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公开(公告)号：CN110149072A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910529652.7
申请日：2019-06-19
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明公开了一种新型的低频风能收集器，包括风力组件、支撑套筒、摩擦发电组件、电磁发电组件；所述风力组件，包括扇叶和转轴，扇叶安装在转轴的一端，转轴的另一端插入支撑套筒内并与支撑套筒通过轴承连接；摩擦发电组件和电磁发电组件安装在支撑套筒内，且摩擦发电组件套设在转轴上并随转轴转动，电磁发电组件安装在摩擦发电组件和支撑套筒之间并与摩擦发电组件并联连接。本发明构简单、可移植性强、成本低，非常适用于人们日常生活中复杂的外界环境，可以大规模、多地区布置。并且电磁式与摩擦电式的能量收集技术相复合，很好地实现了在低频条件下高效的收集风能，极大地拓宽了本发明的适用范围。
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公开(公告)号：CN111747375B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202010650152.1
申请日：2020-07-08
Applicant: 河南大学
Abstract: 一种用于调控p‑Si/n‑ZnO薄膜异质结电学性能和光电输出的方法，涉及半导体异质结器件领域，包括悬臂梁式的应变机构，应变机构包括夹片结构和运动结构，p‑Si/n‑ZnO薄膜异质结器件作为悬臂梁，运动结构包括压片器和运动电机，压片器可随运动电机移动，运动电机可以精确控制运动距离并实现锁定定位，运动电机控制所述压片器下压，造成悬臂梁的弯曲，悬臂梁的弯曲形变会等效一部分在p‑Si/n‑ZnO薄膜异质结器件的厚度方向上，从而造成纵向压应变的产生，随着运动电机行程的变化，本发明制备高质量的p‑Si/n‑ZnO薄膜异质结器件，并提供在压电电子学和压电光电子学框架内调控器件的电子学和光电子学性能方案，这在一定程度上拓宽了压电电子学和压电光电子学的应用范围。
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公开(公告)号：CN110149072B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201910529652.7
申请日：2019-06-19
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明公开了一种低频风能收集器，包括风力组件、支撑套筒、摩擦发电组件、电磁发电组件；所述风力组件，包括扇叶和转轴，扇叶安装在转轴的一端，转轴的另一端插入支撑套筒内并与支撑套筒通过轴承连接；摩擦发电组件和电磁发电组件安装在支撑套筒内，且摩擦发电组件套设在转轴上并随转轴转动，电磁发电组件安装在摩擦发电组件和支撑套筒之间并与摩擦发电组件并联连接。本发明结构简单、可移植性强、成本低，非常适用于人们日常生活中复杂的外界环境，可以大规模、多地区布置。并且电磁式与摩擦电式的能量收集技术相复合，很好地实现了在低频条件下高效的收集风能，极大地拓宽了本发明的适用范围。
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公开(公告)号：CN111747375A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010650152.1
申请日：2020-07-08
Applicant: 河南大学
Abstract: 一种用于调控p-Si/n-ZnO薄膜异质结电学性能和光电输出的方法，涉及半导体异质结器件领域，包括悬臂梁式的应变机构，应变机构包括夹片结构和运动结构，p-Si/n-ZnO薄膜异质结器件作为悬臂梁，运动结构包括压片器和运动电机，压片器可随运动电机移动，运动电机可以精确控制运动距离并实现锁定定位，运动电机控制所述压片器下压，造成悬臂梁的弯曲，悬臂梁的弯曲形变会等效一部分在p-Si/n-ZnO薄膜异质结器件的厚度方向上，从而造成纵向压应变的产生，随着运动电机行程的变化，本发明制备高质量的p-Si/n-ZnO薄膜异质结器件，并提供在压电电子学和压电光电子学框架内调控器件的电子学和光电子学性能方案，这在一定程度上拓宽了压电电子学和压电光电子学的应用范围。
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