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公开(公告)号：CN111874891A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010713285.9
申请日：2020-07-22
Applicant: 河北同光晶体有限公司
IPC: C01B32/184 , H01L31/028 , H01L31/103 , H01L31/18 , H01L29/16 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开一种基于高纯半绝缘碳化硅衬底制备周期性pn结石墨烯的方法，属于微电子材料技术领域。本发明采用热解碳化硅制备石墨烯的方法，首先利用氢刻蚀的方法在碳化硅衬底表面刻蚀出规则的台阶，再在刻蚀后的碳化硅硅面生长出单层石墨烯条带和缓冲层结构交替的结构。最后通过氢钝化技术将原有的缓冲层结构转变为p型导电的石墨烯，而原有单层石墨烯仍保持为n型导电。从而就可以制备出周期性pn结石墨烯。本发明方法制备的高品质周期性pn结石墨烯，可以广泛地应用在增强型光电探测器、光敏元件以及逻辑运算场效应晶体管等信息电子器件领域。
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公开(公告)号：CN110656376A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910881831.7
申请日：2019-09-18
Applicant: 河北同光晶体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于可控生长中心制备碳化硅单晶的方法，属于晶体生长领域。本发明通过在粉料和生长腔室内放置偏向的生长组分导流装置来调控生长组分流的传输方向和输运组分流密度，优先形成一条狭长的生长中心小面并保持一直处于生长面边缘位置，从而使得所需单晶直径内维持均衡的台阶流生长模式，并可完整地维持籽晶的晶型，最终能够获得单一晶型高质量的碳化硅晶体。本发明方法制备的高质量碳化硅单晶，可广泛地应用在新能源电动汽车、机车牵引、工业自动化、不间断电源、大功率充电桩以及能源互联网等电力电子领域。
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公开(公告)号：CN110565167A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910763008.6
申请日：2019-08-19
Applicant: 河北同光晶体有限公司
Abstract: 本发明公开一种用于PVT法生长SiC单晶的装料装置及装料方法，属于晶体生长领域。该装置包括坩埚和用于将坩埚内部空间的侧部和中部隔开的辅助装料装置。该装料方法中不同颗粒大小的原料在坩埚内摆放的位置不同，所起的作用不同，大颗粒原料在边缘，可以增加坩埚内侧部原料区域的热导率，降低边缘局部过热产生的原料碳化，小颗粒料在表面，填缝能力强，可以有效的阻挡底部碳化的C颗粒向上输运。这种装料方法可有效减少晶体中的包裹物，提高晶体质量，还可以使晶体生长更厚，增加产量，同时不引入新材料或新装置，不增加额外生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107955969A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201711465087.X
申请日：2017-12-28
Applicant: 河北同光晶体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种持续供料的SiC单晶生长系统，主要包括：生长炉、坩埚和传动装置，其中，所述坩埚包括：上坩埚和下坩埚，其中，所述上坩埚固定于炉腔的上部，在所述上坩埚内的顶部固定有籽晶；所述下坩埚位于炉腔的下部，在所述下坩埚内设有SiC粉料，且多个所述下坩埚分别设置于所述传动装置上，通过所述传动装置将所述多个下坩埚交替上升至炉腔的上部与所述上坩埚连接，进行所述SiC粉料的持续替换。本发明把坩埚分离为上下两个部分，上部固定籽晶，下部装粉料，晶体生长到一定阶段后，利用传动装置下部碳化消耗过的粉料替换成新粉料，在晶体生长过程中粉料可以不断替换，实现了晶体的不断生长和C包裹物的减少。
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公开(公告)号：CN113334592A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110646302.6
申请日：2021-06-10
Applicant: 河北同光晶体有限公司
Abstract: 本发明公开一种碳化硅晶体的切割方法，涉及碳化硅晶体技术领域，用于解决现有的碳化硅切割方法成本高、效率低且切割面粗糙的技术问题。本发明所述的碳化硅晶体的切割方法，包括以下步骤：根据具体的碳化硅晶体的晶体结构确定该晶体的解理方向或解理面；根据需要加工碳化硅晶体样品的尺寸和形状，确定需要切割的轨迹；采用特定的加工工艺，在确定的轨迹上制作出一定深度的凹槽；在已制作出的凹槽位置施加作用力，或对碳化硅晶体进行快速热处理，使碳化硅晶体沿凹槽完全开裂，得到具有光滑平整断面的小块碳化硅单晶体。
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公开(公告)号：CN110656376B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201910881831.7
申请日：2019-09-18
Applicant: 河北同光晶体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于可控生长中心制备碳化硅单晶的方法，属于晶体生长领域。本发明通过在粉料和生长腔室内放置偏向的生长组分导流装置来调控生长组分流的传输方向和输运组分流密度，优先形成一条狭长的生长中心小面并保持一直处于生长面边缘位置，从而使得所需单晶直径内维持均衡的台阶流生长模式，并可完整地维持籽晶的晶型，最终能够获得单一晶型高质量的碳化硅晶体。本发明方法制备的高质量碳化硅单晶，可广泛地应用在新能源电动汽车、机车牵引、工业自动化、不间断电源、大功率充电桩以及能源互联网等电力电子领域。
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公开(公告)号：CN107976410B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201711459794.8
申请日：2017-12-28
Applicant: 河北同光晶体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种鉴定工业化体块SiC单晶晶型的方法，主要包括如下步骤：（1）将被测体块SiC样品置入加热炉，控制光照条件，在室温下观察所述SiC样品的颜色；（2）将所述SiC样品加热至200‑450℃；（3）控制与步骤（1）相同的所述光照条件，观察加热后的SiC样品的颜色，颜色发生显著加深的是6H‑SiC晶型，否则为4H‑SiC晶型。本发明利用4H‑SiC及6H‑SiC禁带宽度差及200‑450℃之间对可见光吸收的差异，通过颜色的变化实现晶型判断，本发明简单便捷，测试成本低且无需昂贵复杂的表征设备。
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公开(公告)号：CN110670123A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910900730.X
申请日：2019-09-23
Applicant: 河北同光晶体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种延续单一生长中心制备碳化硅单晶的方法，属于晶体生长领域。本发明通过选择具有单一生长中心的碳化硅单晶生长前沿作为下次生长的籽晶，可以有效地避免生长初期出现的多核生长现象，经过多次延续单一生长中心后，碳化硅单晶中的成对反向螺位错会发生聚并湮灭，从而可以降低单晶中的内部缺陷密度。通过本发明方法，能够获得质量越来越好的低缺陷密度碳化硅晶体。本发明制备的碳化硅单晶可以更好地应用在航天、航空、航母等国防军工领域，也可广泛地应用在工业自动化、新能源汽车、家电、5G通讯等民用领域。
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