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公开(公告)号：CN112745852B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110264088.8
申请日：2021-03-11
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明提出的是一种ZnSe/ZnS核壳结构量子点，其结构包括准体相ZnSe量子点和ZnS壳层；其中，以准体相ZnSe量子点为核，在准体相ZnSe量子点外包覆ZnS壳层。一种制备ZnSe/ZnS核壳结构量子点的方法，该方法包括以下步骤：（1）制备准体相ZnSe晶核；（2）在准体相ZnSe晶核外包覆ZnSe壳层形成准体相ZnSe量子点；（3）在准体相ZnSe量子点外包覆ZnS壳层。本发明的有益效果：1）本发明制备的ZnSe/ZnS核壳结构量子点，具有稳定性佳，荧光量子产率高，尺寸分布均匀，单分散性良好，半峰宽窄的优点；2）本发明制备的ZnSe/ZnS核壳结构量子点具有准体相特征。
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公开(公告)号：CN108559483B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201810482250.1
申请日：2018-05-18
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明涉及半导体功能材料技术领域，特别涉及一种非闪烁量子点及其制备方法。本发明将壳层生长温度控制在比核体生长温度高5～80℃，使壳层源各组分在高温条件下反应，促进壳层源各离子的相互渗透，消除壳层晶体内部的缺陷，进而得到晶相稳定的富集ZnSe材料，避免富集ZnSe材料被空气中的氧气氧化；同时，本发明还通过壳层源添加方式的设置，避免壳层源的各组分单独成核，进而得到以富集ZnSe材料为壳层的核壳结构量子点。利用上述方案得到的量子点的亮态比为90～100％，属于典型的非闪烁量子点。
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公开(公告)号：CN107350483B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201710576268.3
申请日：2017-07-14
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明提供了一种梯度合金量子点及其制备方法，制备方法包括：将单质硒、镉源、锌源和不含磷有机溶剂混合后升温至第一温度进行保温，得到量子点前驱体后，将量子点前驱体升温至第二温度进行保温，得到梯度合金量子点。本发明采用一锅法合成ZnxCd1‑xSe(0＜x＜1)简化了制备过程中的工序，同时以单质硒作为硒源，无需使用含磷有机溶剂，环保且成本低，可节约成本60％以上。本发明将锌源、镉源和单质硒与不含磷有机溶液混合，利用锌源、镉源与单质硒的不同的反应速率，采用梯度升温的方式，进行分步升温和分阶段保温，制备得到梯度合金量子点，相对于组分固定的量子点(如CdSe，ZnSe)具有更高的稳定性和高的量子产率。
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公开(公告)号：CN103215034A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310085084.9
申请日：2013-03-15
Applicant: 河南大学
IPC: C09K11/62
Abstract: 本发明涉及荧光半导体纳米材料制备技术领域，特别涉及到一种低成本，环保，简单，可控的合成高质量CuInZnxS2+x/ZnS（0≤x≤1）核壳结构半导体纳米晶的方法。通过采用常规的铜盐，铟盐，锌盐作为阳离子前驱体，采用硫醇作为硫源和表面配体，合成的CuInZnxS2+x/ZnS（0≤x≤1）核壳结构半导体纳米晶荧光范围可以在530-830nm之间连续调节，荧光量子产率处于40-70%，稳定性好。本发明为CuInZnxS2+x/ZnS（0≤x≤1）核壳结构半导体纳米晶的工业化大规模合成提供了一个新的方法。
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公开(公告)号：CN102976289A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210436506.8
申请日：2012-11-01
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明特别涉及一种使用一类具有类似结构的、稳定的含膦有机化合物（如二辛基氧化膦等）作为碲粉、硒粉或硫粉的新型溶剂，并使用这种新型的碲、硒或硫溶液作为前驱体制备各种含碲、硒或硫纳米晶的方法，本方法避免了目前国际上的普遍使用三丁基膦（tributylphosphine, TBP）或三辛基膦（trioctylphosphine, TOP）溶解碲、硒或硫生成碲、硒或硫的前驱体来制备含碲、硒或硫纳米晶所带来的高成本，高危险性。合成方法操作安全，易操作，重复性好，使用的都是常规的稳定的低毒害的药品。合成的含碲、硒或硫纳米晶质量达到甚至超过使用TOP/TBP等易燃易爆化合物合成的含碲、硒或硫纳米晶质量。其在实验室以及工业生产方面都有很高的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101830445A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200910227484.2
申请日：2009-12-15
Applicant: 河南大学
