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公开(公告)号：CN111397360A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010316799.0
申请日：2020-04-21
Applicant: 沈阳广泰真空科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种三段式真空烧结装置，包括烧结室、进料室和出料室，烧结室上设有第一密封门；进料室上设有第二密封门，进料室内设有第一搬运机构，在进料室通过第二密封门和第一密封门对接与进料室连通后，第一搬运机构将进料室内的物料搬运至烧结室内；出料室上设有第三密封门和气体冷却机构，出料室内设有第二搬运机构，在出料室通过第三密封门和第一密封门对接与出料室连通后，第二搬运机构将烧结室内的物料搬运至出料室内；其中，进料室和出料室上分别设有真空排气机构。本发明实现了对物料的预抽真空、真空加热、气体冷却处理三道工序进行有序的分割，避免了处理工序的相互交叉，实现了工艺之间的独立。
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公开(公告)号：CN110965036A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201911365622.3
申请日：2019-12-26
Applicant: 沈阳广泰真空科技有限公司
Abstract: 本发明涉及稀土永磁体表面物理气相沉积稀土金属材料的设备，具体为稀土永磁体表面真空镀膜设备。解决现有稀土永磁体真空镀膜设备存在的沉积速率较低、电耗高以及靶材利用率较低的问题。该设备包括壳体，阴极板和设置于阴极板上的稀土金属靶材，靶材背部设置有磁性材料；靶材由多个分段靶材等距或不等距间隔排列而成且整体呈条形长方体状，每个分段靶材的长度L1是整体靶材长度L的2%－15%，相邻分段靶材之间的间隔L2是分段靶材长度L1的30%－50%；靶材背部设置的磁性材料形成的磁场强度为80GS～180GS；壳体内氩气的充入量使壳体内真空度保持在0.8Pa～3Pa。本发明提高了靶材利用率和沉积速率，电耗大幅度降低。
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公开(公告)号：CN110965036B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201911365622.3
申请日：2019-12-26
Applicant: 沈阳广泰真空科技有限公司
Abstract: 本发明涉及稀土永磁体表面物理气相沉积稀土金属材料的设备，具体为稀土永磁体表面真空镀膜设备。解决现有稀土永磁体真空镀膜设备存在的沉积速率较低、电耗高以及靶材利用率较低的问题。该设备包括壳体，阴极板和设置于阴极板上的稀土金属靶材，靶材背部设置有磁性材料；靶材由多个分段靶材等距或不等距间隔排列而成且整体呈条形长方体状，每个分段靶材的长度L1是整体靶材长度L的2%－15%，相邻分段靶材之间的间隔L2是分段靶材长度L1的30%－50%；靶材背部设置的磁性材料形成的磁场强度为80GS～180GS；壳体内氩气的充入量使壳体内真空度保持在0.8Pa～3Pa。本发明提高了靶材利用率和沉积速率，电耗大幅度降低。
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公开(公告)号：CN112522679A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011416265.1
申请日：2020-12-07
Applicant: 沈阳广泰真空科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种PVD设备的双面镀膜控制方法、装置及系统，涉及镀膜技术领域，可以解决在控制执行PVD设备的双面镀膜时，采用人工判断、翻面及启停弧源等方式，导致人工成本较高，且镀膜效率较低、误差率较大的问题。其中方法包括：利用前升降料台系统接收用于盛装目标物料的目标料盘，并采集所述目标料盘的工作信息；基于所述工作信息控制翻转台系统以及镀膜主机执行所述目标物料下的双面镀膜操作。本申请适用于对PVD设备的双面镀膜控制。
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公开(公告)号：CN111536792A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010389975.3
申请日：2020-05-11
Applicant: 沈阳广泰真空科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钐钴永磁材料真空烧结炉，在需对保温层所围成的腔体内加热时，第一遮挡部遮挡进风孔，且第二遮挡部遮挡出风孔，然后利用多区加热器对腔体内的各区域同时加热，提高加热的均匀性，从而提高钐钴永磁材料的一致性。在需对保温层所围成的腔体内进行冷却时，第一遮挡部避让进风孔，且第二遮挡部避让出风孔，然后利用充气装置向腔体内冲入惰性气体，再利用外循环冷却装置将冷却惰性气体由外循环冷却系统的出风口吹向保温层的进风孔，从保温层的出风孔排出，经空气流道流向外循环冷却装置的回风口，被外循环冷却系统冷却，实现了产生循环的冷却气体对钐钴永磁材料进行降温，从而提高冷却速度，进而提高钐钴永磁材料的性能和一致性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111397359A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010315703.9
