公开(公告)号：CN103014653B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201210576076.X

申请日：2012-12-27

Applicant: 沈阳工程学院

Inventor： 张东 ,  赵琰 ,  张晓慧 ,  李昱材 ,  李双美 ,  齐德江 ,  刘莉宝 ,  郭瑞 ,  王帅杰 ,  高微 ,  赵丹

IPC: C23C16/30 ,  H03H9/64

Abstract: 本发明属于压电薄膜材料领域，具体涉及一种AlN/GAZO/自支撑金刚石膜结构的声表面波滤波器件的制备方法。本发明方法是：以自支撑金刚石膜为衬底基片，清洗后送入气相沉积反应室，向反应室内通入氮气、三甲基铝、三甲基镓和二乙基锌，在衬底基片上沉积厚度为80-120nm的GAZO膜，然后再通入三甲基铝，在载有GAZO膜的衬底基片上沉积800nm厚的AlN薄膜，待气相沉积反应室内降至室温时，打开沉积室，得到AlN/GAZO/自支撑金刚石膜结构的声表面波滤波器件。本发明方法简单，工艺易于控制，本发明制备的压电薄膜器件均匀性好，声速传输性能优异，可用于制造大功率，高频率的声表面波滤波器件。

公开(公告)号：CN103014653A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210576076.X

申请日：2012-12-27

Applicant: 沈阳工程学院

Inventor： 张东 ,  赵琰 ,  张晓慧 ,  李昱材 ,  李双美 ,  齐德江 ,  刘莉宝 ,  郭瑞 ,  王帅杰 ,  高微 ,  赵丹

IPC: C23C16/30 ,  H03H9/64

Abstract: 本发明属于压电薄膜材料领域，具体涉及一种AlN/GAZO/自支撑金刚石膜结构的声表面波滤波器件的制备方法。本发明方法是：以自支撑金刚石膜为衬底基片，清洗后送入气相沉积反应室，向反应室内通入氮气、三甲基铝、三甲基镓和二乙基锌，在衬底基片上沉积厚度为80-120nm的GAZO膜，然后再通入三甲基铝，在载有GAZO膜的衬底基片上沉积800nm厚的AlN薄膜，待气相沉积反应室内降至室温时，打开沉积室，得到AlN/GAZO/自支撑金刚石膜结构的声表面波滤波器件。本发明方法简单，工艺易于控制，本发明制备的压电薄膜器件均匀性好，声速传输性能优异，可用于制造大功率，高频率的声表面波滤波器件。