IPC: C01B19/04 , C01B19/00 , C01G11/02 , C01G15/00 , C01G3/12 , C01G19/00 , C01G21/21 , C01G45/00 , C01B17/42 , B22F9/24 , B82B3/00
Abstract: 一种以乙酰丙酮盐为原料合成无机纳米晶的新方法本发明(即一种以乙酰丙酮盐为原料合成无机纳米晶的新方法)是采用金属氯化盐、硝酸盐、醋酸盐、高氯酸盐、磷酸盐等为原料，首先合成乙酰丙酮金属盐，然后再以乙酰丙酮盐为前躯体合成Ⅱ-Ⅵ族、Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族、Cu、Ag等金属等纳米材料。本方法所用原料廉价、易得，实验操作简单并且具有普适性。合成的乙酰丙酮盐在反应过程中活性适中，使得反应容易控制，可操作性强。本方法除适用于以上纳米材料的合成外还适用于PbS、PbSe、PbTe、SnS、SnSe、SnTe、MnS、MnSe、CaS、CaSe、InS、InSe、GaS、GaSe、CuS、Cu2S以及CuInGaS、CuInGaSe、Cu2ZnSnS4等纳米材料的合成。基于以上特点，本方法无论是在实验室合成还是工业合成都具有巨大的应用价值。？
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公开(公告)号：CN101275077A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810049642.5
申请日：2008-04-25
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明涉及一种掺杂半导体纳米晶及其制备方法。所述掺杂半导体纳米晶为MnSe/ZnSe/ZnS，是以Mn掺杂ZnSe半导体纳米晶为壳，其外包覆有ZnS层的核壳结构纳米晶。本发明提供的半导体纳米晶荧光峰位可覆盖范围为570－610nm，单分散性好，量子产率可达50％以上，荧光稳定性高。合成方法简单，掺杂工序简单、掺杂量便于控制，同时避免了易燃易爆药品的使用。
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公开(公告)号：CN101260294A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810049316.4
申请日：2008-03-06
Applicant: 河南大学
IPC: C09K11/02
Abstract: 本发明涉及一种核壳结构纳米晶的制备方法，将点状颗粒的含硒化合物纳米晶溶于加有添加剂的溶剂并于惰性环境下将溶液中的氧气排除得到溶液1，然后将12族元素的前驱体与硫分别溶于相同溶剂的溶液混合得到混合液2，将混合液2滴加至溶液1中，混合溶液加热至120－280℃使纳米晶生长，得到以含硒化合物纳米晶为核，以硫化物为壳的核壳结构纳米晶；所述添加剂为含碳数不小于10的有机胺或有机酸；所述溶剂为溶点不大于60℃的非配位溶剂；硫与12族元素的物质的量比为1∶1－1.5。本发明方法工序简单，便于操作，溶剂环保且成本低，可节约成本50％以上，本方法无论是在实验室合成还是工业合成上都具有巨大的应用价值。
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公开(公告)号：CN120076682A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510275728.3
申请日：2025-03-10
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明公开一种直接光刻量子点图案化方法及其制得的QLED器件，属于量子点（QD）纳米技术领域，通过在甲苯QD溶液中加入空穴传输材料poly((9,9‑dioctylfluorenyl‑2,7‑diyl)‑alt‑(9‑(2‑ethylhexyl) ‑carbazole‑3,6‑diyl))（PF8Cz）和光引发剂二苯甲酮（BP）或双二苯甲酮（BPBP），使QD混合溶液具有光敏特性，选择性曝光，改变QD在原溶液中的溶解度，再进行显影，从而实现QD直接光刻图案化，得到高分辨率和高精度的QD图案，并制备出性能良好的图案化QLED器件。其主要反应机理在于BP或BPBP经紫外曝光后，分子中的C=O转化为活性自由基，并与PF8Cz中的烷基支链发生交联发应，形成交联网络，进而将曝光区域QD固定下来，形成QD图案。这种图案化方式不需要量子点配体的参与，减少了量子点配体脱落风险，能够降低光刻过程对QD发光性能的损伤。
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公开(公告)号：CN114507526B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210230639.3
申请日：2022-03-10
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明提出的是一种硒元素贯穿的核壳结构量子点，其结构包括CdSe晶核和硒元素贯穿的壳层，硒元素贯穿的壳层生长在CdSe晶核的外层；所述硒元素贯穿的壳层包括CdZnSe壳层，CdZnSe壳层生长在CdSe晶核的外层。一种硒元素贯穿的核壳结构量子点的制备方法，该方法包括以下步骤：1、制备CdSe晶核；2、在CdSe晶核外包覆生长CdZnSe壳层，形成CdSe/CdZnSe核壳结构量子点。本发明解决了现在硒元素贯穿核壳结构量子点在壳层生长过程中由于壳层材料与晶核之间固有的较大晶格失配度以及壳层生长温度较低等原因导致的量子产率降低、荧光半峰宽宽化等问题。
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