申请日：2020-04-21
Applicant: 沈阳广泰真空科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种分体式真空烧结装置，包括烧结室和物料转移机构，烧结室上设有第一密封门；物料转移机构包括密封箱、设在密封箱上的第二密封门、以及设在密封箱内的搬运机构，密封箱上还设有真空排气机构和气体冷却机构；其中，在密封箱通过第二密封门和第一密封门对接与烧结室连通后，搬运机构将物料放置在密封箱或烧结室内。本发明通过第一密封门和第二密封门对接使密封箱与烧结室连通，以便搬运机构在密封箱和烧结室连通后将物料放置在密封箱或烧结室内，实现对物料的预抽真空、真空加热、气体冷却处理三道工序进行有序的分割，避免了处理工序的相互交叉，实现了工艺之间的独立。
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公开(公告)号：CN212645311U
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202020772450.3
申请日：2020-05-11
Applicant: 沈阳广泰真空科技有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种钐钴永磁材料真空烧结炉，在需对保温层所围成的腔体内加热时，第一遮挡部遮挡进风孔，且第二遮挡部遮挡出风孔，然后利用多区加热器对腔体内的各区域同时加热，提高加热的均匀性，从而提高钐钴永磁材料的一致性。在需对保温层所围成的腔体内进行冷却时，第一遮挡部避让进风孔，且第二遮挡部避让出风孔，然后利用充气装置向腔体内冲入惰性气体，再利用外循环冷却装置将冷却惰性气体由外循环冷却系统的出风口吹向保温层的进风孔，从保温层的出风孔排出，经空气流道流向外循环冷却装置的回风口，被外循环冷却系统冷却，实现了产生循环的冷却气体对钐钴永磁材料进行降温，从而提高冷却速度，进而提高钐钴永磁材料的性能和一致性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206751872U
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201720547088.8
申请日：2017-05-17
Applicant: 沈阳广泰真空科技有限公司
Inventor： 曹磊
Abstract: 本实用新型公开了一种真空炉设备用风冷分流盘，其特征在于，包括进气端板与密封端板，所述进气端板上设置有进气口，而进气端板与密封端板的边缘处设置有若干个V型导流板，每两个相邻的V型导流板之间构成一个气流出口，且V型导流板与进气端板、密封端板密封连接，而每个气流出口处设置有密封相连的异形导流管，异形导流管的另一端则与导流通道相连，通过导流通道将气流导出。本实用新型的目的在于提供一种真空炉设备用风冷分流盘，通过对分流盘内部结构改变提高了分流效率的同时，避免气流在分流盘内部碰撞而造成了换热损失。
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公开(公告)号：CN212362806U
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202020608187.4
申请日：2020-04-21
Applicant: 沈阳广泰真空科技有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种三段式真空烧结装置，包括烧结室、进料室和出料室，烧结室上设有第一密封门；进料室上设有第二密封门，进料室内设有第一搬运机构，在进料室通过第二密封门和第一密封门对接与进料室连通后，第一搬运机构将进料室内的物料搬运至烧结室内；出料室上设有第三密封门和气体冷却机构，出料室内设有第二搬运机构，在出料室通过第三密封门和第一密封门对接与出料室连通后，第二搬运机构将烧结室内的物料搬运至出料室内；其中，进料室和出料室上分别设有真空排气机构。本实用新型实现了对物料的预抽真空、真空加热、气体冷却处理三道工序进行有序的分割，避免了处理工序的相互交叉，实现了工艺之间的独立。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN212362805U
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202020607398.6
申请日：2020-04-21
Applicant: 沈阳广泰真空科技有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种分体式真空烧结装置，包括烧结室和物料转移机构，烧结室上设有第一密封门；物料转移机构包括密封箱、设在密封箱上的第二密封门、以及设在密封箱内的搬运机构，密封箱上还设有真空排气机构和气体冷却机构；其中，在密封箱通过第二密封门和第一密封门对接与烧结室连通后，搬运机构将物料放置在密封箱或烧结室内。本实用新型通过第一密封门和第二密封门对接使密封箱与烧结室连通，以便搬运机构在密封箱和烧结室连通后将物料放置在密封箱或烧结室内，实现对物料的预抽真空、真空加热、气体冷却处理三道工序进行有序的分割，避免了处理工序的相互交叉，实现了工艺之间的独立。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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