物还可以在制备三阶非线性材料中进行应用。
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公开(公告)号：CN109065649A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810789650.7
申请日：2018-07-18
Applicant: 河南大学
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 为制备ZTO‑AgNWs/CBS‑GNs柔性薄膜太阳能电池，首先，将银纳米线分散到离子液(EMIMBF4)和超纯水混合溶液中，搅拌得到AgNWs均匀分散液，利用旋涂沉积技术将AgNWs沉积在聚对苯二甲酸丁二酯(PET)基底上制备柔性电极；其次，采用低温溶液法制备ZTO纳米颗粒，将所得ZTO纳米颗粒和AgNWs(0.2~1.6mol%)均匀分散到EMIMBF4和超纯水(体积比1:5)混合溶液中，旋涂沉积得到ZTO‑AgNWs电子传输层；最后，在CBS纳米带溶液中引入GNs(0.8wt%)得到CBS‑GNs复合体系，沉积CBS‑GNs光敏层、NiO空穴传输层和金属对电极，组装成薄膜太阳能电池。
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公开(公告)号：CN107403853A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710455819.0
申请日：2017-06-16
Applicant: 河南大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/032 , H01L31/074 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/022425 , H01L31/028 , H01L31/032 , H01L31/074
Abstract: 本发明以不锈钢滤网(SSM)为柔性衬底，制备ZTO纳米线与ZnO纳米线复合光阳极(ZTO-ZnO)、Cu4Bi4S9纳米带与石墨烯片复合光敏层(CBS-GSs)以及薄膜结构(ZTO-ZnO/CBS-GSs)，并组装成太阳能电池。该太阳能电池所需原料储量丰富、制备方法简单、重复性好、安全环保，在实验室阶段平均光电转换效率已达10.3%，最佳光电转换效率已超过11%。用平镊1000次折弯以后仍然呈现出良好的柔韧性和可弯曲性，光电转换效率仍保持在95%以上。该新型薄膜太阳能电池柔性好、应用弹性大、适应性强，如果应用到新能源领域，将大大缓解能源危机和环境污染等问题，因此具有非常广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113981533B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202111269115.7
申请日：2021-10-29
Applicant: 河南大学
IPC: C30B25/18 , C30B29/08 , C30B29/60 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C14/54 , C23C16/26 , C23C28/00
Abstract: 本发明提供了一种一维单晶锗基石墨烯等离激元纳米结构的制备方法，步骤如下：（1）在衬底上利用磁控溅射的方法溅射金纳米薄膜；（2）在步骤（1）得到的衬底上采用化学气相沉积生长掺杂锗单晶纳米线；（3）在步骤（2）得到的掺杂锗单晶纳米线表面采用化学气相沉积直接生长高质量石墨烯，获得一维锗基石墨烯表面等离激元纳米结构。本发明通过化学气相沉积法在锗单晶纳米线表面直接生长石墨烯，避免了传统的石墨烯薄膜转移过程，最大程度上减小了转移过程对石墨烯载流子迁移率的影响，增强了锗与石墨烯之间中红外表面等离激元的耦合。本发明所提供的材料具有强烈且可调的表面等离激元效应，有望在分子指纹检测、中红外传感、光子芯片等领域广泛应用。
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公开(公告)号：CN111892080B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202010785908.3
申请日：2020-08-07
Applicant: 河南大学
IPC: C01G19/02 , C01B32/184 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种石墨烯与氧化锡空心球复合纳米材料的制备方法，步骤包括：往K2SnO3·3H2O中加入去离子水，将尿素与乙醇溶液混合，将硫酸钾水溶液与尿素溶液合并超声波处理形成混合液；将氧化石墨烯分散到水中，加入混合液搅拌均匀，然后转移到聚四氟乙烯作为内衬的高压不锈钢反应釜中，放入真空干燥箱中反应；反应结束后将高压反应釜迅速放入冰水中淬灭，将冷却后的液体分别用去离子水和无水乙醇洗涤后真空干燥，即得G/SnO2空心球复合纳米材料。本发明合成的G/SnO2空心球复合纳米材料的三阶非线性吸收为饱和吸收、三阶非线性折射为自聚焦，有望应用于锁膜脉冲激光器、光存储器、光调制器等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111604064A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010399299.8
申请日：2020-05-12
Applicant: 河南大学
IPC: B01J27/057 , H01L33/50
Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种硒化锌微球的无污染水热法合成方法，该方法以硒代硫酸钠为硒源、以水合肼为还原剂，该原料无毒、易得，整个合成过程操作简单、无污染，对操作人员无伤害。本发明还公开了一种硒化锌微球与石墨烯复合材料的合成方法，制备过程同样操作简单、无毒、无污染，所得复合材料的荧光强度比ZnSe单体的荧光强度强，荧光寿命时间较长，可以达到微秒，有望应用到发光二极管领域。
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公开(公告)号：CN109748322B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201811537297.X
申请日：2018-12-15
Applicant: 河南大学
IPC: C01G45/00 , B82Y40/00 , C01B32/184 , C01B32/194 , G02F1/355
Abstract: 本发明提供α‑MnS纳米粒子和α‑MnS/rGO复合材料的合成方法及应用，包括：将MnCl2·4H2O和硫代乙酰胺加入到乙二醇中，搅拌，超声，然后将溶液转移到聚四氟乙烯内衬不锈钢高压釜中，在190℃条件下密封加热反应6～14h；反应完成后离心，洗涤，干燥，得α‑MnS纳米粒子。当在上述原料中加入氧化石墨烯，可合成α‑MnS/rGO复合材料。本发明通过水热法可一步合成纯的无掺杂的α‑MnS纳米粒子或者α‑MnS/rGO复合材料，不需要经过退火反应。所得的α‑MnS纳米粒子和α‑MnS/rGO复合材料具有良好的三阶非线性光学特性。
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公开(公告)号：CN111924812A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010785907.9
申请日：2020-08-07
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种石墨烯与硒化锌@硒化镉核壳微球复合纳米材料的制备方法，包括以下步骤：往硒粉和亚硫酸钠中加入去离子水，氮气保护下边搅拌边加热反应，得到硒代硫酸钠溶液；将乙酸锌、乙酸镉和氧化石墨烯溶解于水，加入硒代硫酸钠溶液，边搅拌边加入水合肼，转移到聚四氟乙烯作为内衬的高压反应釜中80℃下反应5h；然后将高压反应釜放入冰水中淬灭，用去离子水和无水乙醇洗涤后再真空干燥，即得G/ZnSe@CdSe复合纳米材料。本发明制备的G/ZnSe@CdSe复合纳米材料三阶非线性吸收为饱和吸收、三阶非线性折射为自聚焦，有望应用于锁膜脉冲激光器、光开关、光存储器、光调制器等新型光控领域。
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公开(公告)号：CN107222304B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201710416133.0
申请日：2017-06-06
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明提出了一种多体并行S盒的电路结构，用以解决现有并行S盒电路结构成本高、初始化时间长的问题；包括存储模块和多路选择器模块，存储模块包括数据输入端Data、地址输入端Addr和写使能输入端Wr和k个数据位宽为m比特的数据输出端；多路选择器模块包括有k个数据位宽为m比特的数据输入通道、t个数据位宽为n比特的通道选择输入端、t个数据位宽为m比特的S盒数据输出端，数据输入通道分别与存储模块的数据输出端相连接。本发明实现了多个S盒随机并行访问，能够一次进行多个S盒替换操作，节省大量的存储器资源，仅需要对存储器进行一次S盒内容加载，就实现对多个相同S盒的初始化，节省存储器的加载时间。
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公开(公告)号：CN109065724B
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201810788053.2
申请日：2018-07-18
Applicant: 河南大学
Abstract: 为制备基于Mo‑TiO2‑AgNWs柔性钙钛矿太阳能电池，首先，将购置超细银纳米线分散到离子液(EMIMBF4)和超纯水(体积比1:5~10)混合溶液中，连续搅拌使AgNWs均匀分散，利用旋涂沉积技术将AgNWs沉积在聚对苯二甲酸丁二酯(PET)基底上得到透明电极；其次，在TiO2前驱体溶液中同时引入Mo离子掺杂和AgNWs，旋涂沉积得到Mo‑TiO2‑AgNWs电子传输层，随后沉积C60自组装单层；最后，采用两步连续法沉积CH3NH3I溶液和PbI2溶液得到CH3NH3PbI3，旋涂沉积空穴传输材料(Spiro‑OMeTAD)，并利用真空蒸镀技术沉积Au对电极。
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